半導体/デバイス
ワイドバンドギャップ半導体デバイスの高性能化及び新規プロセス開発 利用統計を見る
... 研究背景 半導体デバイスは、我々の日常生活に存在し大きな影響を与えている。コンピュー タはもちろんのこと、携帯電話、電卓、時計、カメラ、家庭用電気製品、クレジット カードや身分証明書などあらゆるものに入り込んでおり、その消費量は益々増大する と予想される。コンピュータの心臓部は CPU（central processing unit : 中央演算装置） ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 研究分野：電気電子材料、品質工学 キーワード：半導体デバイス、超音波洗浄、ポリエスチレンラテックス (PSL)粒子、洗浄、純水、エレクトロスプレー 1．研究開始当初の背景 近年、半導体デバイスの微細化が進み ITRS(International Technology Roadmap of Semiconductor)2.0 によると 2020 年 に DRAM (Dynamic ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 半導体デバイス洗浄工程において、ウェハを回転させな がら、純水をウェハ滴下するスピン洗浄がある。この時、 モータの回転時に生じる磁場によって、モータの中央部の 純水が帯電し、静電気障害を起こしていると思われる事象 が起きている。この対策は現場の経験的なもので行われ、 真の原因解決には至っていない。本研究では、生産現場で 起きている現象を再現し、純水が磁場の影響によって帯電 ...
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インパルスモデルに基づくパワー半導体デバイスの損失計算手法
... インパルスモデルに基づくパワー半導体デバイスの損失計算手法 〈3･3〉 従来計算式との比較 表１は従来の近似的な計算との比較である。開発した手 法は，従来の方法に対して IGBT モジュール損失（総合損 ...
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化合物半導体デバイス―限りなき可能性を求めて（その2）―
... ワイドバンドギャップ半導体は、表 1 に示すように、Si に比べて広いバンドギャップを持った半導体であり、SiC、 GaN などはそのバンドギャップは、Si に比べて約 3 倍と大 きい。広いバンドギャップを持つことは、電界印加時の破 壊が起こりにくいことになり、SiC、GaN の絶縁破壊強度 は、Si のそれの約 10 倍の値となっている。また速い飽和 ドリフト速度、高い熱伝導度などの優れた物性も有してい ...
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ワイドバンドギャップ半導体デバイスの高性能化及び新規プロセス開発 利用統計を見る
... や SiC が考えられ、実用化が始まっている。特に自動車産業においては、電気自動車の普 及に伴ってより高温での半導体デバイスの動作保証が求められており、ワイドバンドギャ ップ半導体への関心が高まっている状況である。これらの材料の問題点として、結晶欠陥 などに起因するリーク電流や、伝導性の制御が困難であることなどが挙げられる。また、 ...
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論文 韓国半導体産業の国際競争力形成の要因 -- デバイス部門と製造装置部門の企業間関係の変化に即して
... 置が一定期間を経ずに他のデバイス企業に販売される ことを黙認せざるを得なかったという。元日系デバイ ス企業関係者へのインタビュー（２ ０ ０ ３年８月７日） 。 （注２ ７） 日系装置企業関係者へのインタビュー（２ ０ ０ ２ 年１ ２月４日） 。日本では，装置企業が主導的に開発す る標準仕様の製造装置の評価は，１ ９ ９ ６年に日本のデバ イス企業１ ０社（現在の出資企業１ １社）の出資により設 ...
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光情報処理デバイス用ワイドギャップ半導体 : エピタキシャル成長と電子・光・磁気物性 利用統計を見る
... 山梨大学工学部研究報告 第51号 2002年 光情報処理デバイス用ワイドギャップ半導体 ―エピタキシャル成長と電子・光・磁気物性― 電気電子システム工学科 松本俊 鍋谷暢一 ll−VI族化合物半導体の多くは直接遷移型のエネ ルギーバンド構造をもち，バンドギャップが広いこ とから，紫外域から可視短波長領域におけるレーザ ダイオード，発光ダイオード，光ディテクタ，光変 [r] ...
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マイクロ波高出力半導体デバイス,回路を支える基礎基盤技術の動向
... , Silvac 社の ATLAS 9) があり，MESFET, HBT, HEMT, CMOS 等を含む あらゆる Si および化合物半導体デバイスを扱うことがで きる。その中でも Silvac 社の ATLAS は，図 6 に示すよ うに，回路シミュレータ，電磁界シミュレータも取り込 み，将来的にはデバイス，回路も含めた形でシミュレー ...
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Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit
... 第 6 章ではシリコン半導体以外の半導体材料及びデバイスについてのトピックスを紹 介した。相転移による電気抵抗の変化をメモリに応用したデバイスでは、書き込み消去 の動作と結晶状態の変化を UHVEM を用いて対応付けることができた。また GaAs 超 格子を用いた通信用半導体素子基板ではエピタキシャル層の異常成長の原因が GaAs 基板上にあることを、やはり ...
