モノラルパワーアンプモノリシックリニア

(1)

モノリシックリニア集積路

LA4815VH

要

LA4815VH

は、のい

1

チャネル・パワー

アンプをパッケージにした

IC

である。ミュートも !しており、"#け$%が&ないため、セットのローコスト*+に,している。

特長

• 1

チャンネルパワーアンプ

♦-..

1 = 1.84 W

/0

(V

_CC

= 12 V, R

_L

= 8

W

, THD = 10%)

♦-..2=1.55W/0(VCC=9V, RL=4W

, THD=10%)

♦-..

3 = 0.36 W

/0

(V

CC

= 6 V, R

L

= 8

W

, THD = 10%)

♦-..

4 = 0.23 W

/0

(V

_CC

= 5 V, R

_L

= 8

W

, THD = 10%)

•

ミュート !

•

12345:

2

67

♦

26 dB/40 dB

※"#け$%:89

2

:;<により、

26

～

40 dB

の>の12?

にも*@5

•

"#け$%が&ない

♦4:/TOTAL

•

がい

♦

4 V

～

16 V

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

用途

•

インターホン、ドアホン、トランシーバ、ラジオ、GH、

IJガイド#きKL%など

www.onsemi.jp

MARKING DIAGRAM HSSOP14 CASE 944AA

Device Package Shipping^† ORDERING INFORMATION

LA4815VH−TLM−H HSSOP14 (Pb−Free/

Halide Free)

2,000 / Tape & Reel

†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specification Brochure, BRD8011/D.

XXXXXXXXXX YMDDD

XXXXX = Specific Device Code Y = Year

M = Month

DDD = Additional Traceability Data

(2)

(TA = 25°C)

項目記評

V_CCmax 18 V

P_d max *き 1.5 W

T_j max 150 °C

T_opr −30～+75 °C

T_stg −40～+150 °C

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.

() をえるストレスは、デバイスにダメージを"える#$%があります。これらの&をえた'は、デバイスの()%を*

ない、ダメージが+じ、,-%に./を0ぼす#$%があります。

*1234き: 50 mm × 50 mm × 1.6 mm (ガラスエポキシ56)

!"^(TA = 25°C)

項目記評

78 V_CC 12 V

789:;< R_L 4～32 W

= V_CC op 4～16 V

* を>?@して、ABするをCすること。

電#的特$^(TA = 25°C, V_CC = 12 V, R_L = 8 W, f_in = 1 kHz)

項目記

評

Min Typ Max

D,E F - 1 I_CCOP1 D,EG − 5.3 9.5 mA D,E F - 2 I_CCOP2 D,EG, 3ピン = LOW − 2.4 − mA I - 1 POMAX1 THD = 10% 1.2 1.84 − W I - 2 POMAX2 THD = 10%, V_CC = 9 V, R_L = 4 W − 1.55 − W JK - 1 VG1 V_IN = -30 dB 23.9 25.9 27.9 dB JK - 2 VG2 V_IN = -40 dB,

4ピン/11ピン = GND 37 39.5 42 dB

LMNOひずみP THD VIN = -30 dB − 0.125 0.7 % ミュートQRS MT VIN = -10 dB, 3ピン = LOW −90 −115 − dBV

ITU V_NOUT Rg = 620 W, 20 to 20 kHz − 40 100 mVrms

リップルVWP SVRR Rg = 620 W, fr = 100 Hz,

V_r = -20 dBV − 44 − dB

ミュートXY - Low V3cntL ミュートモード − − 0.3 V

ミュートXY - HIGH1 V3cntH1 ミュートZV, VCC = 6.5 V[\ 1.8 − − V ミュートXY - HIGH2 V3cntH2 ミュートZV, VCC = 6.5 V[] 2.4 − − V

^;< R_i − 100 − kW

Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.

