HREELS-STMによる表面局所構造の電子状態の研究

HREELS-STMによる表面局所構造の電子状態の研究

著者

須藤 彰三

7...I..･..],.

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HREELS-STMによる表面局所構造の

電子状態の研究    ･

(研究課題番号 08454072)

平成8､ 9､ 1 0年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))

研究成果報告書

平成11年3月

研究代表者 須藤彰三

一     (東北大学 大学院理学研究科 助教授)

は しがき

本研究報告書は､平成 8 年∼平成1 0年度文部省科学

研究費補助金基盤研究(B) (2)の援助を受けて宿った

FH RE E L S_S T Mによる表面局粛構造の電子状態の研究』

について の成果 を ま とめた も ので あ る｡

近年､物性物理学(凝縮系の物理)の1つの方向と して､

原子や分子を操作して､任意の原子スケ`-ルの構造を作り･

そ こに生じる物理現一象を探究しよ う という 動きが広がって

いる｡こ の動きは､走査ト ンネル顕微鏡(S TM)に代表

される原子レベルの分解能を持つ走査プローブ顕微鏡の最

近の発達に大き く 依存している｡私達はこ の流れのなかで､

s TMで親察される原子配置とその背後にある結合状態や

表面のポテンシャルを研究するために､高分解能電子エネ

ルギー損失分光法(H RE E L S)とS TMの複合測定装置

H RE E L S_S T Mを開発してきた｡本研究では､この複合

測定装置を用いることによって･ (1) C60分子とシリ

コン表面の相互作用､ (2) C60､ C70分子を前駆体と

した炭化ケイ素(Sic)薄膜の形成過程､ (3)

Ag(110)表面の(-Cu一〇一)一次元鏡と(Cu)6クラスタ

ーの形成過程､ (4) Si(111)7X7表面の酸素分子の反

応過程を明らかにした｡さ らに､ H REELS-S TMの有効

性 と可能性を示す こ とができた｡

最後に､本研究の成果は発表論文に共著者として記され

た多く の研究者､大学院生の努力と協力の下に得られたも

のである こ とを申 し添え､こ こに感謝の意を表します｡

研究組織

研究代表者:須藤彰三 一(東北大学大学院理学研究科 助教授)

研究分担者:内田和書男(東北大学 大学院理学研究科 教授)

坂本一之(東北大学 大学院理学研究科 助手)

研究経費

平成 8年度

平成 9年度

平成1 0年度

計

6､ 000千円

700千円

800千円

7､ 500千円

研究発表

(1)学会誌等

1. S. Suto, A. KastTya, C.-W. Hu, A. Wawo, T. Gotoand Y. Nishin:    l

Vibra血onalProperdes and Structure of C60 仙in Fib on Si(1 1 1) and GTalPhite SurfTaces,

Surf. Rev.LetL 3 (1996) 927-932.

2. C.-W. Hu, A. Ebuya, S. Suto, A. Wawro and Y. Nishin:

Absorption and Reaction of C60 0n Si(1 1 1) SurfTace:

A Combined Study by HREELS and STM,

Std. Rev.LetL 3 (1996) 933-936.

3. C.-W. Hu, A. Kasuya, S. Strto, A. Wawro and Y. Nishina:

Stdace Structure of 3C-Sic(1 1 1) Fabricated by C60 Precursor: A Scanning Tunneling

Microscopyand HighResolutiOn Electron Energy Loss Spectroscopy Study,

J. Vac. Sci. Teclmol. B14 (1996) 93i-942.

4. C.二W.Hu, A. Ehya, S. Suto, A. WaⅥ汀0 md Y. Nishizu:

SurLTace Structure of 3C-Sic(1 1 1) Grownon Si(I 1 1) Surface by C60 Prectmr,

Appl. Phys.Lett. 68 (1996) 1253-1255.

5. K. S血moto, S. Sutoand W. Uchida:

MolecularPrecursor of Oxygen on Si(1 1 1)7Ⅹ7 SurtTace,

SurtTace Science 357B58 (1996) 514-5 17.

