共振ゲートトランジスタ(1967)
バイポーラパワートランジスタ
... NPN+PNP トランジスタ 1in1 トランジスタ 1in1 トランジスタ 1in1 トランジスタ 1in1 トランジスタ 1in1 トランジスタ 1in1 トランジスタ 1in1 トランジスタ 1in1 トランジスタ 2in1 NPN+PNP NPN+PNP トランジスタ 1in1 ...
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SNDM測定によるトランジスタ中のドーパントプロファイル計測への応用
... 図-4はp-チャネルトランジスタ断面のSNDM測定 結 果 で あ る 。（a ） は ト ラ ン ジ ス タ 断 面 試 料 の SNDM像，（b）がソース/ドレイン間を横切るy-y’ ライン信号強度分布とドーパント濃度分布である。 これらトランジスタサンプルは標準サンプルの加工 と同等の条件で作製されたものである。ここで図-3 （a）のような較正曲線を用いることでSNDM信号 ...
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マイクロ波トランジスタと増幅器の設計
... た独自技術が提案されている[5]． ７．むすび マイクロ波増幅器の開発設計において，インピー ダンス整合回路の構成技術を理解することは基本で ある．さらに電力増幅器においては大信号動作及び ひずみの振る舞いの基本を理解することは増幅器の 高効率設計及び低ひずみ設計への第一ステップであ る．本講座では、マイクロ波インピーダンス整合技 術及び代表的なマイクロ波トランジスタ電力増幅器 ...
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超高温特異環境トランジスタ開発基礎研究
... 亜離化銅の温度一抵抗率特性 導体接続部の試料形状を棒状とし周囲混度と 試料両端の抵抗を測定する。電糠に負荷抵抗をつ なぎ，この回路の途中に導線を突き合わせにし，開 聞を繰り返すと赤熱した酸化物が生成される。こ の状態を繰り返すと赤熱部は成長する。この過程 では，赤熱部は突き合わせ部を動き回り，その動き の跡に亜画変化銅が作り出されるロ回路を遮断すれ ば生成された大きさの[r] ...
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セキュアWebゲートウェイサービス インターセーフ ゲートウェイコネクション セキュリティ事業部
... ・クラウド型Webフィルタリングサービス InterSafe CATS ■情報漏洩対策シリーズ ・InterSafe ILP -デバイス制御ソフト InterSafe DeviceControl -Web型申請承認ソフト InterSafe WorkFlow -ファイル自動暗号化ソフト InterSafe FileProteciton/IRM ・セキュリティUSBメモリ[r] ...
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180°形トランジスタ無整流子電動機の特性について (120°形トランジスタ無整流子電動機との比較): University of the Ryukyus Repository
... Title 180°形トランジスタ無整流子電動機の特性について (120°形トランジスタ無整流子電動機との比較) Author(s) 親盛, 克治; 伊波, 善清 Citation 琉球大学理工学部紀要. 工学篇 = Bulletin of Science & Engineering Division, University of the Ryukyus. Engineering(17): ...
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アナログ用MOSトランジスタ動作の基礎 公開講座資料
... ピンチオフ電圧 • ゲート～基板間電圧 V GB がピンチオフ電圧 V P を決定 – 飽和領域：ドレイン電圧≧ピンチオフ電圧 • チャネルのドレイン端 ⇒ 弱反転領域 • チャネルのソース端 ⇒ 強反転領域 ...
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低転位GaN 基板上縦型トランジスタの開発
... 電力変換器にはダイオードに加えトランジスタも必要と なる。光デバイスや通信用電子デバイスでプロセス技術が 成熟しつつあるが、Si や SiC の技術レベルにはまだまだ達 しておらず、GaN を用いたパワートランジスタ作製のた めのデバイス技術には多くの課題がある。パワーデバイス では高耐圧特性を得るために p 型半導体が必須となる。 GaN はイオン注入による p 型の形成が困難であり、Si の ...
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トランジスタ技術教育のためのカープトレーサ (111) トランジスタ技術教育のためのカーブトレーサー (Ⅲ) 浅野安吉比嘉善一 ACurveTracerfbrtheEducatonofTransistor-Technique(Ⅲ) YasukichiASANO*andZen-ichiHIGA* (R
... トランジスタ技術教育のためのカーブトレーサー(Ⅲ） ０ 浅野安吉比嘉善一 ACurveTracerfbrtheEducatonofTransistor-Technique(Ⅲ） ＹａｓｕｋｉｃｈｉＡＳＡＮＯ＊andZen-ichiHIGA＊ （ReceivedOct､31,1974） ’ WhiIethecurvetracersdiscussediｎＰａｒｔｓ（１）ａｎ[r] ...