()

(3)

図 1. P_d max − T_a 0

1.5

1.0

0.35 0.5 2.0

−30

Ambient Temperature, Ta (5C) Allowable Power Dissipation, Pd max (W)

−20 0 20 40 60 7580 100

0.90

0.21 Independent IC

Evaluation board (double−sided), 50 × 50 × 1.6 mm³ (glass epoxy)

評%&

図 2. '面%&

(サイズ: 50 mm y 50 mm y 1.6 mm)

Top Layer (Top View) Bottom Layer (Top View)

(4)

ブロック-および4用路5

図 3. ブロック-および4用路5 1

14

2 13

3 12

4 11

5 10

6 9

7 8

+

MUTE

Radiator Fin

VCC

Vin

Speaker (8 W)

GND1

PGND IN

Vbias NC

Pre−Amp Power

Amp

MUTE Cin = 1mF

Cosc = 0.1mF Cout = 220+mF

from CPU CVCC= 10mF

OUT V CC

VCC

GAIN2 GAIN1

BIAS

+

−

NC

(5)

測路-

図 4. 測路- Vin

RL 8 W

620 W

NC

VCC MUTE GAIN2 NC IN

OUT

PGND GND1 GAIN1

1 14

2 13

3 12

4 11

5 10

6 9

7 8

+ +

S1 S11

S2 S3

VOUT

1mF

0.1mF

220mF

10mF 0.1mF VCC

0.3 V

NC

(6)

端8説9

端8No. 端8; 端8電<

(V_CC = 12 V) 端8説9 等路

11 GAIN1 0.35 GAINopqr

• PENで26dBモード

• GNDsで40dBモード (11, 4ピンtにsuv)

11 VCC

GND 500W 122W 10 kW BIAS

12 GND1 0 プリアンプwGNDqr

13 IN 1.7 ^qr

+

−

100 kW

Vbias Pre−Amp

13 VCC

14 PGND 0 パワーアンプGNDqr 1 OUT 5.9 パワーアンプIqr

Pre−Amp 1

VCC

GND 10 kW

2 V_CC 12 qr

3 MUTE 4.9 ミュートXYqr

• ミュートON ⇒ Low

•ミュートOFF ⇒ High

3 VCC

GND VCC

10 kW40 kW

30 kW 30 kW

4 GAIN2 0.35 GAINopqr

• PENで26dBモード

• GNDsで40dBモード (11, 4ピンtにsuv)

4 VCC

GND 10 kW

500 W 125 W

OUT

(7)

=用>の@A

1.

電設

(4

ピン、

11

ピン

)

について

パワーアンプの12は$89によってM@

Nされている。

• 4ピン＆11ピン=

オープンQR ⇒ S26dB

• ⁴

ピン＆

11

ピン

= GND

TU⇒S

39.5 dB

なお、89

2

Vをして、12をWXするY ができる

(

Z

5

[\

)

。

•

12*@⇒

4

ピン－

12

ピン

(GND1)

>の89による

JK+20 log

ǒ

²⁰ ⁶²⁵125⁾)^Rvg1Rvg1

Ǔ

•

-.

DC

*@⇒

11

ピン－

12

ピン

(GND1)

>の8 9による

♦

Rvg1 = Rvg2

とすること

また、Z

6

のようなアプリケーションにより、

12を20dB`aまでbげることもできる(5V、6V cd)。

•

12*@⇒

4

ピン－

1

ピン

(

-.

)

>の89によ

る

JK+20 log

ǒ

²⁰ _10,125¹²⁵⁾₎^Rvg3_Rvg3

Ǔ

•

-.DC*@⇒11ピン－2ピン(VCC

)>の89

による

♦

5

ピン

(

-.ef

)DC

が、のS

1/2

に

なるように*@

g:

Rvg3 = 10 k W⇒ Rvg4 = 22 k W (V

_CC

= 6 V

d

)

ただし、このhiでjきく12をbげるとk lmNをnくため、12=20dB`aまでとすること。また、がoい(7Vpq)rsには、

クリップ t uのv w x yがzこるため、この 12{|hiはしないこと。

図 5.

LA4815VH Rvg2

GAIN2

OUT CC

GND1

1 2 4

12 11

V

Rvg1 GAIN1

図 6.

LA4815VH

Rvg4

Rvg3 GAIN2

OUT CC

GND1

1 2 4

12 11

GAIN1

V

2.

インピーダンス:

rg

について

}.カップリングコンデンサ:

Cin

はリップル

にをえるため、このコンデンサにわる

インピーダンス:

rg

の?もリップルに

をえる。そのため、

rg

はできるだけさくすることがましい。って、Z

8

のように

Cin

の$

でを|させるrsには、これらklをして、@を*@すること。89:

Rg1

の89?をできるだけさくすることをする。

また、リップルをjにoめるためには、Z

9

のように、レベルの*@d、1

2を

LA4815VH

にて*@して、}.$は}.