6. A. Kasuya, C.-W. Hu, R. Czaika, S. S山o皿d Y. Nishina:

Fabricaldon and Modificaltion of Microclt&r La;td伏System,

Proc. Ofthe Science and Technology ofAtomically Enginewed Materials,

eds. P. Jena, S.N. Kbmna ad B.K.鮎0, (Ⅶbdd SciendLic, Singapore, I 996) pp･ 77-83･

7. S. Suto, A. KastqTa, C･-W･ Hu, A･ W帥汀0, K･ Sakanoto, T･ Goto and Y･ Nishina:

hitialStage ofC60 FilmGrod md Reaction on Si(1 1 1)7X7皿d Graphite Stdaces

Studied by HREELS-STM,

Thin Solid Fib 281/282 (1996) 602JO5.

8. S. S山0, A. KaslⅣa, C.-W. H叫A. Wawo, K. S血moto, T. Wakita, T･ Goto

znd Y. Nishina,

LocalStructtm and ChemiCalReacdon of C60 Films on Si(1 1 1)7Ⅹ7

Studied by HREELS-STM,

Mater. Sci. Eng. A217/218 (1 996) 34-37.

9. K. Sakamoto, T. Suzuki, T. Wakita, S. Suto, C.-W. Hu, T. Ochiai, and A. Kasuya:

SiC FilmFornaldon丘om C60 Monol町α On Si(1 1 1)7X7and Si(100)2Xl SurfTaces

Studied by HREELS-STM,

10･ K･ Sakanoto, T･ Wakita, T･ Suzuki, S･ Suto, C･-W･ Hu, and A･ Kasuya:

Tbe Qtdibr of Sic FilmFonned by ¶1即ml Reacdon of C60 Monohyer on Si(1 1 1)-(7Ⅹ7) S血e,

Sci･ Rep･ RITU A44 (1997) 55-58.

I 1･ S･ Suto, K･ Sakanoto, T･ W止ita, C･一W･ Hu皿d A･ Kastwa:

VibmdonalProperdes and Ch町ge Transfer of C60 Adsorbed on Si(1 1 1)-(7Ⅹ7)皿d

Si( I 00)-(2X 1 ) Surhces,

Phys. Rev. B56 (1997) 7439-7445.

12･ Y. Matstnoto, K. Sakamoto, Y. Okawa, S. StdD and K. Tanaka:

TtLe Gmw血Mechmism of(-Cu-0-) Sdngs on Ag(1 10) Stuqied by Scanning TtJ皿eling .Microscopy, X-ray Photoelectron Spectroscopy皿d HighResolutiOn Electron Energy

Loss Spectroscopy,

J･ Chem. Phys. 107 (1997) 10185-10190.

13･ S･ Suto, K･ Sakanoto, T･ Wakita, M･ Harada and A･ Kasuya:

hterac也on of C60with Silicon D叫gling Bonds onthe Si(1 1 1)-(7Ⅹ7) Stdace,

Suiface Science 402-404 (1998) 523-528.

14･ K･ S血moto, M･ Handa, H･Ashina, T･ Suzuki, T･ Wakita, A･ bya and S･ Suto: SiC Isl皿ds Grownon Si(1 1 1)-(7X7) md Si(100)-(2Xl) Stdaces by C60 Precursor,

J･ Electron Spectrosc. Reht. Phenom. 88-91 (1998) 897-903.

15･ K Sakamoto, T･ Suzuki, M･ Hhrada, T･ Wakita, S･ Suto nd A･ Bhya:

SiC FilmFomaltion皿d Grow血by the ThemalReaction ofa C60 FilmAdsorbed on

a Si(1 1 1)-(7Ⅹ7) Surface: Bonding Nattqe ofC60 Molecules and Sic-film SurtTace

Phonons,

Phys. Rev. B57 (1998) 9003-9014.

16･ K. Sakamoto, M. H血ada, D. Rondo, A. Kimura, A. Ehkizakiand S. Sdo: Bonding State of the C60 Molecule Adsorbed on a Si(1 1 1)-(7Ⅹ7) S血e,

Phys. Rev. B58 (199i) 13951113956.

17･ A･ Kiuuya, C･-W･ Hu, S. Suto, K Tohji, H. Takahashi, a Czaika, A. Wawo

and Y. NishirLa:

ChemiCalReacdozLS皿d Electronic Funcdons of Caibon Cluster Jhys Studied by scムnning Tuzneling Spectroscopy and HighResoludon Elecbn Energy Loss

Spectroscopy,

Acta Physica Polonica A93 (1 998) 3 17-322.

