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高出力ダイオード、サイリスタ

半導体 Product Listings 整流器 ショットキー ( シングル デュアル ) 標準 高速 超高速リカバリー ( シングル デュアル ) ブリッジスーパーレクティファイア (Superectifier ) シンターグラスアバランシェダイオード 高出力ダイオード サイリスタ高出力 高速リカ

半導体 Product Listings 整流器 ショットキー ( シングル デュアル ) 標準 高速 超高速リカバリー ( シングル デュアル ) ブリッジスーパーレクティファイア (Superectifier ) シンターグラスアバランシェダイオード 高出力ダイオード サイリスタ高出力 高速リカ

... 車載電源供給ラインの一次保護(ロードダンプ) 電子制御ユニット、センサー、エン ターテインメントシステムなどの 車載電子機器は、一つの電源供給 ラインに接続されます。これらの 電子機器の電源はバッテリーとオル タネータですが、いずれも出力電圧 は不安定で、温度や動作状態、その他 の条件に左右されます。その上、燃 料噴射器やバルブ、モーター、電気 やハイドロ制御など、ソレノイド負 荷を利用する車載システムから伸び ...

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< DIPIPM > SLIMDIP-L トランスファーモールド形絶縁形 [ 外形 ] [ 主回路構成及び定格 ] DC 入力, 三相 AC 出力インバータ,N 側 3 相出力 600V,15A (RC-IGBT 内蔵 ) 制限抵抗付きブートストラップダイオード内蔵 N 側 IGBT オープンエミッ

< DIPIPM > SLIMDIP-L トランスファーモールド形絶縁形 [ 外形 ] [ 主回路構成及び定格 ] DC 入力, 三相 AC 出力インバータ,N 側 3 相出力 600V,15A (RC-IGBT 内蔵 ) 制限抵抗付きブートストラップダイオード内蔵 N 側 IGBT オープンエミッ

... れることになります。過熱保護のためだけに本出力を使用し、室温以下の出力が不要な場合、プルダウン抵抗は接続不要です。 (3) V OT 出力は温度が上昇した際にマイコンの電源電圧を超える可能性があります。3.3V 低電圧マイコンなどを使用される場合は、マイコン などの保護のため、V OT 出力をマイコンなどの電源(例 3.3V)の間にクランプダイオードの設置を推奨いたします。 (4) ...

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パワー・ダイオードの特性

パワー・ダイオードの特性

... • 理由:ターンオン時から定常状態へ向けてN(i)領域の抵抗変化 ターンオン時抵抗:N(i)領域への不充分な少数キャリア注入 定常時低抵抗:N(i)領域への充分な少数キャリア注入 • リバース・リカバリー特性 ...

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ダイオードの使い方(1)

ダイオードの使い方(1)

... 1.5 ダイオードと三端子レギュレータの活用 1.5.1 三端子レギュレータ IC の保護 下図は、三端子レギュレータ IC で定電圧回路を構成した回路で、一般的にリップルを小 さくするためや、IC の発振を防ぐために、入出力にコンデンサが付けられる。ここで出力 側に容量な大きなコンデンサ C2 がある場合、入力側の電圧がゼロになると、IC には通常 ...

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LTC 電源ダイオードOR電流平衡コントローラ

LTC 電源ダイオードOR電流平衡コントローラ

... EN1 、EN2:イネーブル入力。対応する電源のシェアリングおよ びダイオード制御を有効にするには、このピンを0.6Vより低い 電圧に保持します。このピンをHighに駆動すると、MOSFET のゲートが遮断されます(遮断後もMOSFETのボディ・ダイ オードを通して電流が流れる可能性があります)。コンパレー タには8mVのヒステリシスが組み込まれています。両方のEN ...

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NJM45001 電力線通信用アナログフロントエンド IC 特長 高機能 高温検出及び保護 出力電流制限機能付き 送信ドライバアンプと低ノイズ受信アンプを内蔵 高性能送信ドライバアンプ 高出力電流 : 3A typ. 電力線が低インピーダンス ( 例 :1Ω) においても高出力が得られます 低歪み

NJM45001 電力線通信用アナログフロントエンド IC 特長 高機能 高温検出及び保護 出力電流制限機能付き 送信ドライバアンプと低ノイズ受信アンプを内蔵 高性能送信ドライバアンプ 高出力電流 : 3A typ. 電力線が低インピーダンス ( 例 :1Ω) においても高出力が得られます 低歪み

... 送信出力には雷サージ保護の為に保護ダイオードを接続する必要があります。このサージ保護ダイオードには低リーク電流の ダイオードを使用ください。目安としては全温度範囲で 1μA 以下です。送信アンプ OFF 時、送信出力インピーダンスに なります。保護ダイオードによるリーク電流に寄って出力の DC ...