カップリングコンデンサ:

Cin

のみですることを

する。

図 7.

Vbias 100 kW

+ Pre−Amp−

rg

Cin IN 13

図 8.

Cin

other IC Rg2

ro LA4815VH

OUT 13 IN

Rg1

図 9.

Cin

other IC

ro LA4815VH

OUT 13 IN

(8)

3.

ミュート

(3

ピン

)

について

3

ピンへの<によって、$パワーアンプを ¡¢とし、IJミュートを£うことができる。¤T、

CPU

の-.ポートによって、5 であるが、

CPU

からのデジタルノイズにより、

LA4815VH

のノイズフロア©Nのrsがあるため、

Z10のように¤ª89:Rm1(1～2.2kW)を«}することをする。

•

ミュートON: Low

•

ミュート

OFF

:

High

または

Open

また、

3

ピンの

DC

には¬lがあるため、

CPU

のよりも

3

ピンのefがoいと、®¯¯が

CPU

のラインに¯れる。そのr sには、Z

10

のように、

3

ピン－

GND

>に89:

Rm2 (Z11[\)をTUして、3ピンのDCをbげるこ

と。なお、ミュートをしないrs、3ピンをオープン°±にすること。

図 10.

Rm1

Rm2 VDD

VSS

CPU

I/O port

LA4815VH

GND VCC

3

* For reverse current prevention

1 kW

10 kW

30 kW

40 kW

30 kW

xFyzB;<&:Rm2(&)←V3={2.5V|G

図 11.

6 8 10 12 14 16 18 20

Supply Voltage, V_CC (V) 10

100 1000

2 3 5 7 2 3 5 7

Impedance, Rm2 (kW)

(9)

4.

ミュートのタイミングについて

ミュートを£うrs、Z

12

のようなタイミングですること。

•

²ちqげd:

Twu = 0

～

50 ms

♦

2

ピンと

3

ピンの³d²ちqげでもわない

•

²ちbげd:

Twd = 100

～

200 ms

図 12.

Twd Twu

Pin 2 (V_CC) Pin 3 (MUTE)

5.

電り"のポップノイズ軽(について

IJミュートをしないでラインを¤

T

ON/OFF

するhiもあるが、する

がoくなってきたrs、²bりdのショックノイズやI´りが©Nするµ¶にある。この·

Qとしては、

2

ピン

(V

_CCef

)

と

3

ピン

(

ミュートef

)

>に¸¹をTUして、²bりdにº¡ミュートが»くようにするhiがある。

?=1

mF。

図 13.

+

LA4815VH VCC

MUTE 2

3 Cmt

1 mF CV_CC

6.

)*カップリングコンデンサ

(Cin)

について

Cin

は}.カップリングコンデンサであり、¤¯カットを¼½としている。ただし、このコンデンサのもう¾つの¼½はリップル¶qであり、¸¹

?によって、このリップルはWNする

(

?

= 1 m F)

。また、このコンデンサは、²qがりd やミュート¿dでのÀÁÂÃklにもをえるため、これらのklをして、@を*@すること。*+[?

= 0.33 m F

～

3.3 m F

`a

•

リップル⇒¸¹?j:

up

、¸¹?:

down

•

²qりÂÃÄa⇒¸¹?j:

slow

、¸¹?:

fast

•

ポップノイズ⇒¸¹?j:

small

、¸¹?:

large

7.

0*カップリングコンデンサ

(Cout)

について

Cout

は-.カップリングコンデンサであり、¤¯

カットを¼½としている。ただし、このコンデンサ:

Cout

とÅÆインピーダンス:

RL

によってハイパスフィルタがされ、{Èが|するため、

¸¹?をÉ@するrs、カットオフÊtをして*@すること。また、ËÌ、このコンデンサはケミカルコンデンサをするが、ケミカルコンデンサは{Ídの¸¹?がさくなるため、そのklを

して*@すること。

なお、カットオフÊtはÎÏでÐされる。

fc+ 1

2p R_L C_out

8.

