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2015
年
5
月
29
日
富士電機株式会社
電子デバイス事業本部
電子デバイス事業
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半導体
パワー半導体
サブセグメント
主要製品
用途
感光体
複写機
プリンタ
電子デバイス
事業紹介
インバータ
UPS
PCS
エアコン
自動車
電源
ディスク媒体
アルミ媒体
ガラス媒体
ハード
ディスク
ドライブ
ハード
ディスク
ドライブ
生産拠点
【前工程】
・富士電機㈱松本工場
・富士電機㈱山梨製作所
・富士電機津軽セミコンダクタ㈱
・マレーシア富士電機社
【後工程】
・富士電機パワーセミコンダクタ㈱
・富士電機(深圳)社
・フィリピン富士電機社
・マレーシア富士電機社
・富士電機(深圳)社
・マレーシア富士電機社
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◆市況変動に左右されない
利益重視の事業運営と
事業の拡大
⇒事業リスク管理の強化
(設備投資、研究開発投資の効率向上)
◆
世界
No.
1の技術
/
性能の新製品
による顧客及び
社内事業拡大への貢献と業界ポジションの維持拡大
3
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(5.3%)
(5.9%)
(7.5%)
4
896
977
1021
100
105
91
235
290
261
感光体
パワー半導体 ディスク媒体
2013年度 2014年度 2015年度 経営計画
2013年度 2014年度 2015年度 経営計画
売上高
営業利益
(億円) (億円)
1,230
1,372
1,373
電子デバイス
事業計画
65
81
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■パワー半導体
□事業概要
□市場動向
□事業計画
□重点施策
■感光体
■ディスク媒体
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パワー半導体
事業概要
用
途
適
用
製
品
特
長
産業分野
【売上比率:47%
⇒
53%】
自動車分野
【売上比率:35%
⇒
29%】
車載IGBT IPM
イグナイタ
電源制御IC
MOSFET パワーIC
インバータ、NC工作機械、エレベータ、UPS、 PCS(風力・太陽光発電)、エアコン、等
エンジン制御、トランスミッション制御、ブレーキ 制御、ステアリング制御、HEVモータ制御、等
産業機器、通信機器、サーバ、PC、薄型TV、 ゲーム機、複写機、プリンタ、等
サーバ 薄型TV
電力変換効率を大幅に向上させる独自 デバイス(SiC、RB-IGBT)と高信頼性を 実現する実装技術
厳しくなる電源規格の省エネ要求に対し て高耐圧・低損失の電源IC技術、
SJ-MOS ※
技術で実現
ダイオード
ディスクリート
圧力センサ
ディスクリート IGBTモジュール
独自技術(直接水冷技術、1チップ化技 術)で “走る・曲がる・止まる”向けに小型・ 軽量・高信頼性のキーデバイスを実現
SiCモジュール
RB-IGBTモジュール
【2013⇒
2014年度】
SJ-MOS:Superjunction MOSFET
風力発電 インバータ
電源分野
【売上比率:18%
⇒
18%】
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144.8
157.2
164.8
172.7
0.0 50.0 100.0 150.0 200.0
2013
年度
2014
年度
2015
年度
2016
年度
電源
自動車
産業
10
パワー半導体市場動向
[
単位:億ドル
]
※ IHS他市場データより弊社推定
■
国内、海外とも産業分野(産業設備、新エネルギー)が市場を牽引
産業分野
CAGR 8.8% 自動車分野
CAGR 4.9%
■
国内、海外とも産業分野(産業設備、新エネルギー)が市場を牽引
電源分野
CAGR 5.5%
8.6%
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425
520
571
312
279
260
159
178
190
12
パワー半導体
事業計画
分野別売上高
2013年度 2015年度
経営計画
自動車
産業 電源
国内 海外
(比率)
国内・海外別売上高
2014年度 2015年度 経営計画
1,021
977
977
1,021
伸長率
22.4%
896
2014年度
896
2013年度
(億円) (億円)
(44%)
■自動車分野の売上減少を産業分野と電源分野の拡大でカバー
■
2015
年度に海外売上高比率
50
%超過
(49%)
(52%)
伸長率
9.8%
伸長率
11.9%
伸長率
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●市場伸長率を超える売上拡大
◇新製品投入による売上拡大とシェア拡大
◇海外デザインセンターでの現地設計強化
●世界
No.
