MOSの基板バイアスの効果
VHFスパッタリング法により作製した水素化アモルファス炭素薄膜の基板バイアスの効果: University of the Ryukyus Repository
... Title VHFスパッタリング法により作製した水素化アモルファ ス炭素薄膜の基板バイアスの効果 Author(s) 松井, 謙治; 喜友名, 達也; 比嘉, 晃; 渡久地, 實 Citation 琉球大学工学部紀要(59): 101-106 Issue Date 2000-03 ...
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大口径電子デバイス用エピ基板の開発
... http://www.toshiba.co.jp/about/press/2012_07/pr_j2501.htm より Si基板を使用したGaN LEDです。低熱抵抗で長 寿命、コストパフォーマンスに優れています。 サージ保護素子内蔵の高ESD耐量製品です。緑 ～青色、白色系もラインアップしています。 ...
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低転位GaN 基板上縦型トランジスタの開発
... SiC の技術レベルにはまだまだ達 しておらず、GaN を用いたパワートランジスタ作製のた めのデバイス技術には多くの課題がある。パワーデバイス では高耐圧特性を得るために p 型半導体が必須となる。 GaN はイオン注入による p 型の形成が困難であり、Si の パワートランジスタの IGBT（Insulated Gate Bipolar ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... GaN 基板には、当社独自開発による DEEP （dislocation elimination by the epitaxial-growth with inverse-pyramidal pits）と呼ぶ転位低減手法により、転 位密度の低減がなされた。DEEP とは、ヘテロエピの際の ...欠陥を低減するために、結晶成長の際の最表面にピット状 ...
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シミュレーション活用による超Gbps 伝送基板の設計
... め、HFSS の機能を使い、TDR 解析、磁界分布解析を行った 結果、スルーホール部の GND との結合容量成分とコネクタ ピン部のインダクタンス成分によるインピーダンス不整合が 主要因であることが解った。そこで、設計値のようにスルー ホールのクリアランス径を大きくし、スルーホール部の結合 ...
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強化学習における認知バイアスと固執性―選択行動を決めているのは過去の“選択の結果”か“選択そのもの”か？―
... の程度反映させるか決めるパラメータは，学習率と呼ば れる重要なパラメータの1つである。 標準的な強化学習において学習率は固定のパラメータ として設定されるが，その変動性に注目した研究も多く 存在する （Nassar, Bruckner, Gold, Li, Heekeren, & Eppinger, 2016; Gershman, 2015）。例えば，成功から学ぶ程度と失 ...
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大口径電子デバイス用エピ基板の開発
... →SiC基板の大口径化とともに、Siと競争できる低コスト化を実現することが必要。 GaNデバイスの場合、 →GaN基板の実用化の目処がたっておらず、Siと競争できる低コスト化を実現することは困難。 →サファイア基板は、放熱性に問題がある。 ...
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容量結合した微小Josephson接合列における片バイアス電流誘引機構の研究
... 2.2 Josephson 接合 Josephson接合は、その構造によりいくつかの種類があるが、本研究では、超伝導体の 電極間に薄い絶縁体膜を挟んだ、超伝導体/絶縁体/超伝導体(SIS)構造のJosephson接合を 用いる。前述のトンネル接合における帯電効果が電子の粒子的な振る舞いを示すのに対 ...
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OP1177/OP2177/OP4177: 低ノイズ、低入力バイアス電流の高精度オペアンプ
... PCB を跨ぐ温度変動により、異なる金属が接触するハンダ接続ポ イントとその他のポイントでのジーベック電圧の不一致が発生し、 熱電圧誤差が発生します。これらの熱電対効果を小さくするた め、熱源により両端が等しく温度上昇するように抵抗の向きを 調節してください。入力信号パスに一致する部品番号と部品タ ...
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窒化アルミニウム単結晶基板の開発
... SiC 基板上ヘテロ成長法により、 ...放射線性等の特性に対する要求が厳しさを増している。こ の要求に対し、材料物性上の限界を迎えたシリコン（Si） に代わって、炭化シリコン（SiC）を基板としたデバイス が実用化されつつあるが、次々世代の高性能化に向けて、 さらに絶縁破壊電界が大きく高周波動作可能な基板材料の ...
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RIETI - セレクション・バイアスの補正や属性の構造変化を考慮したリピートセールス法による東京都内の不動産価格指標の推計
... 𝒚𝒚 𝒊𝒊 ＝ 𝜷𝜷�𝒍𝒍𝒍𝒍𝑪𝑪 𝒊𝒊𝒒𝒒 − 𝒍𝒍𝒍𝒍𝑪𝑪 𝒊𝒊𝒑𝒑 �＋�𝝈𝝈 𝒒𝒒 − 𝝈𝝈 𝒑𝒑 � +△ 𝒗𝒗 𝒊𝒊 ＝ 𝜽𝜽�𝒉𝒉 𝒊𝒊 𝝉𝝉 − �𝒉𝒉 𝒊𝒊 − (𝒒𝒒 − 𝒑𝒑)� 𝝉𝝉 � + �𝝈𝝈 𝒒𝒒 − 𝝈𝝈 𝒑𝒑 �＋∆𝝂𝝂 𝒊𝒊𝒊𝒊 = 𝜽𝜽𝒌𝒌 + �𝝈𝝈 𝒒𝒒 − 𝝈𝝈 𝒑𝒑 �＋∆𝝂𝝂 𝒊𝒊𝒊𝒊 (5) ここで、 θ ＝ β*lnC 0 *μ となるパラメータである。 ...