0*12補3コンデンサ

(Cosc)

について

Coscは、-.ÑÒをÓÔするためのコンデンサで

ある。このコンデンサは、oÊtklのÕいセラミックコンデンサ(?=0.1

mF)をすること。な

お、このコンデンサは、できるだけ

IC

のÖくに×Ø すること。

9.

電4コンデンサ

(CV

_CC

)

について

CV

_CCは、ラインのリップルÙをÚするためのコンデンサである。ËÌ、このコンデンサはケミカルコンデンサをする

(

?

= 10 m F)

。ただし、ケミカルコンデンサはoÊtklが©いため、

セットにて

CPU

や

DSP

などデジタルノイズをÑÛ する

LSI

をしているrs、oÊtÙを¼

½としたバイパスコンデンサ

(

セラミックコンデンサ=0.1

mF`a)の#<をする。なお、

このバイパスコンデンサは、できるだけICのÖくに

×Øすること。

10. NC

ピンの56について

NC

ピン

(5

～

10

ピン

)

は$½にÜもTUされていないため、オープン°±でわないが、ÝÞßàをできるだけÕくするため、

GND

ラインにTUすることをする。

11.

ミキシング9;について

ビープやキートーンなどをIJへミキシングするrs、bâのようなhiがある。

なお、

4

ピンへの}.hi34のrs、

4

ピンへ#<

されるインピーダンス:

Z4

によって、

13

ピンから}

.されるのãäaがWNするため、åæすること。

(10)

A)

13

ピン}.$での89によるミキシングhi

図 14.

Vbias 100 kW

+

− Pre−Amp Rg2

Rg1 Signal−2

Signal−1

other IC ro

Rg3 Vout2

Vout1 ro

LA4815VH Cin

Vin IN

OUT1 OUT2

13

Pin 13 input impedance: Zin = 100 kW

B)

4

ピンへの}.hi

•

ç¾c12:Vg1

Vg1+20 log

ǒ

^Vout_Vin1

Ǔ

⁺^{20 log}

ȧ ȡ Ȣ

4 (125)Z4)

ǒ

⁵⁰⁰⁾

ǒ

¹²⁵ _125)Z4^Z4

Ǔ Ǔ

25 Z4

ȧ ȣ

Ȥ

* Z4+R1)ro

•

çèc12:Vg2

Vg2+20 log

ǒ

^Vout_Vin2

Ǔ

⁺^{20 log}

ǒ

₁₂₅¹⁰⁰⁰⁰₎_R1

Ǔ

* fc2+ 1

2p Cin2 (R1)125)

図 15.

Vbias 100 kW

+

− +

Pre−Amp − Rg2

Rg1 Signal−2

Signal−1

other IC ro

Vin2 R1

ro

LA4815VH Cin

Cin2

Vin1 + Vout

125 W 10 kW

PWR − Amp 500 W

OUT

OUT1 OUT2

IN GAIN2

13

4 1

(11)

12.

ピン間<=について

ピン>をéêしたままでをë}したrs、m Nまたはìíのîïとなるため、

IC

をðñにòり#

けるóにはピン>がハンダôでéêしていないかどうかõöしてからをë}すること。

13.

負荷<=について

ÅÆをéêした°±で÷d>ÝØしておいたr s、mNまたはìíのîïとなるため、ÅÆはø·

にéêさせないようにすること。

14.

>?@について

j@ù#Öでしたrs、úかなûüW¡でもj@ùをýえる5lがあり、ìíYþにつながりかねないため、ôのW¡マージンを Ùにとり、j@ùをø·にýえないですること。

(12)

H般特$

100 1k

3 57 0.1

2 3 57 2 3 57

1 10

7 0.1

3 5 7 1

2 3 5 7

2 3 5 10 0.01 0.1

23 57 23 57 2 3 57 23 57

1 1 10

0.01 0.1

0.01 2 3 5 7 2 3 5 7 2 3 5 7

1

0.1 10

10k 5

7 2 3 5 7 2 3 2 3

5 7

1

0.1 10 5

5 0.01 7 0.1

1 10

2 3 57 2 3 2 3

5 7 5

0.01

図 16. 図 17.

図 18. 図 19.

