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金属シリコンを高純度多結晶シ

太陽光による水分解を高効率化するナノコンポジット結晶を開発 研究活動 | 研究/産学官連携

太陽光による水分解を高効率化するナノコンポジット結晶を開発 研究活動 | 研究/産学官連携

... ◆ 酸化物薄膜の中に金属ナノ柱状構造自己集積化するプロセス開発した。 ◆ 光触媒利用した水の電気分解の電極となる金属ナノ柱状結晶析出させることによっ て水の分解効率が著しく向上した。 ◆ 本プロセスは効率なエネルギー変換材料やデバイスの作製に役立ち、 二酸化炭素排出 ...

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微視結晶組織を制御した金属ナノ構造とその表面プラズモンの光学特性に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ

微視結晶組織を制御した金属ナノ構造とその表面プラズモンの光学特性に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ

... 光損失の要因となる。このため、結晶金属薄膜に替わって、格子欠陥の少ない単結晶 金属薄膜の積極的な利用が求められている。一方で、可視光領域における高い透明性 持つ基板は、様々なアプリケーションへの応用が期待できる。したがって、透明性が ...

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革新的超硬質材料の創製 ~バインダレス ナノ多結晶ダイヤモンド・ナノ多結晶cBN~

革新的超硬質材料の創製 ~バインダレス ナノ多結晶ダイヤモンド・ナノ多結晶cBN~

... 特 集 我々は、非常に硬くて強靭な革新的超硬質材料:ナノ結晶ダイヤモンドとナノ結晶cBN(cubic Boron Nitride)開発した。超 圧高温下での直接変換焼結法と呼ばれる独自の新製法により創製した、従来の焼結体や単結晶とは全く異なる形態の新材料である。非 ...

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屋外環境下における I-V 特性測定方法ガイドライン ( 結晶シリコン太陽電池版 ) 2016 屋外環境下における I-V 特性測定方法ガイドライン ( 結晶シリコン太陽電池版 ) 1. 適用範囲この測定方法は 増加する 50kW 未満の太陽光発電所における点検方法の内 接続箱からストリング単位で

屋外環境下における I-V 特性測定方法ガイドライン ( 結晶シリコン太陽電池版 ) 2016 屋外環境下における I-V 特性測定方法ガイドライン ( 結晶シリコン太陽電池版 ) 1. 適用範囲この測定方法は 増加する 50kW 未満の太陽光発電所における点検方法の内 接続箱からストリング単位で

... 測定も必要となり、簡単には測定が出来ない状況であった。 この様な状況の中で、近年国立研究開発法人産業技術総合研究所(以下、産総研と言う。)の NEDO 研究開 発プロジェクトにおける研究成果から低照度下においても日射変動の影響受けることなく、太陽電池モジュー ルの精度な I-V 特性測定可能とする研究成果が報告されている(詳細は、PVTEC ニュース Vol72 の「特集 ...

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機械研磨加工がシリコン単結晶の微構造に及ぼす影響

機械研磨加工がシリコン単結晶の微構造に及ぼす影響

... シリコン (Si)単結晶はマイクロシステム(MEMS)応用において構造材料として使用されるようになってきたが、そ の機械加工についての基礎データは十分ではない。またシリコン結晶純度で極めて完全性の高い結晶構造有 ...

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モジュール 造技術 ( ラ ネート 配線技術など ) 結晶 S 系太陽電池 ( 単結晶 多結晶 ) 住 用民生用公 用メ ソーラー 薄膜 S 系太陽電池 ( 非晶 結晶 ) ( 半導体材料 属電極材料 明電極 材料 ) 化合物結晶系太陽電池 (Ⅲ- GaI P ) 化合物薄膜系太陽電池 (CIS/C

モジュール 造技術 ( ラ ネート 配線技術など ) 結晶 S 系太陽電池 ( 単結晶 多結晶 ) 住 用民生用公 用メ ソーラー 薄膜 S 系太陽電池 ( 非晶 結晶 ) ( 半導体材料 属電極材料 明電極 材料 ) 化合物結晶系太陽電池 (Ⅲ- GaI P ) 化合物薄膜系太陽電池 (CIS/C

...  このため 2010 年に入ってからは、買取価格短期的に 見直すことが行われ、買取価格も大幅に下げた。その結果、 2011 年の設置量は 2010 年と同レベルにとどまった。一方 で、太陽光発電システムの価格は下がり続け、2012 年の 第2四半期には1,776ユーロ/kW(約17万円/kW)に達した。 それ受け、2012 年 6 月には、FIT 制度の修正法案が成立 し、買取価格 20 ...