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RB511SM-30 : ダイオード

RB511SM-30 : ダイオード

... 意図して設計・製造されております。従いまして、極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、 身体への危険若しくは損害、又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置(医療機器 (Note 1) 、輸送機器、 交通機器、航空宇宙機器、原子力制御装置、燃料制御、カーアクセサリを含む車載機器、各種安全装置等)(以下「特 定用途」という)への本製[r] ...

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JT-60ジャイロトロンで高出力運転の世界最長記録(1

JT-60ジャイロトロンで高出力運転の世界最長記録(1

... 3 さらに、本手法で作成した3次元モデルは、既存のVRシステムを用いて表示することが可能で す。図6は、上述のフォトグラメトリー技術を用いて1Fサイト内にある廃棄物置場を3次元モデル 化し、そこに小型軽量コンプトンカメラで取得した放射線分布画像を重ねてステレオ表示したもの です。市販のVRゴーグルを用いることによって、作業現場の様子や線量率箇所の存在を体感 ...

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特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

... デュアルエナジーイメージングとは、エネルギーと低エネルギーの 2つの異なるX線エネルギーを利用して、1回のスキャンで2種の データを取得し重ね合わせる撮像方式のことです。上段には低エネルギー用、下段にはエネルギー用のシンチレータ付フォトダイオー ドアレイを配置します。複数配列することによりデュアルエナジー用ラインセンサとしても利用できます。 ①上段、下段に S12363シリーズを用いる場合 ・【上段】 ...

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NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ

NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ

... 無効電流 I Q V IN =9V, I O =0mA - 2.0 6 mA 出力電圧温度係数 ΔV O /ΔT V IN =9V, I O =1mA - 0.2 - mV/°C リップル除去比 RR 6V< V IN <16V, I O =40mA, e in =1V P-P , f=120Hz 43 73 - dB 出力雑音電圧 V NO V IN =9V, BW=10Hz~100kHz, I ...

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LT シャットダウン機能付き、135μa、14nV/√Hz、レール・トゥ・レール出力、高精度オペアンプ

LT シャットダウン機能付き、135μa、14nV/√Hz、レール・トゥ・レール出力、高精度オペアンプ

... LT ® 6010 は、低ノイズと精度入力性能に低消費電力と レール・トゥ・レール出力振幅を組み合わせたオペアン プです。 入力オフセット電圧は 35µV 未満に調整されています。 低ドリフトと優れた長期安定度により、全温度範囲と時 間範囲で精度が保証されます。さらに最大 110pA の入 力バイアス電流と最小 120dB の電圧利得により、この ...

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ダイオード中小型編 応用上の注意

ダイオード中小型編 応用上の注意

... パルスが印加されるとダイオードの順方向電圧降下は定常値 V F よりも瞬時的に高くなり、定常状 態よりも大きな電力消費をすることになります。(図 2.6 参照) これは、立ち上がりの急峻なパルスが印加された場合、瞬時的にキャリアが蓄積されて導通状態と なりえず、ある一定の時間を経過することが必要とされ、その間ダイオードは順方向であっても抵 抗の状態にあります。この現象をフォワードリカバリ ...

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LT1366/LT1367/LT1368/LT デュアル/クワッド高精度レール・トゥ・レール入力/出力オペアンプ

LT1366/LT1367/LT1368/LT デュアル/クワッド高精度レール・トゥ・レール入力/出力オペアンプ

... 標準的応用例 せます。R9は直接的には補償の一部ではありませんが、オペア ンプ出力をQ1の大きなゲート容量からデカップリングします。 第二のループはフォルドバック電流を制限します。A2はR1両 端のセンス電圧と、正レールを基準とする50mVとを比較しま す。センス電圧が基準電圧を超えたときは、A2の出力がA1を 介してQ1のゲートを正にドライブします。電流制限時には出力 ...

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フォトダイオードモジュール C10439 シリーズ 精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 フォトダイオードモジュール C10439 シリーズは フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます ま

フォトダイオードモジュール C10439 シリーズ 精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 フォトダイオードモジュール C10439 シリーズは フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます ま

... ・ 使用するフォトダイオード、光ファイバ、ファイバアダプタによっては、全光量モニタができない場合があります。光学設計にご 注意のうえ、選定してください。 A12781-01 (FC型光ファイバ用) A12781-02 (SC型光ファイバ用) 16 8 2 ...

