研究業績・活動報告2017
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![Table Etching rates of electron beam resists before and after sequential chemical vapor reaction (SCV) positive-tone electron beam resist cycle number of SCV O 2 RIE etching rate [nm min -1 ] Ar ion millingetching rate[nm min-1] C 3](https://thumb-ap.123doks.com/thumbv2/123deta/5926174.1051713/114.892.478.772.133.248/etching-electron-sequential-chemical-reaction-positive-electron-millingetching.webp)
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