半導体テスタ分野においては
半導体技術分野の重要技術説明資料
... Ⅲ−5 ーネットを介したコンテンツ配信が大きく伸びると見るのが自然である。そのため、これらの 大量のデータを保存して供給するための超高速・超大容量のネットワークサーバー用ストレー ジに対する需要は増加の一途をたどるであろう。通信トラフィックは無限ではあり得ないので、 大量のミラーサーバーの設置による需要増も想定される。このデータを受信する家庭や事業者 ...
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Microsoft PowerPoint - 第6回半導体工学
... Q シリコンの pn接合に関する以下の問題に答えなさい。 (1)p型におけるアクセプタ濃度N A が， n型におけるドナー濃度N D に比 べて無視できるくらい少ないとする。空乏層は主にどちらの層に存 在するか？ ...
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半導体工学の試験範囲
... 問 37 p 領域のアクセプタ密度 N a 、 ｎ 領域のドナー密度 N d の階段型の pn 接合に関する以下の設問に答 えよ。ただし、空乏層内の電荷はイオン化したアクセプタとドナーのみとし、 p および n 領域の厚さは 十分大きく、空乏層外の p 領域、 n 領域では電界は無視でき、アクセプタとドナーはすべてイオン化し ...
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太陽電池と半導体ｐｎ接合
... 太陽電池のエネルギー回収期間は？ • エネルギーペイバックタイム（エ ネルギー回収時間）とは、太陽 電池を製造するために使うエネ ルギーを太陽光発電によって 回収するために、どのくらいの 時間が必要かを表す数値です 。エネルギーペイバックタイム は、システムを構成するすべて の機器類の製造エネルギーと 、システムから毎年得られる発 電量の比率から計算されます。 ...
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半導体デバイスの信頼性
... FET は特に充分に静電対策を行っ環境下で取り扱う必要がある。以下に推奨条件 を示す。人体は抵抗入りリストストラップで接地する。機器本体は 2Ω以下で接地する。作業環境は、20 秒以内に電荷を減衰することが可能なイオナイザを用い除電する。湿度を 40%以上に保つ。詳細は「静 電気からの電子デバイスの保護」(IEC 61340-5-1、IEC ...
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[NE ハンドブックシリーズ] パワー半導体
... 広がるため、増やすことができる。例えば、三菱電機の 従来の鉄道車両向けシステムでは、時速35～40kmを超 えた速度で走行している場合、機械式ブレーキと回生ブ レーキを併用していた。回生ブレーキだけだと、Si製パ ワー素子の損失が大きくなり、同素子の接合温度が急上 昇し、許容温度を超えてしまう恐れがあるからである。 SiC製パワー素子であれば、Siよりも許容温度が高いの で、 ...
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Microsoft PowerPoint - 第2回半導体工学
... (1) 領域を に分けて，それぞれの 領域での時間に依存しないシュレーディンガー方程式を導出し， 波動関数を求めなさい。 (2) 波動関数は1価の滑らかな関数である，即ち境界において波動関 ...
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RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... 「今やこの産業も他の一般の製造業と同じく、徹底した効率向上のみがコスト削減、つまり利 潤の増大の Key となってきたのである。それには半導体は特別なのだという固定観念、神 話を打破することが大事であるが一部にその動きも出始めている。」（ＳＴＲＪ（２００２）） 本論の目的は、以上の現状認識に基づきつつ、我が国半導体デバイスメーカーの製造・生 ...
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ディスクリート半導体の基礎
... • 別途、書面による契約またはお客様と当社が合意した仕様書がない限り、当社は、本製品および技術情報に関して、明示的にも黙示的にも一切の保証（機能動作の保証、商品性の保証、特定目的 への合致の保証、情報の正確性の保証、第三者の権利の非侵害保証を含むがこれに限らない。）をしておりません。 • ...
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半導体試験・測定システム
... ) は、国防省予算の資金で運 営されており、半導体の中長期的な研究開発を目的としている。数個の Foc us Cent er か ら 編 成 さ れ る が 、 D es i gn and Tes t Foc us Cent er は 、 U C Ber kel ey の G i gas c al e Sem i c onduc t or Res ear c h Cent er が 中 心 的 ...
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第 4 章インド太平洋における海上保安分野の連携 協力 支援 第 4 章インド太平洋における海上保安分野の連携 協力 支援 秋本茂雄 はじめにインド太平洋地域において海上保安機関の役割が近年注目されている 海上保安庁は 海上保安レポート 2019 において インド太平洋地域は テロ 海賊 国際犯罪
... さらにこの過程において、海上法執行手順や海上保安機関の法執行能力の標準化が進む ことが理想であると考える。 （２）エスカレーション抑制力としての効用（安全保障の第三のカードへ） ベトナムは、1974 年のパラセル諸島海戦、1988 年のスプラトリー諸島海戦において中国 と衝突、海軍艦艇同士の武力衝突により多数の死傷者を出した。その後 2014 年にパラセル ...
