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Microsoft PowerPoint - 第5回電磁気学I 

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Academic year: 2021

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(1)

2010年11月08日(月) 13:00-14:30 S2Y 平成22年度 工V系(社会環境工学科) 第5回 平成22年度 工V系(社会環境工学科) 第5回 電磁気学Ⅰ 天野 浩 項目 電界と電束密度、ガウスの発散定理とガウスの法則の積分形と微分形 デ 電気力線 使 方を タ ます *ファラデーの電気力線の使い方をマスターします。 *電界と電束密度を定義します。 ガウスの発散定理を用いて ガウスの法則の積分形から微分形を *ガウスの発散定理を用いて、ガウスの法則の積分形から微分形を 導出します。 *ガウスの法則を用いて 様々な問題を解析します *ガウスの法則を用いて、様々な問題を解析します。 ファラデーと電気力線 電気力線の性質 電気力線の性質 1.電気力線の各点での接線はその点での電界 の向き の向き。 2.電気力線の始点は正電荷,終点は負電荷, または無限遠 または無限遠。 3.電気力線の本数の密度(本/m2)は電界の強 さ|E|に比例する さ|E|に比例する。 4.正電荷q からは(q /ε)本の電気力線が発生 する (は誘電率 ) Michael Faraday, 1791-1867、UK する。(は誘電率。) 5.ある閉曲面の表面を通過する電気力線の本 数は その閉曲面の内側に含まれる電気量に ウィキペディアより 数は、その閉曲面の内側に含まれる電気量に 比例する。 6 電荷のないところで途切れたり二つ以上の電 6.電荷のないところで途切れたり二つ以上の電 気力線が交わることはない。

(2)

ファラディの電気力線 + 誘電率 +

Q

Q

*電荷Q から, 本の電気力線が出ると考える。 *プラスの電荷から電気力線が出て,マイナスの電荷は電気力線を 吸い込む。 ファラディの電気力線 誘電率 誘電率 ++ *異種電荷では 電気力線をもとに戻そうという引力が発生する *異種電荷では,電気力線をもとに戻そうという引力が発生する。

(3)

ファラディの電気力線 誘電率 誘電率 ー 同種電荷では 電気力線をもとに戻そうという斥力が発生する *同種電荷では,電気力線をもとに戻そうという斥力が発生する。 ファラディの電気力線 誘電率 電荷Qを中心とした半径rの球の表面の 電気力線の本数の密度は 誘電率 

1

Q

Q

電気力線の本数の密度は 2 2

4

4

r

Q

r

Q



rr 半径rの球の表面積は4r2であることを思い出そう!

(4)

電気力線のある場=電界 電界Eq 電界E F=+q×Eq +qの電荷にF[N]=q[C]×Eという力が働く場を電界Eと定義する。 F +q E q 電荷 [ ] q[ ] う 働 場を電界 定義す 。 従って、電界の単位:[N/C] 電荷Qが距離rの位置に作る電界の大きさEは

1

Q

]

/

/

[

4

1

2

N

C

V

m

Q

E

4



r

2 こちらの単位の方がよく 使われる。 誘電率と電界ベクトルと電束密度ベクトル 誘電率と比誘電率 *誘電率ε [F/m] は電荷の溜め易さを表す。[ ] *比誘電率εrとは、その材料の誘電率の真空の誘電率ε0 [F/m] に対 する割合。 =  0 光速cと真空の誘電率透磁率  r0ε0 = 8.85418782×10−12 F/m 1    c 光速cと真空の誘電率透磁率 電束密度 (電気力線の束の密度という意味。) *電気力線を「何本か」を束ねたもの 0 0  *電気力線を「何本か」を束ねたもの。 *1[C]の電荷からは1本の電束が放射されていると定義。 →q[C]の電荷からはq本の電束が放射されている →q[C]の電荷からはq本の電束が放射されている。 *電束密度D [C/㎡] とは、単位面積あたりの電気力線の本数というこ とになり 電界との関係を式で書くと *電束密度と電界の関係

D

E

とになり、電界との関係を式で書くと、

(5)

