半導体式（CZ）
項目 < 目次 > ページ 特長 3 概要 モータブレーカ 交流短時間引外し特性ブレーカ 4 三元特性ブレーカ 限流ブレーカ 5 瞬時引外しブレーカ 即時復帰式ブレーカ 6 変圧器保護用ブレーカ 半導体保護用ブレーカ 400Hz 用ブレーカ ノートリップスイッチ 三相 4 線式 (4 極 ) ブレー
... (2)三元特性付ブレーカによる選択遮断 一般ブレーカの瞬時動作開始電流は、定格電流の 10 倍程度です。一般ブレーカを主遮断器に配置した縦続接続方 式では、分岐遮断器の負荷側に発生する短絡電流が比較的小さい場合でも、分岐遮断器だけでなく、主遮断器の瞬 時素子が感応して直列遮断することがあります。三元特性ﾌﾞﾚｰｶは短限時素子を付加することによって、瞬時動作開 ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 3.5 開発した劣化モデル 3.5.1 最大電界関数モデル 3.3 節で、n-channel LDMOS の HCI による劣化現象は、ドレイン側ゲート端で横方向 の電界強度が集中してしまうことで劣化が生じると述べた。文献調査より、HCI によりオ ン抵抗が増加し、その原因は、横方向の最大電界と相関があると報告されており、このこと から、劣化現象を回路シミュレータで予測する際に、最大電界強度を求める必要だと言える。 ...
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定荷重式加圧装置を用いた“近藤半導体”CeRhAsの逐次構造相転移に対する圧力効果の研究
... 小型定荷重式加圧装置の開発と 近藤半導体CeRhAsの熱電能の圧力効果 第45回高圧討論会（立命館大びわこ・くさつキャンパス 平成16年10月9日） 梅尾 和則, 笹川 哲也, 高畠 敏郎, 山本 周平 A ...
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半導体デバイスの信頼性
... 配線の電流密度が高い箇所で Al の移動が顕著となるため、配線の一部が断線する。この効果は電流 密度と温度により加速され、寿命は以下の式で示される。 図Ⅲ-10 に Al 配線のエレクトロマイグレーションの例を示す。FET のソース・ドレイン電極を共通にし、 負電極とし、ゲート電極を正電極として順方向電流を流した結果である。Al 配線が断線しているのが分 かる。 ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... （和文）：窒化アルミニウム（AlN）などの窒化物半導体は，次世代の発光素子，太陽電池およびハ イパワー半導体素子として注目されているが，素子の性能を最大限に発揮させるための高品質 AlN 結晶基板の開発が急務である．本研究では，熱力学的な学理に基づく新たな液相成長法を 開発し，高品質 AlN 結晶膜を作製した．スパッタ法やアニール法にも取り組み，結晶品質を高める ことにも成功した．また，新たなバルク AlN ...
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半導体工学の試験範囲
... １－１．購入した Si ウェハーの伝導型を答えよ。さらに、その理由を述べよ。 １－２．イオン注入に使用した不純物は何族に属する元素か。さらに、その理由を述べ、元素名を 1 つ挙げよ。 このように形成した pn 接合は階段接合とみなせる。イオン注入し、Si と置き換わった不純物 の密度を N I とすると、印加電圧（ V ）に対して接合容量（ C ( V ) ）は以下の式で表せる。 ...
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中国上海・蘇州地域における半導体産業集積
... 業園区でIC設計関連業務を行なう日系企業によれば，新卒の技術者では平均月給 2,500 人 民元程度で，ボーナスを入れて年収 3 万～4 万人民元ほどである。これが 5 年ほどの経験 を積むと月給 5,000～6,000 人民元，ボーナスを入れて年収 8 万人民元程度になる。また， 同社によれば，同じ長江デルタ地域でも，上海ではさらに給与の相場が高騰するという。 ...
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ディスクリート半導体の基礎
... V DSS =600V の場合、 R drift >> R ch > R J-FET , R N+ , R sub となり R drift でR DS(ON) は決定されますが、 V DSS =30V の場合、 R ch >> R drif t > R N+ , R sub となりトレンチMOSによる微細化でR DS(ON) を下げる事が出来ます。 ① ...
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[NE ハンドブックシリーズ] パワー半導体
... 広がるため、増やすことができる。例えば、三菱電機の 従来の鉄道車両向けシステムでは、時速35～40kmを超 えた速度で走行している場合、機械式ブレーキと回生ブ レーキを併用していた。回生ブレーキだけだと、Si製パ ワー素子の損失が大きくなり、同素子の接合温度が急上 昇し、許容温度を超えてしまう恐れがあるからである。 SiC製パワー素子であれば、Siよりも許容温度が高いの で、 ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... 的に向上した結果、その価格も（情報量あたりでは）紙よりはるかに安くなった。今日の 半導体も、基本的にはプレーナ技術にもとづいており、これが今日の情報産業を可能にし た最大の汎用技術ということができよう(Langlois 2002)。初期のコンピュータは、トランジ スタや抵抗器などをプリント基板に配置し、多くの基板をラックに入れてひとつのマシン を構成する方式だったため、「計算能力はコストの 2 ...
