GaNパワーデバイス技術
GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Inject
... 超高耐圧AlGaN/GaN HFET サファイア基板 バッファ層 i-AlGaN i-GaN ソース フィールドプレート ゲート 厚膜AlNパッシベーション SiN 高電界 サファイア基板への ビアホール 超高耐圧 AlGaN/GaN HFETの断面図 ■厚膜多結晶AlNパッシベーション 従来のSiNと比較して大きな絶縁破壊電界強度 高い熱伝導率（SiNの200倍以上）[r] ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 本技術の長所としては、 HVPE 法に比べて原料利用効率が良く、製造コストを抑制することが できるという利点があると主張されている。また成長速度が遅いため欠陥密度が低い良質な結晶 が育成できるとされている。 短所としては、超臨界状態を達成するために、高温高圧（ 600℃、200MPa など）が必要であり、 特に圧力の面から大型設備は大変困難と考えられる。また結晶成長速度が遅いため長時間運転が 必須である。超臨界状態の ...
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電子デバイスの純水スプレー洗浄工程における静電気発生防止技術の開発
... 1．研究開始当初の背景 半導体デバイスは、スマートフォンやテレビなどの情報 通信機器、エアコン、冷蔵庫などの家電製品、自動車など 暮らしを支える多くの製品に必要不可欠な電子部品であ る。この半導体デバイスの製造工程において、シリコンウ ェハ基材上のナノメートルオーダの異物除去の必要性か ら、 製造工程の 1/3 は洗浄工程と言われている。最近では、 ...
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本日の出席者 代表取締役社長 ( 兼 ) 加湿器対策本部長 ( 兼 ) 技術本部長 上釜健宏 専務執行役員小林敦夫 事業担当 : アプライドフィルム フラッシュメモリ応用デバイス 電波エンジニアリング磁性製品ビジネスグループゼネラルマネージャー ( 兼 ) パワーシステムビジネスグループゼネラルマネ
... 薄膜デバイス事業の 『狙い』 ヘッド事業を通して培って来た 『薄膜技術』 及び 受動部品事業 を通して培って来た 『材料技術』 を融合させ､ 今後多様化する 情報通信分野のニーズに応え得る 高付加価値製品を提供する ...
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高信頼性パワーモジュール設計のための機械特性評価技術の開発
... IGBT パワーデバイスは，小型化・高機能化のト レンドの一途を辿っている．特に 2020 年には従来の Si 素子の代替として SiC 素子の本格的な市場参入が見込 まれ，デバイスの熱設計は今後ますますシビアになる． しかし SiC 搭載の IGBT デバイスには，実装材料の高耐 熱化やデバイスパッケージの低熱抵抗化等の課題も多 い．例えば， SiC 素子は ...
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オン セミコンダクター エネルギー効率の高いソリューションの包括的なポートフォリオを提供オン セミコンダクターは 標準部品から SoCまで コネクティビティ センシング パワーマネジメント マネジメント アナログ ロジック タイミングデバイス オプトエレクトロニクス ディスクリートデバイス等の包括的
... n オン・セミコンダクター 国内営業拠点 ON Semiconductor及びON SemiconductorのロゴはON Semiconductorという商号を使うSemiconductor Components Industries, LLC 若しくはその子会社の米国及び/または他の国における商 標です。 ON Semiconductorは特許、商標、著作権、トレードシークレット(営業秘密)と他の知的所有権に対する権利を保有します。 ...
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トランプ技術の習得を支援するカード型デバイスの提案
... いて技術を定量的に評価して習得支援を行う例は少ない．そのため，現在のトランプ技術 の習得方法は，熟練者の技術を見て盗む，文献を参考に練習を繰り返す，といった古典的 な手法が一般的である．また，スポーツ等に比べトランプ技術に精通している熟練者の人 口は少なく，熟練者の技術に学ぶことも一般に困難である．このような背景から本研究で ...
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EVにおけるパワーコントロールユニットの放熱・冷却技術の市場展望
... 10.自動車メーカ/モータ別PCUの放熱・冷却タイプの市場規模（2017）・・・50 11.PCUの放熱・冷却タイプの市場規模・推移予測（2017～2030年）・・・53 12.供給関係・・・61 13.PCU関連デバイスの価格動向・・・68 ...
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パワーエレクトロニクス機器のEMC 対応設計技術による信頼性向上
... ₃.₃ パワーエレクトロニクス機器の EMI 解析プラット フォーム パワエレ 機器が発する電磁ノイズは， 図₄に 示すよう に， 伝導ノイズと放射ノイズに大別される。このため，伝 導ノイズと放射ノイズでは，EMC対応フロントローディ ング 設計を推進するための EMI解析範囲が異なる。ここ で， 現状の技術では，一つの解析ソフトウェアだけでは電 磁ノイズ（伝導ノイズ，放射ノイズ）を正確に推定できず， ...
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三菱パワーデバイス パワーモジュール
... ・本資料に記載した情報は、正確を期すため、慎重に制作したものですが万一本資料の記述誤りに起因する損害がお客様に生じた場合には、三菱電機はその責任を負いません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表に示す技術的な内容、プログラム及びアルゴリズムを流用する場合は、技術内容、プログラム、アルゴリズム単位で評価するだけでなく、シス ...