ガウスの法則 (1837)・・・電荷と電界の関係を表した式 積分形 積分形





E

d

S

Q

k

,



D

d

S

Q

k



k S k S









E

d

S

dV

D

d

S

dV

ある閉曲面領域内に電荷が存在すると









V S V S

dV

S

d

D

dV

S

d

E

,

Johann Carl Friedrich G ß 1777 1855 ある閉曲面領域内に電荷が存在すると、 その領域から電荷と等しい電束が出入 りする Gauß、1777-1855、 Germany りする。 微分形 ウィキペディアより 微分形

 

 

E

,

D

:ローと読む (rのギリシャ文字)

E

,

D

E 電界 D 電束密度 電荷密度 Q 電荷 誘電率 :ローと読む。(rのギリシャ文字) E:電界、D:電束密度、:電荷密度、Q:電荷、:誘電率 ガウスの発散定理を使って積分形を微分形にする。 ベクトルの発散とは?第3回講義ノート参照 ベクトルの発散とは?第3回講義ノ ト参照

A

d

S

S d r A



    ( ) S

A

d

S

V r A r A div S V       lim ) ( ) ( 0 微少体積 V 流束密度ベクトルA(r)を持つ流れの、微小体積Vの表面Sを通して 流束密度 クトル を持 流れの、微小体積 の表面Sを通して 外に向かう全流束をVで割ったものの極限。 ) (r A

(6)

ガウスの発散定理を使って積分形を微分形にする。 S d r A   ( )  V r A r A div S V           ( ) lim ) ( ) ( 0





            S A r V A r dS S d r A r A       ) ( ) ( ) ( ) ( Vが十分小さい時、



V ( ) S ( ) ) ( *左図の様に、任意の大きさの体積V Vi V に対して、それをn個の微小領域 V1,V2,・・・に分けると、それぞれの微

r

O V 小領域で上の式が成り立つので、すべ て加えると i

r

n n



        n i S n i i i i S d r A V r A 1 1 ) ( ) (    i i番目の微小領域Viの全表面 ガウスの発散定理を使って積分形を微分形にする。 *dSは各微小領域ごとに外向きにとる



        n i S n i i i V A r dS r A 1 1 ) ( ) (   

dSは各微小領域ごとに外向きにとる。   i S i i 1 1

A

Vi V i

r

ix

S

d

x i

S

d

1 O i *右辺の和に関して、隣接するViの 境界面の寄与はA( )が同じなのでdS i i+1 境界面の寄与はA(r)が同じなのでdS が逆向きとなり打ち消しあう。 もとの体積Vの外表面の寄与のみ →もとの体積Vの外表面の寄与のみ が残る。 ガウスの発散定理



   ni n i i i V A r dS r A 1 1 ) ( ) (   





S V

S

d

r

A

dV

r

A

(

)

(

)

  i S i i 1 1 V S

(7)

ガウスの発散定理を使って積分形を微分形にする。 ガウスの発散定理





A

(

r

)

dV

A

(

r

)

d

S

ガウスの法則の積分形 ガウスの発散定理





S V

)

(

)

(

ガウスの法則の積分形





  V S dV S d D  







D

dV

D

d

S

dV

V S







V S V

ガウスの法則の微分形

 D

意 成 任意の点について成り立つ。 外の電荷と中の電荷とガウスの法則

真空中 閉曲面S Q dS

E

真空中 Q1

E

dS Q2 QN QN+1 QN+2 QN+1    

E

E



E

N

E

1

2



i   i Q S d E    より     1 2 N



S 0



N

Q

i

S

d

E

最重要!



 

S i i

Q

S

d

E

1

0 閉曲面の外側の電荷は、右辺に 含まれない!