18. S.Suto:

VibradonalModes and Structure of C60 0n Si(I 1 1)7Ⅹ7 md bphite SurfTaces:Study by

HREELSand STM, in ChLSteTTS and Mesoscopic Mah･eials-Physical and Chemical

Propel'ties-, eds･ T･ Ami, K. Yamamoto,G. Sug皿0, ( Ko血sha-Scientific/Sp血ger,

19･ K. S血moto, D. Kondo, Y. Ushimi, M. H血ada, A. hura, A. Ehkizaki and S. Suto:

Thimalhduccd Trzuuidon in Bonding Nature of C60 Molecules Adsorbed

on a Si(1 1 1)-(7Ⅹ7) Surface,

J･ Electron Spectrosc･ Reht. Phenom., in press.

20. K. SakzLmOtO, D. Rondo, M. Handa, A. Kintqa, A. EAkizaki and S. Suto:

Electronic Structtm of C60 A血orbed on Si(1 1 I.)-(7Ⅹ7) and Si(1 00)-(2Xl) Su血es,

SurfTace Science, in press.

21. T. W止ita, K. S血oto, A. Ehya, Y. Nishina and S.Suto:

Adsozption ind ThermalReaction of C70 0n Si(1 1 1)-(7Ⅹ7) and Si(100)-(2xl) SurLTaces:

ComparisonwithC60,

- - Appl. Surf. Sci., in press.

22. S.Suto, K. S血moto, D. Rondo, T. Wikita, A. hLLra皿d A. Ehkizaki:

Bonding Nature ofC60 Adsorbed on Si(1 1 1)-(7Ⅹ7) and Si(100)-(2Ⅹ1) Surfaces Studied by

HREELS and PES,

SurLTue Science, in press.

23. D. Rondo, K. S血moto, Y. Ushimi, M. Harada, A. Ehura, A. Xhkizaki and S. Suto: Ch叫ge in Electronic Structure of C60 Molecules Adsorbed Si(00 1 )-(2Xl ) Surface

by ThernalEffect,

Jpn. J. Appl. Phys., in press.

24. K Sakamoto, D. Rondo, Y. Ushimi, A. hura, A. K毒血盛量and S. Suto:

TLermal-Dependent Electronic Structure art the htertTace of

C60 Adsorbed Si(1 1 1)-(7Ⅹ7) S血,

SurtTace Science, in press.

25. S. Suto, K. Sakanoto, D. Kondo, T. Wakita, A. hura, A. Kakizaki, C.-W. Hu and

A. Kasuya:

Ⅰnt併aCdon of C60with Si(1 1 1)7Ⅹ7皿d Si(100)2Xl SurfibCeS Studied by

STM, HREELS and PES:Amealing Effect

SurtTace Science, in press.

26. K..SakaJnOtO, D. Kondo, Y. Ushimi, M. Handa, A. hura, A. EAkizaki and S. Suto:

Temperattm Dqpendence of the Electronic Structu托Of C60films Adsorbed on Si(001)-(2Xl)皿d Si(1 1 1)-(7Ⅹ7)S也s,

27. 須藤彰三､坂本一之､脇田高徳:カーボン60とシリコン表面の相互作用､

日本物理学会誌､ Vol.53, No.3 (1998) pp. 197-200.

28. 須藤彰三､坂本一之:金属と半導体の酸化初期過程､

まてりあ(日本金属学会誌) ､ Vol.37, No.3 (1998) pp･162-165･ 1

29. 須藤彰三:高分解能電子エネルギー損失分光器と走査トンネル顕微鏡の

複合測定装置､固体物理(アグネ技術) ､ Vol.33, No.7 (1998) pp. 609-616.

30. 須藤彰三: HREELSによるクラスターの振動状態の研究､

超微粒子とクラスター懇談会報田山1. Cluster Sci. Tech.)､ Vol.2, No.1 (1998) pp.9-13･

31..坂本一之､近藤大雄､牛見義光､木村昭夫､柿崎Rh人､須藤彰三:

カーボン6 0吸着シリコン表面の電子状態､

真空(日本真空協会誌)､ Vol.42, No.3 (1999)印刷中.