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通信用半導体レーザの開発
... 2 − 3 全 OMVPE 成長量子井戸レーザの開発 当社に おける、MQW 構造を用いた高性能レーザの開発は、地域 網やアクセス網に使われる光データリンクへの搭載を目的 にして、1.31µm のファブリ・ぺロレーザ（FP ： Fabry- Perot）からスタートした。デバイスの模式図を図 3 に示す が、組成の異なる GaInAsP で構成される MQW 構造活性層 を成長後に、導波路ストライプをマスクとしてメサ状に ...
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半導体技術分野の重要技術説明資料
... の熱トポ記録から、元々高速記録可能な記録方式（例えば、磁性媒体へのスピン注入記録方 式、記録信号読出しは GMR／TMR 再生等）へ変更すると、大容量で且つ 1 プローブ当たり でも非常に高速な記録が可能となる。 これが実現すれば超小型 HDD またはフラッシュメモリ の一部または全てを置き換えてしまう可能性もある。 ...
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Microsoft PowerPoint - 第2回半導体工学
... 炭素と水素の結合 メタンの例 Q：メタンの分子式はCH 4 である。炭素原子の中で， 結合に寄与している電子の量子状態を答えなさい。 また，下記の図は炭素 Cの基底状態の電子配置であ ...
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半導体レーザを用いた音波検出に関する研究
... レンズ側のシリンダにはレンズが接着してあり、LD 側 との固定をネジ式とすることで LD とレンズ間の距離を 変更することが可能で、発振させたレーザ光の集光距離 を調整でき、これにより平行ビーム調整を簡略化した。 自己結合効果による音波検出は振動に弱く、反射板が 音によって振動し、戻り光量が変化してしまう欠点があ る。そこで反射板は上下左右にネジ式で可変可能なマグ ...
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半導体洗浄技術
... 関 と I M EC の 出 資 に よ る I M EC I nc ubat i on F und( I I F ) を 1997 年 に 設 立 し て い る 。 I M EC の 研 究 領 域 の ひ と つ に 、 「 CM O S- bas ed nanoel ec t r oni c s 」 が あ り 、 そ の 中 の 「 U l t r a- c l ean pr oc es s i ng」 と い う 研 究 プ ...
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設定 測定及び 記録に関する設定を います インストール直後は以下の設定になっています 測定方式測定方式を以下の3つのモードより選択します 1. 半導体 + 電気化学式センサー半導体センサーにてアルコール反応の有無をチェックし 反応ありの場合は電気化学式センサーで詳細な測定を います 通常はこのモー
... → 測定開始時に、アルコール検知器が接続されていない場合に表示されます。 → PCとの接続を確認し再度測定を⾏って下さい。 → 測定中に上記エラーが頻発する場合は、ケーブルの劣化等が考えられます。 (3) 「半導体センサーエラーです。センサーを交換して下さい。」 ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 基本的な動作原理を説明するために、図 6 に QCL 活性層 のバンド構造模式図を示す。活性層は、サブバンド間の遷 移によって光子を放出する発光層と、トンネル効果により キャリアを輸送する注入層の二つの領域が一つの単位構造 を形成し、これが多段に連なっている。まさしく、階段状 に連続した滝（カスケード）のように、キャリアが各段を 流れ落ちる際に、光学的な利得が生じることにより、レー ザ発振する。この構造は、n 型（p ...
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RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... ９０年代における我が国半導体産業の国際競争力の低下要因として、研究開発部門におけ るイノベーション能力の低下やそれらをもたらした経営判断の遅れが強調されることが多い。 たしかに、これらの主張には真に迫るところがある。ところが、我が国半導体デバイスメーカーを 詳細に観察してみると、研究開発部門のみならず、あるいは、それ以上に製造部門や生産技術 ...
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半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2002 年度 STRJ ワークショップ 3 月 3 日 青山フロラシオン STRJ 委員長 増原利明 1 半導体産業とロードマップの歴史 2 ロードマップの予測するコスト増大要因 3 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは 4 まとめ 半導体産業 技術
... ３ 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは ３ 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは ３ 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは ３ 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは ...
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半導体レーザによる降雪センサの開発
... 半導体レーザによる降雪センサの開発 Development of Snowfall Sensor by Semiconductor Laser 牧野智也 ✝ ，津田紀生 ✝ ✝ ，山田諄 ✝ ✝ ，民田晴也 ✝ ✝ ✝ Tomoya Makino, Norio Tsuda, Jun Yamada, Haruya ...
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