九州大学学術情報リポジトリ
Kyushu University Institutional Repository
窒化物半導体の表面構造と成長過程に関する理論的 研究
草場, 彰
http://hdl.handle.net/2324/2236233
出版情報：Kyushu University, 2018, 博士（工学）, 課程博士 バージョン：
権利関係：
（様式５－２）
氏 名 草場 彰
論 文 名 窒化物半導体の表面構造と成長過程に関する理論的研究 論文調査委員 主 査 九州大学 教授 寒川 義裕 副 査 九州大学 教授 高橋 厚史 副 査 三重大学 教授 伊藤 智徳
論 文 審 査 の 結 果 の 要 旨
本研究では，気相成長の熱力学解析手法と最急エントロピー勾配量子熱力学モデリングに基づき，
窒化物半導体有機金属気相成長における成長駆動力と炭素不純物濃度の表面構造依存性を定量的に 解析する手法を開発し応用することにより，これまで正確な理解が得られていなかった成長温度と 成長面方位の相関を解明し炭素不純物濃度の面方位依存性に影響を及ぼす要因を明らかにした．本 研究は窒化物半導体有機金属気相成長において相反する関係にある成長速度と炭素不純物取り込み に関する理解を深め，高耐圧電力変換素子などに応用される GaN 薄膜の成長条件最適化に資する知 見を与えており機能材料工学への寄与は顕著である．よって本論文は博士（工学）の学位論文に値 するものと認める．