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微視結晶組織を制御した金属ナノ構造とその表面プラズモンの光学特性に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ

微視結晶組織を制御した金属ナノ構造とその表面プラズモンの光学特性に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ

... 第4章では、SiO 2 基板上へのAg結晶粒成長のメカニズム解明した。ここでは、成膜中の 基板温度と膜厚操作することで結晶粒のサイズ制御し、基板温度500ºC/膜厚450 nmの とき、最大直径約700 nmの柱状単結晶達成した。さらに、成長した単結晶粒内に、FIB ...

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ポイント ガラス-シリコン-ガラスの3 層構造を持つ高剛性なマイクロ流体チップを用いることで 16 マイクロ秒 (1 マイクロ秒は 100 万分の1 秒 ) の高速な流体制御に成功しました 本技術を応用することで 世界最高レベルの細胞分取性能 ( 高速 高純度 高生存率 ) を実現しました 図 1

ポイント ガラス-シリコン-ガラスの3 層構造を持つ高剛性なマイクロ流体チップを用いることで 16 マイクロ秒 (1 マイクロ秒は 100 万分の1 秒 ) の高速な流体制御に成功しました 本技術を応用することで 世界最高レベルの細胞分取性能 ( 高速 高純度 高生存率 ) を実現しました 図 1

... さらに、開発した高速流体制御技術用いて、オンチップセルソーター構築し、細胞の分取 行いました。大きな藻類細胞の分取の例として、ミドリムシとマイクロビーズ 1:1 の割合で混 合した溶液の中からミドリムシのみ分取する実験行いました。ミドリムシの分取の様子図 4(a)に示します。ミドリムシの分取実験の結果、成功率 ...

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1.1 市場投入される太陽電池の商品化状況 単結晶 Si 大規模商業生産 多結晶 Si 大規模商業生産 シリコン リボンSi アモルファスSi 小規模 ~ 中規模商業生産 小規模 ~ 中規模商業生産 多結晶 Si 薄膜 小規模商業生産 球状 Si 研究開発段階 ~ 商業生産準備中 太陽電池 III-

1.1 市場投入される太陽電池の商品化状況 単結晶 Si 大規模商業生産 多結晶 Si 大規模商業生産 シリコン リボンSi アモルファスSi 小規模 ~ 中規模商業生産 小規模 ~ 中規模商業生産 多結晶 Si 薄膜 小規模商業生産 球状 Si 研究開発段階 ~ 商業生産準備中 太陽電池 III-

... ③市場シェア: 2012年までの世界の太陽電池/モジュール市場の10%のシェアの獲得 • 普及拡大方策:補助金、フィードイン・タリフ制度導入、新築公共建築物での再生可能エ ネルギー利用義務 • 国家研究開発プログラム策定、韓国太陽光発電開発機構(KPVDO)設立、産官学の連 携による研究開発の強化 ...

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地球の金属核のシリコン含有量を解明 研究活動 | 研究/産学官連携

地球の金属核のシリコン含有量を解明 研究活動 | 研究/産学官連携

... ・ 上の結果もとに高温の原始太陽系星雲が冷えていく際の凝縮分別考えると,す べての隕石 ( 火星,月由来のものも含む ) と現在の地球岩石部分の化学組成とシリコ ン同位体比は,調和的に説明できる。 ・ 凝縮分別モデル使うと,核持つ各種天体の岩石部分の Mg/Si 比とシリコン同位 体比からその天体のバルク化学組成 (Mg/Si 比 ) ...

