p 型半導体とｎ型半導体
Fabry-Perot型半導体レーザを用いた全光制御モード同期法における動作安定性の向上に関する研究
... cw 注入による F-P 型半導体レサゃのスへ。クトル変化 3節で取りあげた基本光学系を組み合わせて外部共振 器を構成し、種々の条件下で、スヘ。クトル線幅狭窄化について 実験検討を行った。図 4 .1に実験系を示す。まず、結合光 学系においては、外部共振器長を調整するためにがうス板 とカハ守-;1('，7;を挿入しているため、 LD の後方ビームは光学長 に換算して 5[r] ...
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Fabry-Perot型半導体ﾚｰｻﾞにおける縦ﾓｰﾄﾞ間注入同期のための外部共振器の構造と制御
... ｽﾍﾟｸﾄﾙ線幅とすることを目的として、外部共振器の構造 と制御法を検討した。 一端にｺﾘﾒｰﾀを接続した短尺の偏波保持光ﾌｧｲﾊﾞとAlﾐ ﾗｰで反射系を構成し、ｺﾘﾒｰﾀとAlﾐﾗｰの間隔を可変とする 構造が有効であることが分かった。また、遅延自己ﾍﾃﾛﾀﾞ ｲﾝ方式の線幅測定器を用いて、縦ﾓｰﾄﾞの線幅を一括ﾓﾆﾀ ...
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第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽
... のように p 型半導体として 働く導電性ポリマーと n 型半導体との半導体界面が 2 次元的である。このため大き な pn 界面を得られないため、電荷分離界面が大きくなりにくい。しかし、p 型、n 型ともに電極への直接的な経路を持っているため、電荷輸送効率は高いといえる。 ...
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通信用半導体レーザの開発
... し （1）〜（3） 、その後の研究開発、製造に用いてきた。 2 − 2 量子井戸構造の開発 GaInAsP のような化合 物半導体は、その組成を変えることで格子定数とバンド ギャップを変化させることができるが、バンドギャップの 異なる 2 つの薄層を交互に積み上げると、電子・正孔がバ ンドギャップの低い層に閉じ込められる構造ができる。バ ンドギャップの狭い層が電子の平均自由工程程度の厚み （数 ...
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半導体製造装置プロセス管理技術
... 術 と 多 額 の 投 資 が 必 要 な 300m m製 造 ラ イ ン で は 、 技 術 面 か ら も 投 資 効 率 の 面 か ら も 標 準 化 の 必 要 性 が 高 く 、 SEM I 、 I nt er nat i onal Sem at ec h（ I 300I ） 、 Sel et e な ど が 国 際 的 に 協 調 し て 標 準 化 を 進 め て き た 。 そ れ に 牽 引 さ れ て ...
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半導体前工程 （ウェハ加工工程）の課題とＩＴ技術
... バラツキ制御要求の増大を解決するためには、装置メーカとデバイスメーカ間の 情報交換の重要性増大（品質制御と装置制御の融合） AEC：装置内部のFB/FF制御 APC：装置間を跨るFB/FF制御 ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... しかし、こうしたソフトワイアド型の半導体においても、設計と製造が完全に分離され るわけではなく、むしろ設計段階で製造段階の問題がわかるため、インターフェイス調整 が抽象化され、設計段階で行われるようになる（徳丸 2002）。多くの製造業で採用されて いる 3 次元 CAD でも、設計と製造の調整が「前倒し」になる現象が観察されている（竹田 2000） ...
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Microsoft PowerPoint - 第2回半導体工学
... 炭素と水素の結合 メタンの例 Q：メタンの分子式はCH 4 である。炭素原子の中で， 結合に寄与している電子の量子状態を答えなさい。 また，下記の図は炭素 Cの基底状態の電子配置であ ...
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半導体工学の試験範囲
... e とし、x軸は ｐｎ 接合と垂直で ｐ 領域の方向を正とする。また、n(0)<< p p とする。 （５）順バイアスの場合の ｐ 領域中の電子濃度 n(x)を（４）の拡散方程式から導出せよ。 問 42 拡散電位が V d の pn 接合を考える。p 層と n 層が接合したところを x = 0 ...
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[NE ハンドブックシリーズ] パワー半導体
... 括課長 東田祥史氏）。例えば，定格電圧100V前後まで の低耐圧品では， 「スマートフォン」 「パソコン」 「産業用お よび自動車」の三つを主なターゲットとする。「定格電圧 が十数Vのスマートフォン向けでは，小型化を重視しま す」 （東田氏）。例えば低オン抵抗のMOSFET「ECOMOS TM （エコモス）」では，実装面積0.8mm×0.6mmの小型品を 発売する。「3端子品では業界最小クラスです」 （東田氏）。 ...
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半導体デバイスの信頼性
... 光学損傷の発生原因は、活性層の反尃面近傍領域がレーザ光に対する吸収領域になっていること にある。GaAs や InP などの結晶表面には表面準位が多く、これを介した非発光再結合が多い。 反尃面近傍の活性層のキャリヤーはこの非発光再結合によって失われるから、反尃面近傍の活性層の 注入キャリヤー密度は中央部に比べて尐ない。その結果、中央部の高い注入キャリヤー密度によって ...