Output Power, P_O (W)

Total Harmonic Distortion, THD (%)

V_CC = 5 V R_L = 8 W

VG = 26 dB fin = 1 kHz

V_CC = 6 V V_CC = 9 V V_CC = 12 V V_CC = 15 V

0.1 1 0.1 1

V_CC = 5 V R_L = 4 W

VG = 26 dB fin = 1 kHz

V_CC = 6 V V_CC = 9 V V_CC = 12 V

R_L = 16 W V_G = 26 dB f_in = 1 kHz

V_CC = 12 V

VCC = 15 V

Frequency, f (Hz)

V_CC = 12 V R_L = 8 W P_O = 100 mW

VG = 40 dB

VG = 26 dB

V_CC = 12 V R_L = 4 W

V_G = 40 dB

V_G = 26 dB

V_CC = 12 V R_L = 16 W PO = 50 mW

VG = 40 dB

VG = 26 dB

2 3 5 7 2 3 5 7 2 3 5 2 3 5 7 2 3 5 7 2 3 5

2 3 5 7 2 3 5 7 1 2 3 5 2 3 5 7 2 3 5 7 2 3 5

(13)

H般特$

(Continued)

35 40 50 55 60 65

45 70

2 5

0 0.25 0.5 0.75 1

2 50

0.4

0.1 0.2 0.3

3 5 7 2 3 5 7 2 3

0 2

0.01 50

0.5

0.1 0.2 0.3 0.4

0 2

0.01 3 2 50

0.5

0.1 0.2 0.3 0.4

45

2 1k

0 5 10 15 20 25 30 35 40

–30 20

–50 –25 –20 –15 –10 –5 0 5 10 15

–40 –30 –20 –10

図 22. 図 23.

図 24. 図 25.

Input Level, V_IN (dBV) Output Level, VOUT (dBV)

R_L = 8 W V_G = 26 dB f_in = 1 kHz

V_CC = 6 V

VCC = 12 V VCC = 15 V

Frequency, f (Hz) Voltage Gain, VG (dB)

R_L = 8 W V_CC = 12 V

Output Power, P_O (W) Power Dissipation, Pd (W)

R_L = 8 W V_G = 26 dB

f_in = 1 kHz V_CC = 15 V (P_d)

Output Power, P_O (W) Power Dissipation, Pd (W)

Power Dissipation, Pd (W)

VG = 40 dB V_G = 26 dB

Supply Voltage Ripple Rejection, SVRR (dB)

0

V_G = 40 dB

VG = 26 dB

10k 100k

0.1

0.01 3 5 7 2 3 5 7 2 3 5 7 2 3 5 7

0.1 1

Supply Current, ICCOP (A) V_CC = 12 V (P_d)

V_CC = 6 V (P_d) I_CCOP

2 5 7 2 3 5 7 3 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1 2 3

0.4 0.8 1.2 1.6

Supply Current, ICCOP (A) V_CC = 12 V (P_d)

V_CC = 9 V (P_d)

VCC = 6 V (Pd) I_CCOP R_L = 4 W

V_G = 26 dB f_in = 1 kHz

R_L = 16 W V_G = 26 dB f_in = 1 kHz

Supply Current, ICCOP (A) VCC = 15 V (Pd)

VCC = 12 V (Pd)

I_CCOP

3 5 7 2 3 5 7 2 3 5 7 2 3

VCC = 12 V R_L = 8 W R_g = 620 W Vr = −20 dBV C_in = 1 mF

(14)

H般特$

(Continued)

–120 –100 –80 –60 –40 –20 0

0.5 1 1.5 2

10

1 2 3 5 7 10 2 3 5 7 100

0.1 2 3 5 7 2 3 5 7

1

0 5

3 1 2 3 4

2 10 100 1k

20 25 35 30 40 45 50 55 60

1 20

40 45 50 55

25 30 35 60

0.1 2 3 5 7 1 2 3 5 7 10

図 28. 図 29.

図 30. 図 31.