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(1) 黒川康良研究者 量子ナノ構造を利用した新型高効率シリコン系太陽電池の開発 本研究課題は シリコンナノワイヤ (SiNW) の量子サイズ効果を利用するもので 金属誘起エッチング法 (MAE Metal Assisted Etching 法 ) により作製される SiNW の超極細線化技術の確立

(1) 黒川康良研究者 量子ナノ構造を利用した新型高効率シリコン系太陽電池の開発 本研究課題は シリコンナノワイヤ (SiNW) の量子サイズ効果を利用するもので 金属誘起エッチング法 (MAE Metal Assisted Etching 法 ) により作製される SiNW の超極細線化技術の確立

... 、 効 率 化 へ の 検 討 ま で 進 ん で い る 点 は 非 常 に 良 い 。 10mA/cm 2 の電流と ...成長実現し、これにパッシベーション層 付加することにより、マイクロ秒以上のライフタイム実現しており大きな成果あげていると いえよう。 ...

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切断加工したシリコン単結晶の強度に及ぼす後加工の効果

切断加工したシリコン単結晶の強度に及ぼす後加工の効果

... 研究成果の概要 シリコン (Si)単結晶はマイクロシステム(MEMS)応用において構造材料として使用されるようになってきたが、その 機械的性質についての基礎データは十分ではない。またシリコン結晶純度で極めて完全性の高い結晶構造有 ...

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博士論文 パワー半導体製造工程における高温熱処理と シリコン結晶欠陥の研究 A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power semiconductor manufacturing process

博士論文 パワー半導体製造工程における高温熱処理と シリコン結晶欠陥の研究 A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power semiconductor manufacturing process

... 型デバイスであるGTO(Gate Turn Off)サイリスタやBJT(Bipolar Junction Transistor:バイポーラパワートランジスタ)が開発された。 1970年代には、絶縁ゲートによる電圧制御のパワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体電界効果 ...

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資源循環 エネルギーミニマム型システム技術 平成 12 年度採択研究代表者 小林光 ( 大阪大学産業科学研究所教授 ) 新規化学結合を用いるシリコン薄膜太陽電池 1. 研究実施の概要昨年度までの研究で シアノイオン (CN - ) は シリコン中 ( 特に多結晶シリコンやアモルファスシリコン中 )

資源循環 エネルギーミニマム型システム技術 平成 12 年度採択研究代表者 小林光 ( 大阪大学産業科学研究所教授 ) 新規化学結合を用いるシリコン薄膜太陽電池 1. 研究実施の概要昨年度までの研究で シアノイオン (CN - ) は シリコン中 ( 特に多結晶シリコンやアモルファスシリコン中 )

... 電池室温で2分間浸漬した。この処理の後、室温の超純水で10分間洗浄した。微結晶 シリコン太陽電池は、ガラス/TCO/微結晶p層/微結晶i層/微結晶n層/ZnO/Agの構造持 ち、微結晶i層の膜厚は約1μmである。HCN水溶液用いた欠陥消滅処理施した後に、 裏面電極形成した。 ...

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3.4 結晶系以外の太陽電池単結晶シリコン及び多結晶シリコン以外の材料を用いた太陽電池の総称である 3.5 結晶系太陽電池半導体材料として単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いた太陽電池をいう 3.6 太陽光発電設備光起電力効果によって太陽エネルギーを電気エネルギーに変換し 負荷に適した電力を供給す

3.4 結晶系以外の太陽電池単結晶シリコン及び多結晶シリコン以外の材料を用いた太陽電池の総称である 3.5 結晶系太陽電池半導体材料として単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いた太陽電池をいう 3.6 太陽光発電設備光起電力効果によって太陽エネルギーを電気エネルギーに変換し 負荷に適した電力を供給す

... 𝑉 𝑖,𝑑,𝑡 :日付𝑑の時刻𝑡における太陽電池アレイ𝑖の設置面における風速(m/s) 𝑄 𝑠,𝑖,𝑑,𝑡 :日付𝑑の時刻𝑡における太陽電池アレイ𝑖の設置面の単位面積当たりの日射量(W/m 2 ) 𝑓 𝐴,𝑖 、𝑓 𝐵,𝑖 :太陽電池アレイ𝑖における表 9.7 に定める設置方式に応じて表 9.6 より求まる係数 である。日付𝑑の時刻𝑡における外気温度𝜃 𝐴,𝑑,𝑡 は「年間日射量地域区分」における外気温度使用するものと ...