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半導体メモリデバイスに対する陽子入射シングル イベントアップセット断面積の計算
... 序： 研究背景 中間エネルギー領域の核子入射核反応 の知識・情報 ⇒ 原子核物理以外の理工学分野への応用 半導体デバイス分野 ： 宇宙、航空機、原子力、加速器施設で使用 ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 概要 GaN 系半導体デバイスとして、レーザー、高輝度 LED、パワー半導体が関心を集め、研究対象 となっているが、これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い。 GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため、GaN 基板は極めて高価で、GaN 基板を利用したデバ イスの実用化を阻んでいるとされている。そこで、 GaN 単結晶の代表的な製造方法として、HVPE （ ...
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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作
... キーワード： 第一原理分子動力学計算、SiC パワーデバイス、界面、熱酸化、アニーリング 1. はじめに 家電、産業、自動車、電鉄、或いは電力分野において、半導体電力変換機器の導入量が急速に増大 しており，低損失 SiC.半導体を導入した場合の省エネ効果は年間.500.億.kWh.にも達すると試算され る。SiC. ...
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JAIST Repository: 半導体デバイス産業における工場規模の分極化とその政策的含意( 競争力の二極化 (2))
... JAIST Repository https://dspace.jaist.ac.jp/ Title 半導体デバイス産業における工場規模の分極化とその 政策的含意(<ホットイシュー> 競争力の二極化 (2)) Author(s) 近藤, 章夫 Citation 年次学術大会講演要旨集, 21: 719-722 Issue Date 2006-10-21.. [r] ...
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半導体デバイス製造のウエットプロセスにおける帯電・放電現象の解明とその対策
... 生産の歩留まりを低くしている。本研究は、 半導体デバイス製造のウエットプロセスにおける帯電・放電現象を解 明し、その対策を行うものである。現在まで、生産工程において、このような帯電、放電現象による静電気障害の対 策は経験的に行われ、要因を解明し、体系化することが難しかった。本研究は、問題となる生産工程を絞り込み、そ の工程における ESD ...
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Title Author(s) 先端半導体デバイス対応欠陥レビュー走査型電子顕微鏡の画像処理技術に関する研究 原田, 実 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI /7258
... 製造歩留り向上のためには製造工程で生じる欠陥の発生を把握し、対策する ことが重要となる。半導体では、製造プロセスの微細化に伴い致命となる欠陥 サイズも微小化しており、欠陥検査・観察がますます重要となっている。製造工 程で生じた欠陥を把握するため、インラインウェハ検査システムが導入されて いる [15]。インラインウェハ検査システムはデバイスの製造工程間でウェハを検 ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 当社は、1960 年代より、化合物半導体材料の開発を開 始し、1980 年代より、それらの材料技術を活用し、光通 信用デバイスの開発、事業化に取り組んできた （8）、 （9） 。その Development of Various Semiconductor Quantum Devices ─ by Tsukuru Katsuyama ─ Semiconductor quantum devices, ...
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製品含有化学物質に関する指針 半導体製品編 第 5 版 2013 年 2 月 20 日 富士電機株式会社 電子デバイス事業本部 [ MGn5001 付属書 2 ]
... 富士電機㈱電子デバイス事業本部及びその生産会社に納入される納入品リスト記載の 当社製品に、「含有禁止物質情報」の欄に記載された禁止物質を除き、下表の禁止物質 が意図的に含有しない事を保証します。 RoHS/ELV指令物質およびパッケージ指令物質に関しては、不純物も含め「製品含有化学 物質に関する指針【半導体製品編】第5版」 表B記載の閾値未満であることを保証します。 含有している禁止物質が上記指針 ...
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半導体パッケージの反りと残留応力評価および応力 に起因する電子デバイスの電気的特性変動評価 平成 25 年 2 月 松田和敏
... 6.3 評価方法の概要 実際の積層構造パッケージにおいて発生した問題を解決するためには，三次元高密度 パッケージ中の残留応力とデバイス特性変動の予測技術の確立が必要になる．デバイス 特性の応力効果による変動の評価方法として，最も簡単なものはピエゾ効果を利用した 方法である．半導体素子として使用されるシリコン結晶に外力が加えられると，形状的 ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 以上の様な経時劣化の対策として、回路設計技術者は経験的なマージンを取って設計を 行う。そして、集積回路の信頼性を検証するにあたり信頼性試験 (表 1.1) を行うのだが、 この信頼性試験は、膨大な試験時間や費用が掛かってしまう問題がある。また、試験の結果 が設計規格通りにならなかった場合に、再度設計を行わなければならないが、故障の原因が 想定できない場合、対策が取れないといったケースが生じる。そこで、我々は回路設計技術 ...
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