結晶とアモルファスの
詳細な説明 研究の背景 フラッシュメモリの限界を凌駕する 次世代不揮発性メモリ注 1 として 相変化メモリ (PCRAM) 注 2 が注目されています PCRAM の記録層には 相変化材料 と呼ばれる アモルファス相と結晶相の可逆的な変化が可能な材料が用いられます 通常 アモルファス相は高い電気抵抗
... 呼ばれる、アモルファス相と結晶相の可逆的な変化が可能な材料が用いられま す。通常、アモルファス相は高い電気抵抗を有し、結晶相は低い電気抵抗を有 します。PCRAM では、異なる大きさの電気パルスを印加してジュール加熱する ことで相変化を可逆的に生じさせ、その変化に伴う電気抵抗変化を利用して情 報を記録します。現在、PCRAM ...
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1.1 市場投入される太陽電池の商品化状況 単結晶 Si 大規模商業生産 多結晶 Si 大規模商業生産 シリコン リボンSi アモルファスSi 小規模 ~ 中規模商業生産 小規模 ~ 中規模商業生産 多結晶 Si 薄膜 小規模商業生産 球状 Si 研究開発段階 ~ 商業生産準備中 太陽電池 III-
... • 「再生可能エネルギー利用行動白書（1997～2010）」、「欧州の持続可能エネルギーのた めのキャンペーン（ 2005～2008）」に基づく太陽光発電システムの導入活動 • 再生可能エネルギー普及拡大のための、技術開発、普及支援「第6次＆第7次枠組みプロ グラム」の実施 ...
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資源循環 エネルギーミニマム型システム技術 平成 12 年度採択研究代表者 小林光 ( 大阪大学産業科学研究所教授 ) 新規化学結合を用いるシリコン薄膜太陽電池 1. 研究実施の概要昨年度までの研究で シアノイオン (CN - ) は シリコン中 ( 特に多結晶シリコンやアモルファスシリコン中 )
... (1) 新規欠陥消滅法による太陽電池メーカー製造の微結晶シリコン太陽電池の高効率 pHを4、8、9、10に調整した4種類のHCN水溶液中にpin構造を持つ微結晶シリコン太陽 電池を室温で2分間浸漬した。この処理の後、室温の超純水で10分間洗浄した。微結晶 ...
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3.4 結晶系以外の太陽電池単結晶シリコン及び多結晶シリコン以外の材料を用いた太陽電池の総称である 3.5 結晶系太陽電池半導体材料として単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いた太陽電池をいう 3.6 太陽光発電設備光起電力効果によって太陽エネルギーを電気エネルギーに変換し 負荷に適した電力を供給す
... 3.25 太陽電池モジュールの標準太陽電池モジュール出力 公称最大出力又は標準太陽電池モジュール出力として定義される、製造業者の仕様書、技術資料等に記 載された太陽電池モジュール 1 枚当たりの標準試験条件における出力。測定方法は太陽電池モジュールの 種類に応じて、結晶系太陽電池の場合は JISC8918、 JISC8990 又は IEC61215 ...
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アモルファス合金設計のための短距離秩序構造の第一原理格子不安定解析
... Zr の場合，または外殻原子が Al のときだけ不安定 となり，他は安定であった．Al を外殻原子とするクラスターは全て不安定であったが， 不安定な Ti クラスターの中心を Al にすると安定となった．最後に，クラスター中の元 素割合を変えたときの安定性変化を調べるために，Cu ...
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半導体結晶の光学的評価：光学スペクトルから結晶を観る
... ７．フォノン・ラマン散乱 物質に光が入射すると、物質内の不均一性によって散乱という現象が生じる[22]。光散乱は、 大きく分けて、入射光と散乱光のエネルギーが等しい弾性散乱と、エネルギー変化が生じる非 弾性散乱に分類できる。弾性散乱をレイリー(Rayleigh)散乱と呼び、非弾性散乱をラマン ...
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分子動力学法によるアモルファスポリエチレンの押し込み挙動評価－押し込み速度・架橋点の効果
... ける微小領域での力学特性評価の必要性が増している [1] ．この微小領域における局所 的な力学特性の実験的評価法として，ナノインデンテーション試験が挙げられる．ナ ノインデンテーション試験は，局所の力学特性を容易に評価できるという利点があり， 高分子の分野でも数々の適用例がある．例えば，AFM（原子間力顕微鏡）を用いたナ ノインデンテーションでは，µN ...
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革新的超硬質材料の創製 ～バインダレス ナノ多結晶ダイヤモンド・ナノ多結晶cBN～
... 2. 開発コンセプトとアプローチ 工具用途に汎用されている焼結ダイヤモンド（以下、 Poly Crystalline diamond ：PCDと記す）や焼結cBN（以下、 Polycrystalline cubic Boron Nitride：PcBNと記す）は、ダイ ヤモンドやcBNの粉末をコバルトなどの金属や硬質セラミッ クスをバインダーとして圧力5-6 ...
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Dichloroterephthal –bis–4–n–pentylaniline の結晶と分子構造
... 合成 1mmol スケールで 2,5-ジクロロテレフタアルデヒドと倍 モルの 4- n -ペンチルアニリンを最少量のエタノール加え攪 拌し、 TLC で生成物のスポットを確認し、ほぼ定量的に得 られる。エタノールからの再結晶を繰り返して、収率は 60 から 70%となる。 ...