Capacitance, C_in (mF) Supply Voltage Ripple Rejection, SVRR (dB)

Impedance, R_g (W)

Supply Voltage, V_CC (V) Max. Output Power, PO max (W)

VG = 26 dB THD = 10%

R_L = 4 W

Load Impedance, R_L (W) Max. Output Power, PO max (W)

V_CC = 12 V V_G = 26 dB THD = 10%

Control Voltage, V3cont (V)

RL = 4 W VG = 26 dB VIN = −20 dBV

V_CC = 12 V R_L = 8 W

V_G = 40 dB V_G = 26 dB

Muting Level, Vmute (dBV)

V_CC = 12 V R_L = 8 W V_r = −20 dBV f_r = 100 Hz R_g = 620 W

V_G = 40 dB V_G = 26 dB

Supply Voltage Ripple Rejection, SVRR (dB)

3 5 7 2 3 5 7 2 3 5 7 2 3 5 710k

V_CC = 12 V R_L = 8 W V_r = −20 dBV f_r = 100 Hz C_in = 1 mF

V_G = 40 dB V_G = 26 dB

6 9 12 15 18

R_L = 16 W RL = 8 W

(15)

H般特$

(Continued)

0 50 100 150 200

48 6 10 12 14 16 18

–115

–120

–125

0.1 1k

2 –130 –110

–130 –110

–115

–120

–125

4 18

0 1 2 3 4 5 6 7

0 2 4 6 8 10

18

図 34. 図 35.

図 36. 図 37.

Supply Voltage, V_CC (V)

Pin Voltage, Vpin (V)

Supply Voltage, V_CC (V)

VG = 26 dB

Input Frequency, f_in (Hz)

Noise Voltage, VNO (mVrms)

R_L = 4 W R_g = 620 W DIN AUDIO

Pin 3

Supply Current, ICCO (mA)

MUTE−ON

16 14 12 10 8 6 4 2 0

Pin 1 (26 dB) Pin 1 (40 dB)

18 16 14 12 10 8 6 4 2 0

R_L = OPEN R_g = 0 W

MUTE−OFF

6 8 10 12 14 16

R_L = 8 W V_G = 26 dB V_IN = −10 dBV f_in = 1 kHz

V_CC = 12 V R_L = 8 W V_G = 26 dB V_IN = −10 dBV

0.01 3 5 7 2 3 5 7 2 3 5 710k 2 3 5 7100k

V_G = 40 dB

(16)

温I特$

10 20 30 40 50

0.1

3 5 7 2 1

3 5 7 2 3 5 7 10

0.01 2 3 5 7 2 3 5 7 2 3 5 7

0.1 1 10

0.01 2 3 5 7 2 3 5 7 2 3 57

0.1 1 10

100

0.1 1

5 2 3 5 7

7 0.1

2 3

1 2 3 5 7 10

5

0.01 57

0.1 2 3 2 3

5 7 1

2 3 5 7 10

5

0.01 2 3 5 0.1 1

図 39. 図 40.

図 41. 図 42.

Ambient Temperature, T_a (5C) Output Power, PO (W)

V_CC = 15 V

Ambient Temperature, T_a (5C) Output Power, PO (W)

Output Power, PO (W)

VCC = 12 V

R_L = 8 W V_G = 40 dB

V_G = 26 dB

Voltage Gain, VG (dB) V_CC = 12 V

RL = 8 W VG = 26 dB fin = 1 kHz

T_a = 75°C

7 2 3 5 7 2 3 5

T_a = −25°C

T_a = 25°C Total Harmonic Distortion, THD (%)

V_CC = 9 V RL = 4 W VG = 26 dB fin = 1 kHz

T_a = 75°C

Ta = −25°C T_a = 25°C

3

2 5 7 2 3 5 7 2 3 5

VCC = 12 V V_CC = 6 V V_CC = 5 V

R_L = 8 W V_G = 26 dB f_in = 1 kHz THD = 10%

−50 −25 0 25 50 75 −50 −25 0 25 50 75 100

V_CC = 12 V

V_CC = 9 V VCC = 6 V V_CC = 5 V R_L = 4 W

V_G = 26 dB f_in = 1 kHz THD = 10%

RL = 16 W VG = 26 dB fin = 1 kHz

V_CC = 15 V VCC = 12 V

(17)

温I特$(Continued)

0 1 2 3 4 5 6 7

0 0.5 1 1.5 2 2.5

18

0 1 2 3 4 5 6

0 10 20 30 40 50 60

図 45. 図 46.

図 47. 図 48.