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低転位GaN 基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード
... 1. 緒 言 近年、化石燃料の枯渇や地球温暖化、原油・天然ガス原 料の高騰、東日本大震災の原発事故の問題などから省エネ ルギー社会の実現が急務となっており、高効率な電力変換 機器の需要が高まっている。窒化ガリウム（GaN）は、青 色、白色の発光ダイオード（LED ： Light Emitting Diode）、 青紫色レーザダイオード（LD ...
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封印前の点検確認 主基板各所の点検確認を行います 主基板 主基板点検時には メイン ROM を含む合計 6 箇所の点検を行って下さい 主基板カシメ部 カシメ部に切断の痕跡等が無いか確認して下さい 2 / 31
... スロット遊技機のサブ基板への供給電源の異常・瞬断を検知します。 ・ＡＣアダプターのコンセントをＡＣ１００Ｖへ差し込みます。 ・ＡＣアダプターのコネクターと渡りハーネスの電源入力線を接続します。 ・不正出力線をナンバーランプ等の表示器の不正入力線と接続します。 ・本体接続線を遊技機内部へ入れます。 ...
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第 3 部 EXERCISE( 練習問題 ) の解答例 第 11 章なぜ難しい金融取引 11-1 次の行動や現象の意味を説明し, その実例をみつけてみましょう コミットメントディスポジション効果サンクコストの呪縛ホーム バイアス 解答例 コミットメント 経済学では, 時間不整合性の問題が生じうる状況
... 解説 勝敗や成績が人生を左右するプロスポーツ選手たち。当然，どうすれば 勝てるのか，どうすればいい成績を残せるのかを真剣に考えています。しか し，多くのスポーツに共通しているのは，勝敗や成績が多様な要因の影響を 受けていること。体調はもちろん心理面も影響しますし，相手との相性や， ...
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時間分解光電子分光法によるSiC基板上グラフェンのキャリアダイナミクス研究
... SiC 基板上グラフェン）に関して、時間分解光電子分光法を駆 使し、その超高速キャリアダイナミクスおよび電荷移動ダイナミクスの包 括研究を行った。その結果、グラフェンにおけるキャリア緩和がディラッ ク電子特有の緩和機構によるものであることを明らかにし、さらにはその 緩和メカニズムに関する理論モデルを構築した。また、グラフェンと SiC ...
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終身年金バイアスと厚生年金信頼度・公的年金満足度
... 長期の年金商品に対する行動バイアスを評価する新たな指標として終身年金バイアスを定義し， わが国最大の終身年金である厚生年金加入者・受給者を対象に家計の態度・行動を分析した．終 身年金バイアスを，現金を年金化する場合の主観的な割引率と，年金を一時金化とする場合の主 ...
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microSD基板 製作マニュアル
... RAM の使用が可能です。しかし、容量が小 さく、少しの時間しかデータを記録できません。そこで、最近安価に入手できるようになっ た microSD を記録デバイスとして使用し、走行データを記録します。本基板は、簡単にマ イコンボードと microSD を接続する機能を持っています。 ...
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2. 研究の実施状況 (1) 高品質 AlN 厚膜単結晶の作製 1-1 液相成長法サファイア基板上の AlN 膜の成長において, 下図左に示すように今年度当初の段階では, 部分的な AlN 結晶の侵食も見られ, 基板上への全面に成長は至らなかったが, サファイア基板の設置方法, 窒素ガスの吹き込み方
... サファイア基板上の AlN 膜の成長において，下図左に示すように今年度当初の段階では，部分的な AlN 結晶の侵食も見られ，基板上への全面に成長は至らなかったが，サファイア基板の設置方法， 窒素ガスの吹き込み方法ならびに微量成分（酸素，炭素など）の濃度について検討した結果，大口 ...
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アルコール使用障害における注意バイアス修正訓練に関する研究動向
... あった。さらに，統制処理または自動・統制処理段階 の低減によって，AUDの中核的な症状である飲酒欲求 の低減と飲酒に対する葛藤の改善効果を示した研究 は，それぞれ 2 件であった。一方で，統制処理段階の 低減によって，飲酒行動の低減を示した研究は 2 件， 示さなかった研究は 2 件であり，介入効果の知見が一 ...
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AlN 基板を用いた高Al 組成AlGaN HEMTの開発
... 置を用いた。原料には、アンモニア（NH 3 ）、トリメチル 1. 緒 言 現在、ガリウムヒ素（GaAs）を動作層（以降チャネル層） とする高電子移動度トランジスタ（high electron mobility transistor: HEMT）が携帯電話等の高周波通信に広く普及 し て い る 。 一 方 で 近 年 、 白 色 発 光 ダ イ オ ー ド （ light emitting diode: ...
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