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電子デバイスの純水スプレー洗浄工程における静電気発生防止技術の開発
... 瀬川 大司、小林 義典、宮地 計二（旭サナック株式会社） 研究成果の概要 半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハ基材上のナノメートルオーダの異物除去の必要性から、製造 工程の 1/3 は洗浄工程と言われている。半導体デバイスは 1 バッチ 25 枚の単位で、アンモニア水、過酸化水素水、 塩酸等に加温した薬品に、順次浸漬させる RCA 洗浄方式が一般的であった。しかし最近では、環境負荷の低減や半 ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 近年、半導体デバイスの微細化が進み ITRS(International Technology Roadmap of Semiconductor) 2.0 によると 2020 年 には DRAM (Dynamic Random Access Memory)の最小線幅が 10nm になると示されている。半導体デバイスの製造工程 ...
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2015 OEG セミナー 次世代パワーデバイスの評価 解析 2015 年 7 月 14 日 信頼性解析事業部 解析センタ 長谷川覚 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd.
... 3.8 GaNデバイスのまとめ ・良品解析手法確立に向けて、ウェハ工程検査を実施した結果、 全検査項目共に解析可能であり、データ解析が行えることを確認した ・今後も更にGaNデバイスの良品解析結果を蓄積し、良品解析手法を ...
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平地研究室技術メモ No パワーエレクトロニクス導入実験の手引き ( 読んでほしい人 : パワエレ技術者 ) 2020/5/19 京都大学工学部電気電子工学科 3 年生山本謙太 ( 元舞鶴高専電気情報工学科中川研究室 ) あらまし 本技術メモは実際に手を動かし 実験的側面からパワー
... コメント : LED の𝑉 𝐹 は 𝐼 𝐿𝐿𝐷 によらずほぼ一定なので、 LED の調光制御は電圧制御というよりも 電流制御として捉えた方が本質的であろう (実際に LED ドライバの多くは定電流源として動作す る )。Fig.8 ではスイッチングにより𝑉 𝐿𝐿𝐷 および 𝐼 𝐿𝐿𝐷 の双方が断続的になっているが、イメージと しては LED に印加される電圧をスイッチングしているのではなく、LED に流れる電流をスイッ ...
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平成 30 年度 特許出願技術動向調査報告書 パワーアシストスーツ 平成 31 年 2 月 特許庁
... 日本は安全性、とりわけ転倒防止において他国に先んじて開発・権利化を進めている。日 本や海外における製品展開に当たっては、このような日本の優位な点を訴求ポイントとして 展開を進めるべきである。 また、アクチュエータにおいては、電動アクチュエータ、非電動アクチュエータ、無動力 （パッシブ）があり、日本国籍の出願人はいずれの区分においても他国より相対的に多くの ...
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目次 目次...1 リーダーシップを支えるえる影響基盤...2 パワーとは パーソナルパワーとポジションパワー パワー基盤 5 7 つのパワー基盤... 6 パワー意識診断表... 7 パワー意識診断表の使い方... 7 パワー基盤基盤ドライバ 課題レディ
... コネ コネ コネ コネ力 力 力： 力 ： ： ： レディネス・レベルがＲ１からＲ２に上がり始めても、まだ指示的行動が必要とされ るが、支援的行動を増やすことも、また重要になってくる。こうしたレディネス・レベ ルにある相手に有効な＜教示的＞、そして＜説得力＞リーダーシップ・スタイル は、リーダーにコネ力が備わっていると、さらに有効に作用する。このレディネス・レ ベルの人たちは懲罰回避に気を使い、有力者を結びついて利益を図ったりし易い ...
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次 1. はじめに 2. スマートデバイスの普及とセキュリティ対策 3.SIM 活 技術の紹介 4. 許可証 で広がるスマートデバイスの利 5. 今後の展望
... ※当資料に記載されている会社名または製品名は、それぞれ各社の商標または登録商標です。 SIMを基点とした重要アプリケーションの保護技術 〜あなたの取引を安全に守ります。〜 ご清聴ありがとうございました。 ...
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グリーンパワーIC ─平成22年度特許出願技術動向調査の紹介─ 「特技懇」誌のページ（特許庁技術懇話会 会員サイト）
... 現在のパワーデバイスの市場は、半導体市場約3000億ド ルのうち、約 130 億ドル（約 4.3％）を占めるに過ぎない。 しかし、半導体市場はそれを基礎として約20倍規模のサー ビス産業市場を産み出す。この関係をパワーデバイス市場 に当てはめると、パワーデバイスを礎としたサービス産業 の市場は約2600億ドルとなる。新材料の製品化が進めば新 ...
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電子デバイスの純水スプレー洗浄工程における静電気発生防止技術の開発
... 瀬川大司、小林義典、宮地計二（旭サナック （株） ） 研究成果の概要 半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハ基材上のナノメートルオーダの異物除去の必要性から、製造 工程の 1/3 は洗浄工程と言われている。半導体デバイスは 1 バッチ 25 枚の単位で、アンモニア水、過酸化水素水、 塩酸等に加温した薬品に、順次浸漬させる RCA 洗浄方式が一般的であった。しかし最近では、環境負荷の低減や半 ...
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コンシューマデバイス安全規格の概要と規格策定の方法論 ( 独 ) 産業技術総合研究所 セキュアシステム研究部門 (RISEC) システムライフサイクル研究グループ (IPA/SEC コンシューマデバイス安全標準化 WG 副主査 ) 田口研治 産業技術総合研究所
... FP7 OPENCOSS プロジェクトの External Advisory Board Member IPA/SECコンシューマデバイス安全標準化WG 副主査 【専門分野】 ＋ 高信頼システム開発方法論（形式検証、国際規格における認証、システム保証） ...
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