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リンドープｎ型ダイヤモンド半導体の電極界面特性の解明と低抵抗化
... n 型ダイヤモンド薄膜の電子輸送機構を明確にするため、導電率の測 定およびホール効果測定を行った。さらに、金属/高濃度 P ドープ n 型ダイヤモンド薄膜界面の電子輸送 機構を明確にし、金属/n 型ダイヤモンド薄膜界面の接触抵抗を低減するため、N イオン注入および数値 計算による深い不純物・欠陥準位の制御とグラファイト/n 型ダイヤモンド薄膜界面によるショットキー障壁 ...
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半導体設計支援（EDA）技術
... 出所：ED A Cons or t i um 、同協会の 2002 年 2Q売上集計データ ED A ツールを外販している企業は、 世界でおよそ 200 社程度あると見られるが、 特に Cadence、 Synops ys 、 M ent er G r aphi c s の３社は非常に大きなシェアを ED A ツール各分野で持っており、 中小の ED A ツールベンダを積極的に買収するなどして市場の寡占化が進行している。 ...
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ディスクリート半導体の基礎
... ② Nch MOSがオン状態になるとコレクタ電極が＋電位で有るため、コレクタ側のP+層からN+層を経由してN-層に 正孔(ホール：＋電荷)が注入され、この注入された正孔によりエミッタ側からの電子の注入が加速されます。 ③ その結果、本来高抵抗層であるN-層における電子・正孔量すなわちキャリア量が増加しN-層の抵抗値を下げる 働きをします。（導電度変調） これは、図3-14(b)に示すようにオン抵抗が変化するNch ...
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ディスクリート半導体の基礎
... ② Nch MOSがオン状態になるとコレクタ電極が＋電位で有るため、コレクタ側のP+層からN+層を経由してN-層に 正孔(ホール：＋電荷)が注入され、この注入された正孔によりエミッタ側からの電子の注入が加速されます。 ③ その結果、本来高抵抗層であるN-層における電子・正孔量すなわちキャリア量が増加しN-層の抵抗値を下げる 働きをします。（導電度変調） これは、図3-14(b)に示すようにオン抵抗が変化するNch ...
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Microsoft PowerPoint - 第11回半導体工学
... GaAs、GaInPおよびGaNの各バンドの有効質量と透明になる電子-正孔対濃度 GaAs Ga 0.5 In 0.5 P GaN 伝導帯電子の有効質量 m e /m 0 0.067 0.105 0.2 価電子帯軽い正孔の有効質量 m lh /m 0 0.082 0.14 0.33 価電子帯重い正孔の有効質量 m hh /m 0 0.45 0.48 1.66 価電子帯正孔状態密度有効質量 m h /m 0 0.47 ...
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半導体レーザによる降雪センサの開発
... 既存する直接観測可能な装置の例として、気球観測装 置であるビデオゾンデが挙げられる 2) 。これはビデオカ メラとフラッシュライトにより降水粒子を直接撮像する 方式であり、粒子種別判定が可能だが取得粒子数が少な いという課題が存在する。また、航空機観測用の 2D-S Probe および、地上観測用の 2DVD が存在し、これらは 高速なラインスキャナ型観測装置であるが、いずれもコ スト面での課題が残っている ...
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半導体技術分野の重要技術説明資料
... Ⅲ−21 度なサービスが可能になるであろう。 SoC 混載用不揮発性メモリ システムオンチップ（SoC）は今後の電子機器の高付加価値化を支える中核的な半導体デバイ スである。高性能で小型であることから、据え置き型電子機器と並んでモバイル機器に多用され る。そのため、今後ますます、SoCには低消費電力長時間動作と、電源ON・OFFにより瞬時に ...
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中国上海・蘇州地域における半導体産業集積
... IDM 型である。このうち H 社は，1997 年に設立さ れ，近年，電源管理用 IC などのアナログ IC 市場の拡大に合わせ，アナログ IC にフォーカ スしたファウンドリとして地位を固めている。なお表 19 の F 社は同じ企業グループに所 属するファブレスで，8 インチプロセス以外では，H 社の顧客となっている。企業グルー プ全体としては IDM 型だが，H ...
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Title Author(s) 先端半導体デバイス対応欠陥レビュー走査型電子顕微鏡の画像処理技術に関する研究 原田, 実 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI /7258
... 成することができる。エッジ強度を焦点測度として使用するためには、バンド パスフィルタの周波数特性を正しく調整する必要がある。 レビュー SEM のオートフォーカス処理においては、多種多様な外観を持つ画 像に対応したバンドパスフィルタが必要となる。半導体チップの中には回路パ ターンが形成されていない領域 (回路パターンなし領域) が存在し、回路パター ンなし領域において生じた欠陥を観察する場合もある。図 3.3 ...
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