(2)口頭発表

(国際会議等における発表)

1. S. Suto. K. S血moto, T. W血ta, C.-W. HuandA. Kasuya:

Adsorp也on肌d ChemiCalReachon of C60 on Si(1 1 1)7X7and Si(001) 2Xl Su血ces

Studied by HREELSISTM,

htezTudonal SympositJm On Surface Nan0-Control of EnviromlentalCastalystsand

Rehted Matedals汀okyo, November 25-27, 1996) ･

2. K. Sakamoto, T. W血ta, S. Suto, C.-W. Hu, T. 0地肌dA. Kasuya:

siC Fib Formadon丘om C60 Monohyer on Si(1 1 1)7X7 and Si(001)2xI Surfaces

Studied by HREELS-STM,

htemadonal SymposiumOn Surface Nan0-Control of Envirormental Castalysts孤d

R由ted Materials Crokyo, November 25-27, 1996) ･

3. S. Suto, K. S血moto, T. Wakita, C.-W. Hu and A. Kasuya:

Adsorption and ChemiCalR飽Chon of C60 on Si(1 I 1)7X7 and Si(001) 2Xl Su血ces

Studied by HREELS-STM,

Workshop on Nan0-Scale Structur6 and Properdes at herfhces

(Sendai, Januazy 21-22, 1997)･

4. K. Sakamoto, T. W血, S. Suto. C.-W. Hu, T. Odniai肌dA. Kasuya:

siC FilmFormadon hm C60 Monohyer on Si(1 1 1)7Ⅹ7孤d Si(001)2xI Surfaces

Studied by HREELS-STM,

Workshop on Nan0-Scale Structt-and Properdes at hte血C岱

(Sendai, January 21-22, 1997) ･

5. S. Suto, K. Sakamoto, T. Wakita, M. Hamda, A.Ashima, C.-W. Huand A･ Kasuya:

Si(001) 2xI Surfaces,

6･ K･ Sakamoto, M･ Hamda, H･Ashima, T･ Suzuki, T･ Wakita, A･ Kasuya amiS･ Suto:

SiC Islzmds Grownon Si(I 1 I)7X7and Si(001)2xI Surfaces by C60 precursor.

7thhtem姐onalConference on Electron Spectroscopy (Chiba, September 811 2. 1 997).

7･ S･ Suto, K･ Sakamoto, T･ W独ita, M･ Hamdaand A･ Kasuya:

Interac也on of C60withSnicJon Dangling Bonds on Si(I 1 1) 7Ⅹ7and Si(001)2xl ､surfhces,

1 7thEuropcm Conference on Surface Science

但nschede, The Netherlands, September 16119, 1997).

8･ K･ Sakamoto, T･ Wakita, C.-W. Hu, A. Kasuyaand S. Suto:

VibradonalProperdeS and Charge Transfer of C60 molecules adsorbed on Si(I 1 1)-(7X7)and

Si(001)-(2xl) Surfaces.

First htemadonalConference on hhterialand Life Sciences in HaJjJlla

Olarima, October 16-.19, 1997).

9. K. Sakamoto, D. Kondo, Y. Ushimi, M. H的da, A. Kimtm, A. Kakizaki and S. Suto:

Thennal Induced Tramsidon in Bonding NatLlre Of C60 molecules adsorbed

on a Si(1 1 1)-(7X7) Surface,

The 1 2thhtemadonlCon托rence on Vamtm Ultraviolet Radiarion Physics

(SanFrancisco, August 3-7, 1998).

10. K. Sakamoto, D. Kondo, M. Hamda, A. KimLLra, A. Kakizakiand S. Suto:

ElecBonic Structures of C60 adsorbed on Si(1 I I)-(7X7)and Si(100)-(2xl) Surfaces,

1 0thhtema也onlConference on Solid Surfaces

O3irmingham, 3 I August -4 September, I 998).

1 1. S.Suto, K. Sakamoto, D. Rondo, T. W血ta, A. Kimm and A. Kakizaki:

Bonding Nature of C60 Adsorbed onthe Si(1 1 I)-(7X7) Surface Studied by HREELS and PES,

10thhtemadonlConference on So止d Surfaces O3止mingham, 3 1 August -4 September, 1998).

12. T. Wakita, K. S血moto, A. Kasuya, Y. Nishirnand S.Suto:

Adsorption iud ChemiCalR飽dion of C60 and C70 onthe Si(1 1 1)-(7X7) Surface,

5thIntemadonlConference on Nanometer-scale Scienceand Teclmology,

田irmingham, 3 1 August -4 September, I 998).

