SiCパワーデバイス技術
GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Inject
... 超高耐圧AlGaN/GaN HFET サファイア基板 バッファ層 i-AlGaN i-GaN ソース フィールドプレート ゲート 厚膜AlNパッシベーション SiN 高電界 サファイア基板への ビアホール 超高耐圧 AlGaN/GaN HFETの断面図 ■厚膜多結晶AlNパッシベーション 従来のSiNと比較して大きな絶縁破壊電界強度 高い熱伝導率（SiNの200倍以上）[r] ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 現状では、 CVD プロセスを利用する気相成長法（HVPE 法）、超臨界アンモニアを利用するア モノサーマル法、 Na 融液を利用する Na フラックス法などが研究されている。 GaN は結晶成長時の晶癖のため、特に+C 軸方向に成長させると円錐型に直径がどんどん減少 し、長い単結晶が取れないという問題もある。このため、単結晶から数枚～ 10 枚程度の基板しか ...
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電子デバイスの純水スプレー洗浄工程における静電気発生防止技術の開発
... Eze Vincent Obiozo （総合技術研究所） 瀬川大司 , 小林義典, 宮地計二（旭サナック株式会社） 研究成果の概要 半導体デバイスは、スマートフォンやテレビなどの情報通信機器、エアコン、冷蔵庫などの家電製品、自動車など 暮らしを支える多くの製品に必要不可欠な電子部品である。この半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェ ...
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本日の出席者 代表取締役社長 ( 兼 ) 加湿器対策本部長 ( 兼 ) 技術本部長 上釜健宏 専務執行役員小林敦夫 事業担当 : アプライドフィルム フラッシュメモリ応用デバイス 電波エンジニアリング磁性製品ビジネスグループゼネラルマネージャー ( 兼 ) パワーシステムビジネスグループゼネラルマネ
... 薄膜デバイス事業の 『狙い』 ヘッド事業を通して培って来た 『薄膜技術』 及び 受動部品事業 を通して培って来た 『材料技術』 を融合させ､ 今後多様化する 情報通信分野のニーズに応え得る 高付加価値製品を提供する ...
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高信頼性パワーモジュール設計のための機械特性評価技術の開発
... IGBT パワーデバイスは，小型化・高機能化のト レンドの一途を辿っている．特に 2020 年には従来の Si 素子の代替として SiC 素子の本格的な市場参入が見込 まれ，デバイスの熱設計は今後ますますシビアになる． しかし SiC 搭載の IGBT デバイスには，実装材料の高耐 熱化やデバイスパッケージの低熱抵抗化等の課題も多 い．例えば， SiC 素子は ...
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オン セミコンダクター エネルギー効率の高いソリューションの包括的なポートフォリオを提供オン セミコンダクターは 標準部品から SoCまで コネクティビティ センシング パワーマネジメント マネジメント アナログ ロジック タイミングデバイス オプトエレクトロニクス ディスクリートデバイス等の包括的
... n オン・セミコンダクター 国内営業拠点 ON Semiconductor及びON SemiconductorのロゴはON Semiconductorという商号を使うSemiconductor Components Industries, LLC 若しくはその子会社の米国及び/または他の国における商 標です。 ON Semiconductorは特許、商標、著作権、トレードシークレット(営業秘密)と他の知的所有権に対する権利を保有します。 ...
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トランプ技術の習得を支援するカード型デバイスの提案
... いて技術を定量的に評価して習得支援を行う例は少ない．そのため，現在のトランプ技術 の習得方法は，熟練者の技術を見て盗む，文献を参考に練習を繰り返す，といった古典的 な手法が一般的である．また，スポーツ等に比べトランプ技術に精通している熟練者の人 口は少なく，熟練者の技術に学ぶことも一般に困難である．このような背景から本研究で ...
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EVにおけるパワーコントロールユニットの放熱・冷却技術の市場展望
... 10.自動車メーカ/モータ別PCUの放熱・冷却タイプの市場規模（2017）・・・50 11.PCUの放熱・冷却タイプの市場規模・推移予測（2017～2030年）・・・53 12.供給関係・・・61 13.PCU関連デバイスの価格動向・・・68 ...
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パワーエレクトロニクス機器のEMC 対応設計技術による信頼性向上
... ₃.₃ パワーエレクトロニクス機器の EMI 解析プラット フォーム パワエレ 機器が発する電磁ノイズは， 図₄に 示すよう に， 伝導ノイズと放射ノイズに大別される。このため，伝 導ノイズと放射ノイズでは，EMC対応フロントローディ ング 設計を推進するための EMI解析範囲が異なる。ここ で， 現状の技術では，一つの解析ソフトウェアだけでは電 磁ノイズ（伝導ノイズ，放射ノイズ）を正確に推定できず， ...
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三菱パワーデバイス パワーモジュール
... ・本資料に記載した情報は、正確を期すため、慎重に制作したものですが万一本資料の記述誤りに起因する損害がお客様に生じた場合には、三菱電機はその責任を負いません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表に示す技術的な内容、プログラム及びアルゴリズムを流用する場合は、技術内容、プログラム、アルゴリズム単位で評価するだけでなく、シス ...
