世界一のパワー半導体技術
概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 現状では、 CVD プロセスを利用する気相成長法（HVPE 法）、超臨界アンモニアを利用するア モノサーマル法、 Na 融液を利用する Na フラックス法などが研究されている。 GaN は結晶成長時の晶癖のため、特に+C 軸方向に成長させると円錐型に直径がどんどん減少 し、長い単結晶が取れないという問題もある。このため、単結晶から数枚～ 10 枚程度の基板しか ...
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開発の社会的背景 パワーデバイスは 電気機器の電力制御に不可欠な半導体デバイスであり インバーターの普及に伴い省エネルギー技術の基盤となっている 最近では高電圧 大電流動作が技術的に可能になり ハイブリッド自動車のモーター駆動にも使われるなど急速に普及し 市場規模は 2 兆円に及ぶといわれる パワー
... ■ 研究の経緯 ■ 産総研では、硬度、熱伝導率、弾性定数、光学的透過率、化学的安定性、電気化学特性など物 質中で最も優れた特性をもつダイヤモンドについて、半導体特性と組み合わせることによって新 しい応用を開拓するための研究を行っている。また、既に材料技術として大型単結晶接合ダイヤ モンドウエハーを開発している（2010 年 3 月 1 日プレス発表）。ダイヤモンドを用いた各種デバ ...
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博士論文 パワー半導体製造工程における高温熱処理と シリコン結晶欠陥の研究 A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power semiconductor manufacturing process
... 影響” ，パワーデバイス用および関連半導体材料に関する研究会（第３回）， 日本学術振興会結晶加工と評価技術第１４５委員会，p. 129-131，(2013). （８）H. Nakazawa, M. Ogino, H. Teranishi, Y. Takahashi, and H. Habuka, “ Crystalline Defects in Silicon Wafer Caused by ...
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スピントランジスタの基本技術を開発 ― 高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体 ―
... z スピンMOSトランジスタは、微細化によらず高速化でき、低消費電力、不 揮発性など優れた特長がある。トランジスタをいくつも用いるSRAMをスピ ンMOSトランジスタ一つに置き換えることも可能。さらに、製品完成後に 回路の再構成が可能なため、FPGAのような利便性も持つ。 ...
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私たちは再び世界一を目指します 世界一を目指すためには なんと言ってもイノベーションであります 安倍政権として 新しい方針として イノベーションを重視していく そのことをはっきりと示していきたい 第 107 回総合科学技術会議 総理発言 科学技術イノベーション総合戦略 ( 平成 25 年 6 月 7
... ３．革新的研究開発推進プログラム（ＩｍＰＡＣＴ） １．政府全体の科学技術関係予算の戦略的策定 進化した「科学技術重要施策アクションプラン」等により、各府省の概算要求の検討段階から総合科学技 術・イノベーション会議が主導。政府全体の予算の重点配分等をリードしていく新たなメカニズムを導入。 ...
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EVにおけるパワーコントロールユニットの放熱・冷却技術の市場展望
... 3. 代表的なEVメーカのPCU関連デバイスの供給関係を主要車種毎に 掲載しております。 4.次世代半導体（SiC）採用の動向/電動駆動システム化（機電一体）、 それに伴う放熱・冷却技術の変化を分析しています。 ...
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RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... ＣＪを取り上げるのは、同業他社に比べそのパフォーマンスの高さが際立っているからであり、そ のため、同社には、同業他社からの訪問・ベンチマーク依頼が相次いでいるという。実際、生産 性に関する諸指標をベンチマークを実施した同業５社平均とで比較すると（表１参照）、同社の水 準は、サイクルタイム、最大ラインイールド、１人当たり労働生産性、C/R 生産能力(per 1 ㎡）、 ...
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日本の半導体 R&D コンソーシアムの将来展望 SIRIJ 技術委員長 ( 株 ) 日立製作所半導体グループ技師長 下東勝博 STRJ WS: March 3, 2003
... 目的 １） 先端 １） 先端 １） 先端 １） 先端SoC開発の共通基盤の構築 開発の共通基盤の構築 開発の共通基盤の構築 開発の共通基盤の構築 ・半導体の最先端、共通基盤技術の研究開発を世界に先駆けて行う ...
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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作
... スとして開発が進められている。また、SiC 半導体は Si 半導体と同様に熱酸化により酸化絶縁膜を作 製出来るため、次世代の MOS 型パワーデバイス ...なる。SiC の熱酸化過程のシミュレーションにおいては、化学反応を伴うことと、界面においてさま ざまな結合があることから経験的なパラメータを一切用いない第一原理計算が強力なツールとなるが、 ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... (25) 熊田智行, 大塚誠, 福山博之 反応性スパッタ法により基板温度 823Kで作製されるAlN膜の結晶性向上 第 11 回多元物質科学研究所研究発表会 , 宮城県仙台市 , 12月8日, (2011) (26) Kohei Ueno, Eiji Kishikawa, Shigeru Inoue, Jitsuo Ohta, Hiroshi Fujioka, Masaharu Oshima, Hiroyuki ...
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ワイヤレス技術 ネットワーク ワイヤレス技術 端末 シリコンバレーサンディエゴ 次世代ワイヤレス技術 ダラス シカゴ 次世代インターネット半導体 ソフトウェア オタワニュージャージー スウェーデンモスクワパリミュンヘンミラノトルコマイクロ波技術 FMC 固定ネットワーク 西安成都武漢バンガロール 北
... また、R&D部門には、ファーウェイの購買 部が自社の製品ニーズや開発戦略に適し た優れた部品やモジュールを提供できるサ プライヤーを選択し、継続的な提携関係を 築けるよう、技術面からサポートするという機 能もあります。日本研究所もこうしたマッチン グ機能を担う地域調達センターのひとつとし て、高い技術力を持つ日本の製造業者との ...
