MOVPEによる結晶再成長を利用
気相法によるZnSe 単結晶成長とその応用
... ZnSe 結晶を発光素子用基板として活用するためには Al （アルミニウム）または I（ヨウ素）等の不純物を添加して ZnSe Single Crystals Grown by Vapor Growth Methods and Their Application ─ by Yasuo Namikawa ─ ZnSe based white LED can be fabricated by ...
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The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 機能性単結晶の最近の進展 Vol. 42, No. 2 (2015) 総合報告 異種基板上の -Ga 2 O 3 の HVPE 成長 大島祐一 1* ガルシアビジョラ 1
... SiC を凌ぐ高耐圧・高効率パ ワーデバイスの実現が期待されている 9-11) ． -Ga 2 O 3 が他のワイドバンドギャップ材料に比べて有 利な点の１つは，融液から FZ(Floating Zone)法 12) や EFG(Edge-defined Film-fed Growth)法 13) ，あるいは CZ(Czochralski)法 14) によりバルク単結晶が成長可能で ...
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深紫外発光素子の高効率化にむけたAlGaN系半導体の結晶成長とキャリア再結合過程に関する研究
... 第４ 章 は ，AlGaN/AlN ヘテ ロ 構 造に お ける 臨 界膜 厚 の 評価 手 法の 開 拓と と も に格 子 不整 転 位の 導 入機 構の 解明 に 取り 組 んで いる ．す な わち ， 従来 用い られ て きた X 線 回 折測 定 に よる 評 価よ り も精 度 の 高い 評 価手 法 とし て ， 時間 分 解フ ォ トル ミ ネ ッセ ン ス 測定 に 着 目し ， 光学 測 定を 通 ...
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結晶性多孔体細孔を利用した物質合成
... ゼオライトの厳密な結晶構造については成書 １５，１６） を参照して頂くことにして，ここでは，ゼオライト の持つ細孔構造の特徴に注目して整理する。 ゼオライトの細孔構造は，一次元チャンネル， そのチャンネルが二次元的に連結した二次元チャ ンネルおよびさらに三次元的に連結した三次元チ ャンネルに分類される ( Fig. 2 )。また，そのチャ ンネル構造は，円筒状のものや球状の細孔が連結 ...
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The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線 Vol. 41, No. 3 (2014) 解説 昇華法 AlN ウェハー上 HVPE ホモエピタキシャル成長と深紫外
... HVPE 成長の初期基板とする ことで HVPE 法の欠点である高密度の転位発生を完全に 抑制し，低転位密度と深紫外光透過性の両者を有する AlN ウェハーを実現できることを示した．この HVPE- AlN ウェハー上で 260 nm 帯の深紫外 LED を試作したと ころ，転位を発生させることなく LED ...
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宇宙環境利用蛋白質結晶生成応用利用実証プロジェクトのご案内
... 4.4. 20℃で数ヶ月間、蛋白質が安定であること カウンターディフュージョン法の場合、沈澱化剤を含まない状態の蛋白質試料溶液を長期間キャピラ リー中に保持した状態となります。このため、この状態で数ヶ月間、蛋白質試料溶液が変性しないこと が重要です。DTT の添加等による安定化をお願いします。ただしこれまでの実験で、調製後直ちにバッ ...
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太陽光による水分解を高効率化するナノコンポジット結晶を開発 研究活動 | 研究／産学官連携
... 「ナノコンポジット 結晶」を簡便に作製するプロセスを新しく開発しました。このナノコンポジット構造を、太陽 光の照射によって水を分解して水素を製造する光触媒(注 2)として利用すると、その水分解光 電極(注 3)反応の効率が著しく向上することを見出しました。ナノ構造を持つコンポジット材 ...
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パルス中性子透過法による 結晶組織構造情報のイメージング
... • 従来の スカラー CT法では テンソル物理量をCT処理することはできない。 例) 吸収コントラスト CT： 密度 （ スカラー物理量 ）のCT画像再構成 位相コントラスト CT： 屈折率 （ スカラー物理量 ）のCT画像再構成 2. 汎用性の高い テンソル CTアルゴリズムを開発する必要がある。 ...
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報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板
... の GaN 層再成長過程では、結晶成長が通常の縦方向だけでなく、マスクを覆い隠 すような形で横方向に成長するため、縦に走っていた結晶欠陥（転位）が横方向に 曲げられ、マスク中央部あたりで左右から来たものがぶつかり合い、消滅します。 しかしながら、このマスク中央部の合わせ目やマスク開口中央部で結晶欠陥（転位） ...
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半導体結晶の光学的評価：光学スペクトルから結晶を観る
... ZnO 結晶薄膜が作製できることを光学 スペクトルは示している。図７から明らかなように、吸収と反射スペクトルには、極めて大き な相関がある。ただし、反射スペクトルでは、特に薄膜の場合、Fabry-Perot 干渉を考慮したス ペクトル形状解析が必要である。この解析問題は、比較的高度なテーマであるので本稿では省 ...