13. S.Suto, K. Sakamoto, D. Rondo, T. Wbkita, A. K血and A. Kakizaki:

Bonding natLJre Of C60 Adsorbed on Si(1 1 1)-(7X7)and Si(100)-(2xl) Surfaces,

9thhtemadonalConference on Vibradons at SurEhces

Olayama, Kanagawa, October 12-16, 1998).

14. T. Wakita, K. Sakamotoand S.Suto:

hterac也on of C70withdlethe Si(1 I 1)7X7and Si(loo)2Xl Surfhcesand Sic FilmGrow血

9thhtema也onalConference on Vibradons at Surfaces

15. D. Kondo, K. Sakamoto, Y. Ushimi, M. H訂ada, A. Kimura, A. Kakizaki and S. Suto:

ChangeinElecbymic Structure of C60 Molecul岱Adsorbed Si(001)-(2xl) Surface

by ThemnalEffect,

The Second htemadonalConfTerence on Synchrotron Radiadon in Matedals Science.

O(obe, October 31-November 3. 1998).

16. K. Sakamoto, D. Rondo, M. Hamda, A. Kimum, A. Kakizaki孤d S. Suto: I

Coverage-Dependent El∝bnic Structure of C60 molecuks adsorbed

on a Si(1 1 1)-(7X7) Surface,

The Second htemadonalConference on Synchrotron Radiadon h Materials Science,

O(obe, October 31-November 3, 1998).

17. K. Sakamoto, D. Rondo, Y. Ushimi, A. hura, A. Kakizaki and S. Suto,

Themal-pepmdent ElecBonic Structure atthe Interface of C60 Adsorbed Si (1 1 1) 7X7 Surface,

htemaldonal Symposium Qn Surfaceandlmte血e: Properdes of Different SyTrmeby Crossing.

(Tokyo. November 19-21 , 1998).

18. S. Suto, K. Sakamoto, D. Rondo, T. Wakita, A. Kimura. A. Kakizaki. C.-W. Hu

and A. Kasuya:

hteracdon of C60withSi(1 1 1)7X7and Si(100)2xI Surfaces

Studied by STM, HREELSand PES,

htemadonalSymposiumon Surface and hterface: Properdes of Different Symmeby Crossing･

Crokyo, November 19-21, 1998).

19. D. Kondo, K. Sakamoto. Y. Ushimi. M. Hamda, A. hura, A. Kakizakiand S. Suto:

Change in Electronic Structure of C60 Molecules Adsorbed Si(001)-(2xl) Surface

by ThennalEffect.

Workshop on Prospects for STMIRelated Sciences in Coming Decades,

(Sendai, M血13, 1999).

20. K. Sakamoto, M. Hamda, D. Rondo. A. hura, A. Kakizakiand S. Suto:

Coverage-Dependent Electromic Structure of C60 molecules adsorbed

on a Si(1 I 1)-(7X7) Su血ce,

Workshop on Prospects for STM-Rehted Scicnces in Conhg Deades,

(Sendai. Mardh 13, 1999).

(国内学会等における発表)

1.脇田高徳､坂本一之､須藤彰三､胡長武､粕谷厚生､

Si表面に吸着したC60の振動状態:吸着量及び温度依存性､

日本物理学会､ 1 9 9 6年秋の分科会､

山口大学､ 1996年10月1日.

2.須藤彰三､坂本一之､

Si(1 1 1)7Ⅹ7及びsi(lop)2Ⅹ1表面に吸着したC60の吸着状態と反応性､

第1 6回吸着分子の分光学的研究セミナー､

国立婦人教育会館､ 1996年12月6日.

3.坂本一之､須藤彰三､

Si表面に吸着したC60からのSiC薄膜の形成､

第1 6回吸着分子の分光学的研究セミナー､

国立婦人教育会館､ 1996年12月6日.