(8)

Q5-1 図に示すように、Q1=6.0×10-8[C]、Q2=-12.0×10-8[C]の二 つの電荷が10.0[cm]離れて置かれている時、二つの点電荷の中点の[ ] 電界の向きと大きさを求めなさい。 Q1=6.0×10-8[C] Q2=-12.0×10-8[C] 10.0[cm] 10.0[cm] Q1の作る電界とQ2の作る電界は向きは同じでどちらも右側 向きは左から右 ] / [ 10 48 . 6 05 0 1 10 854 8 14 3 4 10 0 . 12 10 0 . 6 1 4 1 4 5 2 12 8 8 2 2 2 1 N C r Q r Q               向きは左から右 05 . 0 10 854 . 8 14 . 3 4 4 40 r1 0 r2    Q5-2 真空中に誘電率で,内部に一様に総電荷qが広がっている半aの球の内部および外部の電界を求めなさい。 球内部において,半径rの地点までの内部電荷は, 4 a q a r q a r 3 3 3 3 4 3 4    a a 3 従って球内部の電界は 従って球内部の電界は q r q a r E 3 3 1 1 [N/C] q a r a Ein 2 3 4 4    球外部の電界は [N/C] 球外部の電界は 2 4 1 q Eout2 N/C] 0 4 r out  [N/C]

(9)

Q5-3 無限の長さの導線に単位長さ当たりq[C/m]の電荷が与えられ ている時, この導線から垂直距離a[m]だけ離れている地点Pでの電 界の方向および大きさを求めなさい。 a a

P P a

地点Pから垂線を下ろした点を中心にし て上下同じ位置 同じ長さからのPへの て上下同じ位置,同じ長さからのPへの 電界を考えると,その合成電界は導線 に垂直方向で 放射状になる に垂直方向で,放射状になる。 Q5-3 無限の長さの導線に単位長さ当たりq[C/m]の電荷が与えら れている時, この導線から垂直距離a[m]だけ離れている地点Pでの 電界の方向および大きさを求めなさい。

d

図のように上下の微小長さdlがPに作る電界Eは, a

d

に作る電界 は, P

1

2

q

dl

a

E

d

(

)

)

(

4

2

2 2 2 2 0

a

l

a

l

E



従って無限の導線では

d

3

4

1

2

q

a

dl

E

従って無限の導線では

0 2 3 2 2 0

)

(

4

dl

l

a



0 2 3 2 2 0

)

(

2

l

a

dl

aq



)

2

(

a

l

(10)

Q5-3 無限の長さの導線に単位長さ当たりq[C/m]の電荷が与えられ ている時, この導線から垂直距離a[m]だけ離れている地点Pでの電 界の方向および大きさを求めなさい。

d

変数変換すると

dl

aq

E

a

d

P 

2

0

(

)

2 3 2 2 0

l

a

q

E



d

cos

)

(

2 3

a

aq

d

cos

cos

2

0 0 3 2

d

a

a

aq



cos

2

d

q

cos

2

a

0 0

d

]

/

[

2

a

0

N

C

q

問題2-4 Q5-3 無限の長さの導線に単位長さ当たりq[C/m]の電荷が与えられ ている時, この導線から垂直距離a[m]だけ離れている地点Pでの電 界の方向および大きさを求めなさい。 上下方向の電界は無い ガウスの法則を使うと 上下方向の電界は無い a ガウ の法則を使う



D

d

S

q

内部の電荷



d

dl×2a×D=q×dl

d

dl×2a×D q×dl

]

/

[

N

C

q

E

[

/

]

2

0

a

N

C

E



(11)

Q5-3 無限に広く薄い導体平板に面密度[C/m2]で電荷が一様に 分布している。この平板からr[m]だけ離れている地点Pでの電界の大[ ] きさを求めなさい。 表と裏を考える 



D

d

S

q

表と裏を考える 2×DdS=qdS

]

/

[

2

0

N

C

E

0 Q5-4 単位面積あたり,それぞれ[C/m2]の電荷密度で一様に 帯電している,無限に広い導体平板が平行に設置されている時,電界 の大きさを求めなさい。 コンデンサの原理。  二枚の 板間 板間 平行平板の外では 打ち消しあ て電界 平行平板の外では,打ち消しあって電界 は零 平行平板の内側のみ E 2   [N /C] 平行平板の内側のみ [ / ] 2 2 0 0 C N E     

(12)

本日のまとめ •ガウスの法則を式で表しなさい。 ガウスの発散定理を説明しなさい •ガウスの発散定理を説明しなさい。 •電界の単位を2つ示しなさい。 2枚の無限平面導体平板における導体の電荷密度と 2枚の導体の •2枚の無限平面導体平板における導体の電荷密度と,2枚の導体の 間、および外側の電界強度を説明しなさい。

参照

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