Ambient Temperature, T_a (5C) Noise Voltage, VNO (mVrms)

Ambient Temperature, T_a (5C)

Pin 3 Voltage, V3 (V)

Supply Voltage, V_CC (V) Control Voltage, V3cont (V)

V_CC = 12 V R_L = 8 W R_g = 620 W DIN AUDIO

Supply Voltage, V_CC (V) Supply Current, ICCO (mA)

R_L = 8 W V_G = 26 dB f_in = 1 kHz V_IN = −30 BV

Ta = 25°C

T_a = −25°C

100

−50 −25 0 25 50 75 −50 −25 0 25 50 75 100

VCC = 12 V R_L = OPEN Rg = 0 W

16 14 12 10 8 6 4

Ta = 75°C

R_L = OPEN R_g = 0 W

T_a = 25°C

Ta = −25°C T_a = 75°C

18 16 14 12 10 8 6 4 2 0

(18)

ミュート OFF & ON

過渡特$

図 49. 図 50.

図 51. 図 52.

200 ms/div

OUT: 200 mV/div, AC

Pin 7: 2 V/div, DC

200 ms/div

OUT: 200 mV/div, AC

Pin 7: 2 V/div, DC V_CC = 6 V

R_L = 8 W Cin = 1 mF

VCC = 12 V RL = 8 W C_in = 1 mF

200 ms/div

OUT: 200 mV/div, AC

Pin 7: 2 V/div, DC

200 ms/div

OUT: 200 mV/div, AC

Pin 7: 2 V/div, DC VCC = 12 V

RL = 8 W C_in = 2.2 mF V_CC = 6 V

R_L = 8 W C_in = 2.2 mF

(19)

HSSOP14 (225mil) CASE 944AA

ISSUE A

DATE 23 OCT 2013

XXXXXXXXXX YMDDD

XXXXX = Specific Device Code Y = Year

M = Month

DDD = Additional Traceability Data GENERIC

MARKING DIAGRAM*

*This information is generic. Please refer to device data sheet for actual part marking.

Pb−Free indicator, “G” or microdot “ G”, may or may not be present.

SOLDERING FOOTPRINT*

NOTES: 1. The measurements are not to guarantee but for reference only.

2. Land pattern design in Fin area to be altered in response to customer’s individual application.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.

(Unit: mm) 1.0

5.80

0.32

0.65

98AON65470E DOCUMENT NUMBER:

DESCRIPTION:

Electronic versions are uncontrolled except when accessed directly from the Document Repository.

Printed versions are uncontrolled except when stamped “CONTROLLED COPY” in red.

PAGE 1 OF 1 HSSOP14 (225 MIL)

(20)

information, product features, availability, functionality, or suitability of its products for any particular purpose, nor does onsemi assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. Buyer is responsible for its products and applications using onsemi products, including compliance with all laws, regulations and safety requirements or standards, regardless of any support or applications information provided by onsemi. “Typical” parameters which may be provided in onsemi data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. onsemi does not convey any license under any of its intellectual property rights nor the rights of others. onsemi products are not designed, intended, or authorized for use as a critical component in life support systems or any FDA Class 3 medical devices or medical devices with a same or similar classification in a foreign jurisdiction or any devices intended for implantation in the human body. Should Buyer purchase or use onsemi products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold onsemi and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death

モノラル パワーアンプ モノリシックリニア

モノリシックリニア集積路

LA4815VH

LA4815VH

1

IC

• 1

1 = 1.84 W

(V

= 12 V, R

= 8

, THD = 10%)

, THD=10%)

3 = 0.36 W

(V

= 6 V, R

= 8

, THD = 10%)

4 = 0.23 W

(V

= 5 V, R

= 8

, THD = 10%)

•

•

2

26 dB/40 dB

2

26

40 dB

•

•

4 V

16 V

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

•

ブロック-および4用路5

1.

(4

11

)

• 4ピン＆11ピン=

• 4

11

= GND

39.5 dB

2

(

5

)

•

4

12

(GND1)

ǒ

Ǔ

•

DC

11

12

(GND1)

Rvg1 = Rvg2

6

•

4

1

(

)

ǒ

Ǔ

•

)>の89

5

(

)DC

1/2

Rvg3 = 10 k W⇒ Rvg4 = 22 k W (V

= 6 V

)

2.

モノラルパワーアンプモノリシックリニア

• ⁴