4.坂本一之､脇田高徳､鈴木利尚､須藤彰三､胡長武､落合貴､粕谷厚坐､

Si表面に吸着したC60の温度による吸着状態の変化-SiC薄膜の形成､

日本表面科学会東北支部講演会､

仙台､ 1997年2月14日｡

5.坂本一之､鈴木利尚､脇田高徳､須藤彰三､胡長武､落合貴､粕谷厚生､

Si表面に吸着したC60からのSiC薄膜の形成､

日本物理学会､第5 2回年会､

‥名城大学､ 1997年3月29日｡

6.須藤彰三､坂本一之､脇田高徳､胡長武､粕谷厚生､

Si(1 1 1)-(7X7)及びsi(100)-(2xl)表面に吸着したC60の振動状態と電荷移動､

超微粒子とクラスター懇談会､

慶応義塾大学､ 1997年4月25日｡

7.原田昌史､坂本一之､芦間英典､脇田高徳､粕谷厚生､須藤彰三､

Si(111)7Ⅹ7表面に吸着したC60とSiダングリングボンドの相互作用､

日本物理学会､ 1 9 9 7年秋の分科会､

神戸大学､ 1997年10月5日｡

8.坂本一之､鈴木利尚､原田昌史､芦間英典､脇田高徳､粕谷厚生､須藤彰三､

C60を用いたSiC薄膜の成長機構､

日本物琴学会､ 1 9 9 7年秋の分科会､

神戸大学､ 1997年10月5日｡

9. 坂本一之､須藤彰三､粕谷厚生､

Si表面上のC60分子とSi原子の相互作用:吸着量及び温度依存性､

第2回関西薄膜表面物理セミナー､

(財)閑西地区セミナーハウス､ 1997年11月7日｡

1 0.須藤彰三､坂本一之

HREELS-STMによるC60とSi表面の相互作用､及びsiC膜形成､

第1 7回吸着分子の分光学的研究セミナー､

国民年金京都会館､ 1997年12月6日.

1 1.近藤大雄､坂本一之､原田昌史､須藤彰三､木村昭夫､柿崎明人

C60吸着Si表面の電子状態､

日本物理学会､第5 3回年会､

東邦大学､日本大学､ 1998年4月2日.

1 2.脇田高徳､坂本一之､粕谷厚生､須藤彰三､

Si表面に吸着したC70の振動状態:吸着量及び温度依存性､

日本吻理学会､ 1 9 9 8年秋の分科会､

13.須藤彰三､

(表面界面シンポジウム)カーボン6 0とシリコン表面の相互作用

吸着､膜成長､ SiC膜形成､

日本物理学会､ 1 9 9 8年秋の分科会､

沖縄国際大学､ 1998年9月27日.

1 4.坂本一之､近藤大雄､牛見義光､木村昭夫､柿崎明人､須藤彰三､

C60吸着Si(1 1 I)-(7X7)表面の電子状態:温度依存性､

日本物理学会､ 1 9 9 8年秋の分科会､

沖縄国際大学､ 1998年9月28日.

1 5.近藤大雄､坂本一之､牛見義光､木村昭夫､柿崎明人､須藤彰三､

C60吸着Si(001)-(2Xl)表面の光電子分光､

t'日本物理学会､ 1 998年秋の分科会､

沖縄国際大学､ 1998年9月28日.

1 6.坂本一之､近藤大雄､牛見義光､木村昭夫､柿崎明人､須藤彰三､

C60吸着Si表面の電子状態､

日本真空協会連合講演会､

大阪科学技術センター､ 1998年11月11日.

1 7.近藤大雄､坂本一之､牛見義光､木村昭夫､柿崎明人､須藤彰三､

Si表面に吸着したC60の電子状態､

日本表面科学会東北支部講演会､

仙台､ 1998年11月27日.

1 8.大野健一､坂本一之､近藤大雄､木村昭夫､柿崎明人､須藤彰三､

カーボン6 0を前駆体とした炭化ケイ素薄膜の成長過程､

日本表面科学会東北支部講演会､

仙台､ 1998年11月27日.

1 9.近藤大雄､坂本一之､牛見義光､木村昭夫､柿崎明人､須藤彰三､

Si(001)-(2Xl)表面に吸着したC60の電子状態:温度依存性､

日本物理学会､第5 4回年会､

広島大学､ 1999年3月28日.

研究成果

本研究の成果は､既に3 1編の論文および解説文として学会誌等に発表して

おり主要なものを以下に掲載し報告書に代える｡

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コメント・シート

本報告書収録の学術雑誌等発表論文は本ファイルに登録しておりません。なお、このうち東北大学

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