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リサーチ ダイジェスト KR-034 鉄道車両駆動用電力変換装置と主電動機制御の技術の変遷と今後の動向に関する調査 千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻電気電子系コース准教授 近藤圭一郎 1. 調査研究の背景と目的 インバータによる交流電動機駆動技術が本格的に適用されて以来 パワー半導体デバ
... 一方で半導体スイッチ数増加による信頼性低下、コストアップ、および機器の大型化のデメリットも ある。そのため、25kV-50/60Hz に比べて変圧器鉄心磁束が強い 15kV- 16.7Hz 区間用電車での採用に 期待が寄せられている。25kV-50/60Hz 用の主回路の場合は、相対的にデメリットが大きくなる恐れ がある。しかし、今後、SiC ...
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グリーンパワーIC ─平成22年度特許出願技術動向調査の紹介─ 「特技懇」誌のページ（特許庁技術懇話会 会員サイト）
... 【参考文献】 平成 22 年度特許出願技術動向調査報告書 グリーンパワー IC グローバルに拡大することも予測される。ワイドバンド ギャップ半導体材料分野が特許創出の宝庫であることは明 白であるから、特許取得に関しては、国内特許に偏重せず、 欧米等先進国や中国を含めた BRICs 諸国における特許取 得を視野に入れたグローバルな特許戦略が求められる。 ...
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アプリケーション ノート 可変速度 AC 電源ライン AC ドライブ回路 可変電圧および周波数の AC 電源供給 AC モータ 図 1. AC モータ ドライブ システムの概要 長年にわたってPWMドライブの理論は理解されてきていますが パワー半導体 電子制御回路 マイクロプロセッサの技術進歩により
... テクトロニクスのPA4000型パワー・アナライザは、PWM出力 測定用の専用動作モードを使用することでこの問題を解決します。 データは高速にサンプリングされ、すべての高調波、キャリア成 分を含むトータルの量はリアルタイムに計算されます。同時に、 サンプルされたデータは低周波測定用にデジタル的にフィルタ リングされ、基本波測定、出力周波数測定などが実行されます。 ...
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半導体技術分野の重要技術説明資料
... ューマ用途でも容量∼200GB、転送速度∼200Mbps の光ディスクの実用化が必要とされるであ ろう。これらが実現すれば、従来から光ディスクの弱点であったメディア当りの容量不足が解 消されると共に、対 HDD 優位性である高コストパフォーマンス、高セキュリティにより、アー ...
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半導体洗浄技術
... 人 の 約 ６ 割 が 日 本 の 企 業 で あ る（ 25 社 中 16 社 ）。米 国 で は 、Appl i ed M at er i al s 、L am Res ear c h、 I BM 、 M i c r on Tec hnol ogy が 上 位 を 占 め て い る 。 欧 州 で は 、 I nf i neon Tec hnol ogi es ( ド イ ツ ) 、 Si em ens ...
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No 夏季 カウ ベル全酪連購買事業情報紙 トピックスフォスターテクニック社と技術提携!! 第 4 回広島大学酪農技術セミナーのご案内 世界一受けたい酪農講座 牛群の暑熱ストレスを管理するラリー E チェイス技術顧問 大場真人の技術レポート 分娩前の飼料設計での Ca 濃度と DC
... 2 5-8 大山乳業農業協同組合 春播き種子研修会「強害雑草対策について」 三枝 大阪支所 6 山形県酪農業協同組合 研修会「見直そうトウモロコシ」 久保園 仙台支所 7 全酪連 酪農セミナー2018 熊本セミナー 通訳「効率的な繁殖のための移行期管理」 齋藤 購買生産 指導部 7 みやぎの酪農農業協同組合本所 研修会「牛が良くなり、経営が良くなる飼料の生産と利用」 久保園 ...
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SiCパワー半導体がもたらす 電気エネルギーの有効利用 －省エネ効果－
... kW 3.83 141 89 ＊１）ジェイスターの予測。＊２）日本電動車両協会、「燃料電池自動車に関する調査報告書」の予測を参照。＊３）経済産業省経済産業政策局調査統計部、 「機械統計年報」の予測を参照。＊４）電子情報技術産業協会、「世界の電子機器と半導体市場の中長期展望」の予測を参照。 ...
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高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究
... 例えば、 PiN ダイオードに関して言えば、伝導度変調が生じる際に考慮すべきキャリア寿命は、熱 平衡状態における耐圧維持層の多数キャリア密度を上回る高レベル注入状態のキャリア寿命であり、一 方、スイッチング特性に関して、ターンオフ時の逆回復時間や損失を議論する領域は、主に低レベル注 入状態のキャリア寿命が焦点となる ...
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北海道大学大学院情報科学研究科 [ 博士論文 ] 次世代パワー半導体デバイスの適用を考慮した高周波 PWM インバータのひずみ ノイズ低減に関する研究 Study of Reducing Distortion and Noise of High-frequency PWM Inverters App
... B のパルス幅は異なるが、その平均値は等し くなる。これにより、実質的にどんな細い入力信号のパルスも補償可能となり、入力信号 のパルス幅の制限がなくなり電圧利用率を理論限界にまで引き上げることが可能となる。 提案法のブロック線図を ...B のパルスの状態によりカウン タの値を変化させる。カウンタの値と X と ...
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