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半導体製造装置プロセス管理技術
... 術 は 製 造 工 程 に お い て 間 接 的 に 用 い ら れ る 技 術 で あ り 、 半 導 体 製 造 メ ー カ 自 身 が 公 表 し な い 限 り 、 外 部 か ら そ の 内 容 を 知 る こ と は で き な い 。 製 造 物 そ の も の を 見 て も 、 ど の よ う な 管 理 技 術 が 使 わ れ て い る か を 判 定 す る の は 難 ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... のように物理的な回路が抽象化され、論理的なプログラムと切り離されることによって、 半導体のモジュール化は急速に進んだ。 チューリング・マシンのような論理的なモデルでは、命令をソフトウェアで書くのも回 路で実現するのも同じことだが、実装するコストには大きな違いがある。初期の IC のよう に機能ごとに違う論理回路を設計すると、ひとつの半導体で機能を実現できるが、プログ ...
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通信用半導体レーザの開発
... 2 − 3 全 OMVPE 成長量子井戸レーザの開発 当社に おける、MQW 構造を用いた高性能レーザの開発は、地域 網やアクセス網に使われる光データリンクへの搭載を目的 にして、1.31µm のファブリ・ぺロレーザ（FP ： Fabry- Perot）からスタートした。デバイスの模式図を図 3 に示す が、組成の異なる GaInAsP で構成される MQW 構造活性層 を成長後に、導波路ストライプをマスクとしてメサ状に ...
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一歩先へ SDH/PDH ジッタ / ワンダ ATM GSM V5.x ISDN フレームリレー SS#7 に対応した最新型テスタ
... SDH は、ハンドヘルド型測定 器業界をリードするサンライズテレ コムの最新型アクセスおよびメトロ ネットワーク用テスタです。 これ１台で 2Mbit/s から ...SDH は、アク セスネットワーク全体の品質が保た れているか、ネットワークが ITU-T 標準を満たしているかをジッタ及び ワンダ測定により 検証する、ハンド ヘルド型としては唯一のテスタです。 ...
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互作用によって強磁性が誘起されるとともに 半導体中の上向きスピンをもつ電子と下向きスピンをもつ電子のエネルギー帯が大きく分裂することが期待されます しかし 実際にはこれまで電子のエネルギー帯のスピン分裂が実測された強磁性半導体は非常に稀で II-VI 族である (Cd,Mn)Te において極低温 (
... <社会的意義・今後の予定など> InAs のような、高速電子デバイスやエレクトロニクスで使われる重要な III-V 族半導体にお いて、 N 型で強磁性が明瞭に現れること、かつ、大きくスピン分裂した伝導帯をもつことは、 従来の理論では予測できないため、半導体や磁性の物性物理学と半導体スピントロニクスに新 しい知見を与える重要な成果です（注 ...
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半導体設計支援（EDA）技術
... 出所：ED A Cons or t i um 、同協会の 2002 年 2Q売上集計データ ED A ツールを外販している企業は、 世界でおよそ 200 社程度あると見られるが、 特に Cadence、 Synops ys 、 M ent er G r aphi c s の３社は非常に大きなシェアを ED A ツール各分野で持っており、 中小の ED A ...
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ディスクリート半導体の基礎
... ② Nch MOSがオン状態になるとコレクタ電極が＋電位で有るため、コレクタ側のP+層からN+層を経由してN-層に 正孔(ホール：＋電荷)が注入され、この注入された正孔によりエミッタ側からの電子の注入が加速されます。 ③ その結果、本来高抵抗層であるN-層における電子・正孔量すなわちキャリア量が増加しN-層の抵抗値を下げる 働きをします。（導電度変調） これは、図3-14(b)に示すようにオン抵抗が変化するNch ...
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半導体洗浄技術
... 野 は 、 Si l i c on t ec hnol ogy , M i c r os ys t em t ec hnol ogy, O pt i c al c om ponent s and m ul t i m edi a, Tr ans m i s s i on and t el ec om m uni c at i on s y s t em s , H eal t hc ar e and bi ol ogi c ...
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BSXシリーズ・ビット・エラー・レート・テスタ・データ・シート
... エラー位置解析によるデバッグ エラー解析－次の例では、アイ・ダイアグラム表示と BER がリンクしており、メモリ・チップ・コントローラの設計問 題を検出し、解決しています。左上のアイ・ダイアグラムは アイが交差する部分を示しており、アイの主要部分に比べて 発生頻度が低いことを示しています。BER のデシジョン・ ポイントを移動すると、間欠的なイベントを表示できます。 エラー解析によると、No.24 ...
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