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外部共振器レーザ用曲り導波路型ゲインチップ
... 3.2 外部共振特性 この素子の外部共振時特性を評価するために， 図6 に示す実験 系を構築した。斜め端面からの出射光は，レンズでコリメートされた あと外部鏡（全反射ミラー）で反射されて素子に帰還する。その光路 上に光バンドパスフィルタを置き，特定の波長のみを選択する。こ のバンドパスフィルタは平板で，位置によって透過光波長が異なっ ており，スライドさせることで透過波長を自由に変えることができる。 ...
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MOSFET ゲート駆動回路 Application Note MOSFET ゲート駆動回路 概要 本資料はパワー MOSFET のゲート駆動回路について述べたものです Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
... トランスを使用した電源の例を図 3.1 に示します。 下アームの電源は共通にできるため、H ブリッジ回路では 3 個、三相ブリッジでは 4 個の電源が必要です。 3.2. ブートストラップ回路 ブートストラップ回路はフローティング電源に代わるもので、ダイオードとコンデンサで構成されます。インバータ回路等の上下ア ームで MOSFET を使用する場合、図 3.2 において各相独立に設けたブートストラップコンデンサ C ...
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磁気でイオンを輸送する新原理のトランジスタを開発
... ンを移動させることで動作しますが、イオンの駆動には電圧を印加する必要があるため、電力源が確保で きない環境では利用しづらいという問題があります。 ３．そこで NIMS の研究グループは、磁性イオン液体 (２) （1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムテトラクロロ フェラート）に注目しました。磁性イオン液体は、これまで“液体の磁石”として研究されていましたが、 ...
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エッジゲートウェイスタートアップガイド
... PoE に対応しているカメラであれば、エッジゲートウェイの PoE（Power of Ethernet）の機能に よって、カメラに給電することができます。 PoE を利用する場合、カメラの電力はすべてのポートで最大 40W までです。 PoE を利用する場合、CAT 5e（カテゴリー5e）以上の LAN ケーブルが必要です。 PoE の設定については、以下のマニュアルを参照してください。 ...
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2SCR372PT100Q : トランジスタ
... 本製品は一般的な電子機器（ AV 機器、OA 機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器等）への使用を 意図して設計・製造されております。したがいまして、極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、 身体への危険もしくは損害、又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置（医療機器 (Note 1) 、輸送機器、 交通機[r] ...
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共振形コンバータの設計方法
... ⑥二次側が全波整流になっているために，トランスから供給できる電源の数が限定され， 多出力が取れません。 ⑦共振はずれ現象（励磁電流の共振周波数よりQ 1 とQ 2 の動作周波数が下がってしまい， 同期が外れる現象）を起こすと出力段に貫通電流が流れ，Q 1 とQ 2 が破壊します。現在 ではパルス・バイ・パルス方式で共振はずれを検出して，動作周波数が共振周波数より ...
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8ピン擬似共振制御グリーン･モード･コントローラ
... 2次側より帰還される帰還信号を光カプラを利用して制御コンパレータへの入力する端子です。このピンと内部の基準電源の5V に定電圧化された電圧源との間に20kΩの抵抗が内蔵されています。フィードバック用光カプラのフォトトランジスタのコレク タを直接このピンに、フォトトランジスタのエミッタをGNDに接続してください。このピンの電圧により、擬似共振（QR）、周 ...
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BCX19T116 : トランジスタ
... 本製品は一般的な電子機器（ AV 機器、OA 機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器等）への使用を 意図して設計・製造されております。したがいまして、極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、 身体への危険もしくは損害、又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置（医療機器 (Note 1) 、輸送機器、 交通機[r] ...
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RYM002N05 : トランジスタ
... 本製品は一般的な電子機器（ AV 機器、OA 機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器等）への使用を 意図して設計・製造されております。したがいまして、極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、 身体への危険もしくは損害、又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置（医療機器 (Note 1) 、輸送機器、 交通機[r] ...
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Bipolar Power Transistors / バイポーラパワートランジスタ
... など、MOS ゲートデバイスの高速ゲートドライブ、あるいは、小型モータドライバに最適です。 Low V CE(sat) PNP and NPN transistors are housed in a single ...NPN トランジスタを１パッケージ化しました。 ■ Product Lineup 製品ラインアップ Part ...
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R6018JNX : トランジスタ
... 本製品は一般的な電子機器（ AV 機器、OA 機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器等）への使用を 意図して設計・製造されております。したがいまして、極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、 身体への危険もしくは損害、又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置（医療機器 (Note 1) 、輸送機器、 交通機[r] ...
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