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電子デバイスの技術進展による製品戦略の変化
... （１）時間と故障率 －故障率曲線（バスタブカーブ） ６．故障率曲線と対応 故障率 λ(t) 時間t 初期故障期間 偶発故障期間 摩耗故障期間 機器や部品の一般的な時間と故障率の関係 （故障率低減の考え方） ○初期故障期間 エージング、バーンイン 試験など ○偶発故障期間 状態監視保全（定期点検、 自己診断など）など ○摩耗故障期間 予防保全など ｍ＜１ ｍ＞１ ｍ＝１ [r] ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 近年、半導体デバイスの微細化が進み ITRS(International Technology Roadmap of Semiconductor) 2.0 によると 2020 年 には DRAM (Dynamic Random Access Memory)の最小線幅が 10nm になると示されている。半導体デバイスの製造工程 ...
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2015 OEG セミナー 次世代パワーデバイスの評価 解析 2015 年 7 月 14 日 信頼性解析事業部 解析センタ 長谷川覚 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd.
... 1.3.1 良品解析から劣化を考慮した良品解析へ 高電圧・大電流のスイッチング素子として利用されるパワーデバイスは、スイッチング 動作時の熱ストレスや、通電時の特性劣化が信頼性に大きな影響を与える 初期品質の評価だけで判断を行うと、見逃してしまう信頼性上の問題がある 実使用環境における劣化を考慮した良品解析も必要 ...
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平成 30 年度 特許出願技術動向調査報告書 パワーアシストスーツ 平成 31 年 2 月 特許庁
... 、海外市場の獲得と併せて国内での製品展開も重要である。 パワーアシストスーツの普及にあたっては、産業用途でのニーズ（効果的、簡易、安価） に応じた製品を上市する必要がある。この点、パワーアシストスーツの製品開発に携わる有 識者からは、ユーザーが購買を決めるポイントして、効果（作業の負担が少なくなる等）、装 着や操作において簡易であること、安価であることが重要であるという旨の意見があがって ...
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目次 目次...1 リーダーシップを支えるえる影響基盤...2 パワーとは パーソナルパワーとポジションパワー パワー基盤 5 7 つのパワー基盤... 6 パワー意識診断表... 7 パワー意識診断表の使い方... 7 パワー基盤基盤ドライバ 課題レディ
... コネ コネ コネ コネ力 力 力： 力 ： ： ： レディネス・レベルがＲ１からＲ２に上がり始めても、まだ指示的行動が必要とされ るが、支援的行動を増やすことも、また重要になってくる。こうしたレディネス・レベ ルにある相手に有効な＜教示的＞、そして＜説得力＞リーダーシップ・スタイル は、リーダーにコネ力が備わっていると、さらに有効に作用する。このレディネス・レ ベルの人たちは懲罰回避に気を使い、有力者を結びついて利益を図ったりし易い ...
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次 1. はじめに 2. スマートデバイスの普及とセキュリティ対策 3.SIM 活 技術の紹介 4. 許可証 で広がるスマートデバイスの利 5. 今後の展望
... ※当資料に記載されている会社名または製品名は、それぞれ各社の商標または登録商標です。 SIMを基点とした重要アプリケーションの保護技術 〜あなたの取引を安全に守ります。〜 ご清聴ありがとうございました。 ...
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コンシューマデバイス安全規格の概要と規格策定の方法論 ( 独 ) 産業技術総合研究所 セキュアシステム研究部門 (RISEC) システムライフサイクル研究グループ (IPA/SEC コンシューマデバイス安全標準化 WG 副主査 ) 田口研治 産業技術総合研究所
... 自己紹介 【経歴】 産業技術総合研究所 招聘研究員 （併任） 2010年4月～ （株）シーエーブイテクノロジーズ 代表取締役社長 2011年4月 （設立） ～ 産業界における11年間の経験 ...
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グリーンパワーIC ─平成22年度特許出願技術動向調査の紹介─ 「特技懇」誌のページ（特許庁技術懇話会 会員サイト）
... グリーンパワー IC について海外における日本のプレゼ ンスを高めるためには、まず、国内で、基板メーカー、装 置メーカー、デバイスメーカー、実装材料メーカー、セッ ト／システムメーカーが有機的に連携し、技術トレンドの コンセンサスを形成する仕組みが不可欠である。公的研究 機関、アライアンスは、中立性、公平性を活かして、研究 開発プログラムのコーディネータとして、技術の議論を重 ...
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電子デバイスの純水スプレー洗浄工程における静電気発生防止技術の開発
... ルを配置する方法が広く用いられている。しかしこの洗浄 方法は純水をスプレーする際に半導体デバイスに静電気 障害 (Electro Static Discharge: ESD)を生じる問題があり、静 電気障害を防止するために純水に炭酸ガスを混入させ純 水の伝導率を下げる方法で対策しているが、純度の高い純 水に不純物を入れてしまうという問題やコスト高の問題 がある。これらの静電気障害の解明や対策は、生産現場で ...
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電子デバイスの純水スプレー洗浄工程における静電気発生防止技術の開発
... キーワード：半導体デバイス、静電気障害、高圧スプレー、純水、ファラデーケージ、フラットパネルディスプレー 1．研究開始当初の背景 液晶パネルや有機 EL を代表するフラットパネルディス プレー（ FPD）は、スマートフォン、テレビ、カーナビな どに広く使われ、世の中で必要不可欠なものとなっている。 FPD の製造はガラス基板上に各機能膜を製膜し、積層する が、その前後工程には必ず洗浄工程が存在する。特に液晶 ...
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