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ナノ多結晶ダイヤモンド球状圧子による微小破壊強度評価技術

ナノ多結晶ダイヤモンド球状圧子による微小破壊強度評価技術

... これと同様のプロセスで、ナノ結晶cBN(cubic Boron Nitride)も開発されており、鉄系材料の切削工具として利 用されている (2) 。 これらの超硬質なダイヤモンド関連材料機械加工用工 具に適用する場合、その材料の機械特性十分把握してお く必要がある。特に精密バイトやカッターなどの切削工具 においては、その性能左右する重要な因子として、工具 ...

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シリコン結晶化過程の分子動力学

シリコン結晶化過程の分子動力学

... 2.5 領域分割法 分子動力学法の計算はおおまかに三つの段階に分けられる.計算領域の中からカットオフ距離 内にある原子 i と原子 j のペア全て捜し出す Book Keeping ステップ,得られたペアの情報から それぞれの原子に働く力計算する力計算ステップ,そして時間積分のアルゴリズムに従って原 子の位置と速度更新する時間更新ステップである.通常の古典分子動力学法においては,この ...

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2. 実験方法 2.1 合金作製市販の純度 99.5% の電解鉄 99% のシリコン および 99.99% のアルミニウムを原料として用い 種々の組成を有する Fe Si Al 合金を溶製した 無方向性電磁鋼板では 高磁束密度の観点から Si や Al の含有量は合計で 4wt% 程度に制限されてい

2. 実験方法 2.1 合金作製市販の純度 99.5% の電解鉄 99% のシリコン および 99.99% のアルミニウムを原料として用い 種々の組成を有する Fe Si Al 合金を溶製した 無方向性電磁鋼板では 高磁束密度の観点から Si や Al の含有量は合計で 4wt% 程度に制限されてい

... の脆化改善し、機械的特性と磁気特性の両立する電磁鋼板作製のためには、 Fe– Si 合金への Al 含有は有効な手段と考えられ、種々の組成有する Fe–Si–Al 合金の変形・ 破壊挙動と磁気特性系統的に解明する必要がある。本研究では、種々の Al 含有量 有する結晶 Fe–Si–Al ...

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エネルギーを測る Ⅰ 半導体検出器 ( 高純度ゲルマニウム検出器 シリコンドリフト検出器 ) 伊藤真義 財高輝度光科学研究センター 兵庫県佐用郡佐用町光都 谷田 肇 財高輝度光科学研究センター 兵庫県

エネルギーを測る Ⅰ 半導体検出器 ( 高純度ゲルマニウム検出器 シリコンドリフト検出器 ) 伊藤真義 財高輝度光科学研究センター 兵庫県佐用郡佐用町光都 谷田 肇 財高輝度光科学研究センター 兵庫県

... 2.3 検出効率 検出効率は,Fig. 1 に示すように,低エネルギー側では X 線の検出器入射窓や半導体素子の不感部での吸収のた めに減少し,エネルギー側では X 線が素子透過する ため減少します。入射窓には,多くの場合ベリリウムが使 用されています。有機膜の窓や,窓なしで真空チャンバー 内に直接設置するタイプもあります。エネルギー側で は,半導体素子の原子番号 Z ...

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高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究

高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究

... 例えば、 PiN ダイオードに関して言えば、伝導度変調が生じる際に考慮すべきキャリア寿命は、熱 平衡状態における耐圧維持層の多数キャリア密度上回るレベル注入状態のキャリア寿命であり、一 方、スイッチング特性に関して、ターンオフ時の逆回復時間や損失議論する領域は、主に低レベル注 入状態のキャリア寿命が焦点となる [9]。すなわち、キャリア寿命の注入レベル依存性把握することは、 ...

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