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結晶
... 3 の誘電率の温度変化に対する Ca 置換効果 を図４に示す。図中の CCT-x は Cd 1-x Ca x TiO 3 に対応してい る。図に見られるように、Ca 置換に伴って誘電率のピーク が低温側にシフトしており、これは強誘電相が Ca 置換に よって抑制されていること示している。ここで、誘電率ピ ...
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気相法によるZnSe 単結晶成長とその応用
... 。この方法は、輻射冷却を利用するこ とで、種結晶を局所的最低温度とすることにより熱的に安 定化し、再昇華によるボイド発生を抑制しようというもの である。石英アンプル下端に両端面を研磨したサファイア 製ロッドよりなる台座を配置し、種結晶は台座上に配置す る。台座としてサファイアを用いているのは、ZnSe 結晶 成長温度である約 1100 ...
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薄膜結晶成長の基礎4.dvi
... ) と呼び， 4.4 で見るように，ステップや微斜面の安定性に重要な寄与をする． 4.2 ラフニング転移温度以下での形の緩和 ラフニング転移より低い温度で，原子がステップに取り込まれて成長が起きるよう な状況での微結晶の結晶形，とくにファセットの緩和の問題を考える．特徴的な長さ ...
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分子動力学法による非晶・結晶PP/PEとグラファイト層界面のせん断シミュレーション
... にグラファイト壁 の凹凸によるせん断強度の違いをまとめて示した．まず，非晶 PP/PE，結晶 PP の 違いによるせん断強度の変化を見るため，aPP100，aPE200，cPP70 のせん断強度 を比較する．今回検証したどのシミュレーションモデルも，非晶 PP/PE は表面凹凸 がない系はせん断に対する抵抗はほぼ 0 ...
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エピタキシャル薄膜研究の広がり ( 私見 ) エピ膜と基板結晶の結晶構造が同じで格子定数が近いグループ 例 Si ホモエピ Diamond 型 エピ膜と基板結晶の結晶構造が同じであるが 格子不整合の程度が大きいグループ 例 Ⅳ-Ⅳ 族 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半導体 Diamond 型 Zincblende
... Si の 004 反射のロッキングカーブ幅は約 0.001 °（ 3.6 秒）であるが、上図に示した全てのピークの幅は、 全てこの数値よりも大きい。従って、上図に示したプロファイルは、 Si 単結晶基板の結晶性を表すロッキングカー ...
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テトラジマイト型Bi系トポロジカル絶縁体単結晶の輸送特性と超伝導に関する研究
... 3 の光電 子分光によって直接的にトポロジカル超伝導体の表面状態を明らかにした点は強いインパクトを与えた。 トポロジカル超伝導体の研究はフランスのグルノーブルとの共同研究に於いて主に実施され、また、超 ...
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量子アファイン環の結晶基底と両側セル
... $\bullet c=\sum_{i=0}^{n}a_{i}^{\vee}h_{i}$ $\bullet$ $\Lambda_{i}$ : 通常の基本ウェイト $(i\in I)$ $\bullet i\neq 0$ のとき $\varpi_{i}=\Lambda_{i}-a_{i}^{\vee}\Lambda_{0}$ $\bullet$ ただし $A_{2n}^{(2)}$ 型のときは , ...
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希土類-Coアモルファス薄膜の飽和磁化の温度依存性
... 1 項でも触れたが，低温において温度上昇に 伴う飽和磁化の低下が La の場合より著しいのは， 図 5 に示されているように Pr及ひ~Ndの副格子磁化 の減少によるものである。これらの場合にも， μCo をもう少しきめこまやかに調整すれば，理論と実験 結果を殆ど完全に合わせることができるが，ここで はその努力は省略されている。またここでも Curie 温度近傍での不一[r] ...
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分子動力学法によるアモルファスポリエチレン/グラファイト界面の剥離シミュレーション
... (flat) と 2π の正弦波凹凸では，わずかではあるが前者のほうが引力が大きい． 10π の表面凹凸では最大引力が著しく低下している．6π の周期でも最大引力は 2π より低下するが 10π よりは大きく，10π, 6π, 2π の順番で最大引力が大きくなってい る．つまりこれらから表面凹凸が小さいほうが界面強度が低下するという法則性が ...
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アモルファスＧｄ??Ｎｉ??合金の局所構造 : シンクロトロン放射光によるEXAFS測定
... 物質 は ,温 度が下が るに従 って ,気 体 ,液 体 ,固 体 とその相状態 を変化 させ る。 そして通常固体 の状態 にある物質 は ミクロに見 ると ,そ の原子配列 は広い範囲にわたって一定 の周期性 を持 った構 造 を示す。 これを長距離秩序 (LRO:Long Range Order)と い う。 ところが団体 の状態 にあるガ ラスには LROは [r] ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... 特別論文 得ることが出来た。 それに対して、1980 年台末から大きな進展を見たのが、 窒化ガリウム（GaN）を初めとする窒化物系の化合物半導 体である。これは、前述の化合物半導体と同じⅢ-Ⅴ族半導 体であり、Ⅲ族元素として Ga、In、Al からなるが、Ⅴ族 元素がそれまでとは違った N（窒素）で構成されている。 ...
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