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The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 機能性単結晶の最近の進展 Vol. 42, No. 2 (2015) 総合報告 酸化ガリウム単結晶の光 電子デバイス応用 倉又朗人 1* 飯塚和幸 1 佐々木公平 1 輿
... 100)基板を用いて行われ，ステップフロー成長 による平坦膜が得られたものの，原料の再蒸発が大きい ために成長レートが数 10 nm/h と極めて低かった．また， 耐圧維持層として用いるためには，膜中のキャリア濃度 を 10 15 ~10 16 cm -3 台で高精度に制御する必要があるが，こ れまでホモエピタキシャル膜へのドーピングに成功して ...
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2-6 粉末 X 線構造解析概要 本節では 粉末試料によるX 線回折データを用いて構造解析をおこなうためのリートベルト解析ソフトを紹介し 結晶構造パラメーターから結晶構造モデルを可視化するための結晶構造描画 VESTA の使用方法について解説する リートベルト解析への第一歩構造解析を行
... 無機化合物をはじめとする様々な物質において、結晶構造は物質の性質を決定づける重 要な因子である。例えば、炭素のみから構成されるダイヤモンドは、無色透明で屈折率が 高い、天然で最も硬い、熱伝導性が非常に高いという性質を示す。一方で、同様に炭素の みから成るグラファイトは、黒色で良好な電気伝導性を持ち、はがれやすい（劈開性）た ...
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Microsoft Word - ミストを利用した薄膜成長技術の開発5.docx
... 界等のエネルギーを付加し基板表面にて反応させ、薄膜を成長させる手法である。その為一般に熱化学気相 成長(CVD)法や有機金属化学気相成長(MOCVD)法等では、用いられる原料は危険性を伴い、安全に対する装 置構成やシステム設計が必要になるが、不純物の混入が少なく結晶性の高い薄膜を得られる。一方で、標準 ...
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2. 研究の実施状況 (1) 高品質 AlN 厚膜単結晶の作製 1-1 液相成長法サファイア基板上の AlN 膜の成長において, 下図左に示すように今年度当初の段階では, 部分的な AlN 結晶の侵食も見られ, 基板上への全面に成長は至らなかったが, サファイア基板の設置方法, 窒素ガスの吹き込み方
... AlN 成長における N 2 -CO アニールによる AlN 緩衝層制御 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会, 京都府京田辺市, 9 月 16-20 日, (2013) (14) Kohei Ueno, Jitsuo Ohta, Hiroshi Fujioka, Masaharu Oshima, Hiroyuki Fukuyama ...
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薄膜結晶成長の基礎3.dvi
... と言うことと近い 6 ．ある点に力が働いたときの変位は，距離に反比例して小さくなる と思ってよい．ややこしい結晶の異方性を無視すれば，静電気とのアナロジーでいろ いろな量の距離依存性が見積もれる．一点に力が働けば，それによる変位は u ∼ 1/r で小さくなる．このような考えで，次に吸着原子や転位，ステップなどの結晶中の「欠 ...
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日本結晶成長学会誌_投稿規定
... ③ 総合報告は，著者自身の独創性のある研究を中心として，その分野全般にわたる最近の 進歩とその背景を広い視野から総合的にまとめたもので，広範な文献引用がなされてい ることが望ましい． ④ 解説とは，比較的一般性のある特定の主題についての記事で，専門分野以外の読者にも わかりやすい内容と表現になるよう配慮することが必要である．基本的な文献が引用さ れていることが望ましい． ...
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結晶成長学からの提案
... ４）溶解度データに基づいた計画的な結晶育成 溶解度曲線が ３） によって得られたならば，溶解度データに基づき能動的な結晶化操作が可能 となる．例えば，温度を操作パラメータとした場合の一例を Fig. 8 に示す（溶解度の温度依存性が 大きなタンパク質結晶の場合に有利となる）．もちろん，操作パラメータは温度だけではなく，タンパ ク質濃度，沈殿剤濃度，pH ...
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薄膜結晶成長の基礎2.dvi
... の相互作用で決まる．気体より液体のほうが密度が大きいから，相互作用が引力的な らば壁の近くにたくさんの原子がある方が有利で α lw < α gw ，斥力的ならば壁の近く に原子が少ないほうが有利で α gw < α lw である．つまり，斥力が強ければまったく濡 れないことが可能で，引力が強いときには完全な濡れがありうる． 下地上の結晶核生成 ...
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パワーデバイス応用のための表面活性化手法による単結晶SiC の接合
... 本論文では、以上の成果をもとに、下記のような極薄バワーデバイス、およ び、All-SiC MEMS 製造の新規プロセスを提案した。 すなわち、極薄デバイスについては、高品位 SiC 単結晶ウエハの薄化のため の SiC キャリアウエハとの直接接合ならびに分離プロセスを行うことが必要で ある。しかし、従来の親水化処理に基づく SiC のウエハ接合はいずれも 1000℃ ...
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東京都建設発生土再利用センター利用要領
... 利用者は、利用完了後速やかに再利用センターへ連絡してください。センターは利用状況 確認後、再利用センター利用完了届［様式 7-1］を作成し、郵送します。利用者は送付され ...
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