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低転位GaN 基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード

低転位GaN 基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード

... これまでに研究・開発された GaN を用いたパワーデバ イスでは、サファイア、SiC 等の異種基板上でエピタキ シャル成長されていたため、主に横型のデバイスしかでき なかった。しかし Si や SiC などの既存の大電力用途のデバ イスは縦型が主である。これは、配線、パッケージングの 容易さ、高い面積効率を有するなどの理由から横型に比べ 縦型が大電流・電圧デバイスに有利なためである。GaN ...

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CONENS 用語説明 素子の選び方 パワーモジュール モジュール製品の特長 品名のつけ方 ダイオード / 高速ダイオード / ショットキーバリアダイオード ソフトリカバリー高速ダイオード 5 高速ダイオード 5 ショットキーバリアダイオード 5 整流ダイオード 5 三相整流ダイオード DFN シリ

CONENS 用語説明 素子の選び方 パワーモジュール モジュール製品の特長 品名のつけ方 ダイオード / 高速ダイオード / ショットキーバリアダイオード ソフトリカバリー高速ダイオード 5 高速ダイオード 5 ショットキーバリアダイオード 5 整流ダイオード 5 三相整流ダイオード DFN シリ

... ■ サイリスタ リード挿入型 標準品 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 10 リード挿入型 感度品 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 10 表 面 実 装 型 標準品 ...型 感度品 ...

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LM7171 高速、高出力電流、電圧帰還型オペアンプ

LM7171 高速、高出力電流、電圧帰還型オペアンプ

... 性能について LM7171 は、高速な電圧帰還型オペアンプです。わずか、6.5mA の消費電流で、4100V/μs の高速なスルーレートと、200MHz の 広いユニティ・ゲイン帯域幅を実現します。また、小さい微分利 得、微分位相や、出力電流のような特長も兼ね備えています。 LM7171 は、電圧帰還型オペアンプであり、低い反転入力イン ピーダンスと高い非反転入力インピーダンスをもつ電流帰還アンプ ...

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高出力・高効率純緑色レーザ

高出力・高効率純緑色レーザ

... ライド気相成長(HVPE ※4 )法により作製した。伝導性は n 型で、転位密度は 1 ×10 6 cm -2 以下である (12) 。この基板 上に有機金属気相成長(OMVPE ※5 )法によりレーザ構造 のエピタキシャル層を成長した。まず、n-GaN バッファ層 を成長した後、n-InAlGaN クラッド層、n-InGaN ガイド 層、InGaN 量子井戸発光層、p-AlGaN 電子ブロック層、 p-InGaN ...

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CONTENTS 用語説明 素子の選び方 パワーモジュール モジュール製品の特長 品名のつけ方 ダイオード / 高速ダイオード / ショットキーバリアダイオード サイリスタ ディスクリート ディスクリート製品の特長 品名のつけ方 トライアック サイリスタ 10

CONTENTS 用語説明 素子の選び方 パワーモジュール モジュール製品の特長 品名のつけ方 ダイオード / 高速ダイオード / ショットキーバリアダイオード サイリスタ ディスクリート ディスクリート製品の特長 品名のつけ方 トライアック サイリスタ 10

... 三相サイリスタ(半波)PWBシリーズ NON-ISO di/dt:50A/μs,V GT :2V (25℃) ,Tj (max) :150℃ Type V DRM V / V RRM A I T(AV) ℃ A I T(RMS) ℃ A (60Hz) I TSM A I 2 2 t s V/μs dv/dt (150℃) mA (25℃) I GT V (25℃) V TM I mA DRM (150℃) /I RRM ...

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コヒーレント光通信用+18dBm高出力波長可変レーザモジュール

コヒーレント光通信用+18dBm高出力波長可変レーザモジュール

... 5. 結 言 デジタルコヒーレント光通信用の通信機器に密度実装 可能な小型の波長可変光源としてMicro-ITLAを開発し た。新開発のレーザチップを用いることで低消費電力を実 現しつつ業界トップの+18dBm光出力を達成した。合わ せて100Gbit/s以上の大容量通信に必要とされる300kHz 以下の有効線幅も実現した。今後更に加速する情報通信量 の増加に応えられるキーデバイスとなることを期待する。 ...

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