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129 研 究 会 報 告
研究会報告目次
2017( 平成 29) 年 1 月 –12 月
01/16-18 窒化物半導体国際ワークショップ(IDGN-3)···130 01/17 ベースメタル研究ステーションワークショップ
「鉄鋼原料の多様化と精錬プロセスにおける課題」···131 02/10 第10回新機能無機物質探索研究センターシンポジウム···132 02/15 若手研究者交流講演会—機能性材料合成と特性計測—···136 05/23 ベースメタル研究ステーションワークショップ
「非鉄金属プロセスの基礎と応用」···136 06/19 ベースメタル研究ステーション国際ワークショップ
Frontier of high temperature crystal growth ···137 07/14 熱エネルギー有効利用のための蓄熱技術···137 07/18 Dr. Nicolas Winssinger教授講演会···138 07/27 第11回新機能無機物質探索研究センター・シンポジウム···138 09/07 炭素材料の合成と応用に関するシンポジウム···140 09/07-08 低次元系光機能材料研究会 第6回サマーセミナー2017···140 09/19-20 物理化学コロキウム···141 11/21 素材工学研究懇談会「金属製錬のプロセスと素材分野の最近の研究開発動向」···142 11/22 第8回サステナブル理工学研究センターシンポジウム···144 11/27 高分子・ハイブリッド材料研究センターシンポジウム···145 11/29 ベースメタル研究ステーションワークショップ
「融体構造制御の産業への応用」···146 12/19 第5回炭素系資源の利用に関する勉強会···147
12/19-20 多元研・産研COREラボジョイントミーティング/
第7回東北大中性子グループワークショップ···148
研 究 会 報 告 130
窒化物半導体国際ワークショップ
3rd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-3)
日時： 平成29年1月16日-18日 場所： 東北大学金属材料研究所
主催： 福山博之教授（多元研）、松岡隆志教授（金研）共同開催 参加人数： 53名
(プログラム) Jan.17
Session I:：Electronic Devices I
・Reduced current collase in AlGaN/GaN HEMTs for low-loss power switching operation
Masaaki Kuzuhara(Fukui Univ.)
・Neutral beam etching: A new approach to minimize plasma-induced damages in GaN-based devices
Tetsuya Suemitsu(Tohoku Univ.)
・GaN-based normally-offHEMTs for switching and logic applications
Jan Kuzmik(Slovak Academy of Sciences)
・MOVPE Growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN Inverted HEMT Structures and Their Electrical Properties
Kiattiwut Prasertsuk(Tohoku Univ.) Session II: Crystal growth of Bulk GaN
・Development of high quality large size GaN substrates and improvement of GaN electrical devices performance by
using GaN substrates Yohei Otoki(SCIOCS)
・HVPE as a method for crystallizing GaN with low background impurity concentration with controllable doping -highly conductive n-type and semi-indulating material Malgorzata Iwinska(UNIPRESS)
Session III: Growth of AlN and AlGaN
・Liquid phase epitaxial growth of AlN layer on nitrided sapphire templates using Ga-Al solution
Masayoshi Adachi(Tohoku Univ.)
・Epitaxial growth of Aluminum Nitride for opto-electronic applications Balaji Manavaimaran(Univ. of Madras)
・Growth of AlGaN for Deep UV applications
Venkatachalam Sabarinathan(Manonmaniam Sundaranar Univ.) Session IV: Characterizaion for Devices
・Gradual degradation in III-V and GaN-related optical devices Osamu Ueda(Kanazawa Inst. Tech.)
・Structural characterization of defects in nitride semiconductor materials Akira Sakai(Osaka Univ.)
・Photonic phenomenon in carrier dynamics and interaction with radiation in III-nitride materials
Yoshihiro Ishitani(Chiba Univ.) Jan.18
Session V: Electronic Devices II
・Progress and Future Challenges of High-Voltage SiC Power Devices Tsunenobu Kimoto(Kyoto Univ.)
・Improved MOS gate control for GaN power transistors Tamotsu Hashizume(Hokkaido Univ.)
・MOS channel properties on homoepitaxially-grown p-type GaN layers
Shinya Takashima(Fuji Electoric co. ltd.)
・GaN on GaN power devices –Present status of process technology– Tetsu Kachi(Nagoya Univ.)
131 研 究 会 報 告
2016 年度ベースメタル研究ステーションワークショップ
「鉄鋼原料の多様化と精錬プロセスにおける課題」
主催： 東北大学多元物質科学研究所ベースメタル研究ステーション
共催： 日本鉄鋼協会東北支部、日本鉄鋼協会 高温プロセス部会 精錬フォーラム、製鉄プロセスフォー ラム
主旨： 近年、鉄鋼の生産拡大に伴い、鉄鉱石の枯渇および品質の低下および低炭素による製鉄が課題 となっている。社会における鉄鋼蓄積量は増加し続け、これらの循環利用による資源多様化お よび低炭素での鉄鋼生産が期待されている。スクラップ原料の組成範囲および使用量拡大のた めには、従来の電炉を用いた製鉄プロセスに加え高炉製鉄プロセスにおけるスクラップの精錬 が必要となる。同時に溶融による熱バランスの変化や循環元素の濃縮が大きな課題となる。本 ワークショップでは講演と討議を通して鉄鋼原料の多様化に伴う精錬プロセスの課題と対応の 可能性を探る。
日付： 2017年1月17日 14:30-17:00
場所： 東北大学多元物質科学研究所 事務棟2F大会議室 参加者： 25名
物質・デバイス領域共同研究拠点研究
反応界面積の極大化による超高速精錬プロセスの追求
北海道大学 夏井俊悟助教 液体金属の界面現象としKCl-LiCl溶融塩中の金属融体の挙動の観察に関する研究成果の紹介があった。スクラップ利用拡大の課題とトランプエレメントの分離
日本工業大学 内田祐一教授 極東向けスクラップ輸出が低減する中で、国内のスクラップ利用の拡大を図ることが必要であり、利用のためのト ランプエレメント分離方法について講演があった。固体鉄相の液体金属中への溶解
東京工業大学 小林能直教授 スクラップ中のトランプエレメントの影響を制御する方について講演があった。Cu脆化に対するγ粒界の微細化 による制御に関する研究成果の紹介があった。スクラップ利用に関する研究の動向
東北大学 植田滋准教授 これまでの国内における鉄鋼製錬におけるスクラップ利用研究に関する研究の変遷の概要説明を行い、トランプエ レメント除去に対する研究の取り組みを説明した。研 究 会 報 告 132