1の技術・製品の実現と設計品質の向上
◇産業用
IGBT
モジュールの第7世代開発と市場投入
◇パワエレ機器向け
SiC
モジュールの開発加速
●グローバル最適生産体制の構築
◇地産・地消確立による収益力強化
(後工程
海外生産比率
48%
⇒
51%
)
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産業用分野
新製品概要
ターゲット
新製品
特長
量産時期
太陽光
PCS
UPS
AT-NPC (
新3レベル
)
モジュール
(
RB-IGBT)
外部配線が容易 低サージ電圧 低損失
系列拡大
2016/1
~
太陽光
PCS
UPS
モータドライブ全般
SiC
ハイブリッドモジュール
(
V
シリーズ+
SiC-SBD
)
SiC-SBD搭載によるスイッチ ング損失の大幅低減 (ex.▲35%)
系列拡大
2015/3Q
~
汎用インバータ
汎用サーボ
エアコン
モータドライブ全般
MiniSKiiP
®(
V
シリーズ)
小容量
IPM
(第
2
世代)
第7世代
IGBT
モジュール
(
X
シリーズ)
小型軽量パッケージ 半田レス実装可能
超小型パッケージ 駆動IC・保護機能搭載
小型・低損失
175℃連続動作保証
2015/10
~
2015/12
~
2016/4
~
電力変換の高効率化
を実現する新製品
・
最新チップを適用し低損失を実現
・
小型パッケージや高放熱パッケージを適用し使い易さを実現
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自動車分野
新製品概要
ターゲット
新製品
特長
量産時期
1
A
前後の負荷制御
(リレー、ソレノイド、ランプ、など)
ハイサイド
IPS
低オン抵抗, 低消費電流 自己保護機能内蔵 状態出力端子付き
系列拡大
2015/6
~
1A
前後のリニア制御
リニア制御
IPS
(ハイサイドスイッチ+オペアンプ)
低オン抵抗 高精度アンプ検出 自己保護機能内蔵
2015/8
~
吸気圧
/
過給圧センサ
吸気圧センサ
過給圧センサ
小型、軽量
圧力導入孔の氷結目詰ま り対策
系列拡大
2015/10
~
燃料タンク圧センサ
燃料漏れ検知用センサ
高感度仕様測定可能レンジ
(大気圧±6.7キロパスカル)
系列拡大
2015/10
~
オイル圧センサ
燃料圧センサ
高圧外装センサ
軽量(他社比55%)
2017/7
~
小型軽量、高信頼性
を実現する新製品の上市を継続
・
ハイサイド品の次世代トレンチ
IPS
の開発を推進中
・
低圧センサの系列化、燃料タンク用途への展開を推進中
・
5
メガパスカル以上の高圧外装パッケージを開発中
SOP8(new)
吸気/過給圧
高圧外装センサ (ねじ込みタイプ)
相対圧小型セル
16
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電源分野
新製品概要
狙いの分野
新製品
特長
量産時期
液晶テレビ
プリンタ
PC
電源
LED
照明
サーバ
標準電源
PWM
制御
IC
80シリーズ
商用電源が不安定な新興 国向け
電源小型化
系列拡大
2015/3Q
~
00シリーズ 過負荷に強く使い易い
低待機電力
系列拡大
2015/4Q
~
SJ-MOSFET
(第
2
世代)
使い易さを追求低損失 低ノイズ
2015/10
~
SiC SBD
(第
2
世代)
使い易さを追求 高速スイッチング低損失
2016/1
~
ディスクリート
IGBT
高速スイッチング低損失
系列拡大
2015/10
~
省エネ
を実現する新製品の上市を継続
・
最新チップを適用し使い易さを追求
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営業拠点
上海
台湾 香港
シンガポール ムンバイ
フランクフルト
ニュージャージ-
日本
●研究開発のグローバルマザー拠点である松本に技術開発センター完成(
2015
年
5
月)
●海外デザインセンター(中国・台湾・欧州)で現地ニーズを取込んだ製品開発を加速
設計拠点
地設強化による売上拡大
(海外デザインセンター)
18
欧州デザインセンター
(フランクフルト/2013年10月設立)
産業IGBTの地設
台湾デザインセンター
(台北/2013年10月設立)
電源制御
I
Cの地設
技術開発センター
(松本)
2015
年
5
月完成
中国デザインセンター
(深圳/2013年1月設立)
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技術開発センター
(
2015
年
5
月完成)
【建設概要】
・構 造:鉄骨免震構造 地上6階建 ・建築面積:約2,700㎡(40m×67m ) ・延べ面積:12,500㎡
・収容人員: 900人 ・投 資額 :48億円
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マレーシア
松本
生産拠点計画
津軽
山梨
・8インチ
IGBT
生産系列拡大
・第7世代
IGBT
生産
国内(3拠点)
マレーシア
フィリピン
中国
(
深圳)
・パワー半導体生産系列拡大
・前工程マザー工場
・大口径化の推進
・
SiC
生産拠点としての本格量産
・
IGBT
生産系列拡大
・後工程マザー工場
・国内向け製品生産
・中国内向け産業用
IGBT
生産
系列拡大
・生産能力増強
・電源製品、自動車用圧力センサ
生産
・エアコン用
IPM
生産拡大
・
産業用
IGBT
生産系列拡大
大口径比率拡大、生産性向上
海外生産比率の拡大
前工程
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153
147
141
69
70
71
80
84
87
302
301
299
0 100 200 300
2 0 1 3年度 2 0 1 4年度 2 0 1 5年度
112.7
115.7
118.7
■複合機能を持ったカラープリンタ・複写機の需要が市場を牽引
■OPC所要本数は増加するが、市場は引き続き300億円規模の見通し
感光体(
OPC)
市場動向
22
30%
25% 23% 12% 10%富士電機
日本メーカー (1社)
韓国メーカー (7社)
中国メーカー (15社)
その他
感光体外販メーカーの世界シェア
(内製を除く)※出典:データサプライ、インターウオッチ他市場データより弊社推定
OPC所要本数(百万本
)市場規模(億円
)
2013
年度
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●世界
No.1
の技術力とコスト力による利益重視の事業運営
◇カラー機用の積層構造型正帯電型OPCを開発し
「従来比1
.
5倍の高感度特性」を実現(世界初)
◇複合機用(高速/長寿命)の負帯電型
OPC
を開発し
「従来比2倍の高耐久性」を実現(業界トップレベル)
●難易度の高い分野でトップシェアを維持
◇高付加価値機種(カラー機用、複合機用)の拡販を推進
(売上構成比
2014
年度
47%
⇒
2015
年度
52%
)
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ディスク媒体
市場トレンド
554
551
534
515
504
0 200 400 600
2013年度 2014年度 2015年度 2016年度 2017年度
【
HDD
生産台数
(2013
~
2017)
】
C 社
B 社
A 社
(百万台)
934
930
931
1,034
1,063
0 500 1,00 0
2013年度 2014年度 2015年度 2016年度 2017年度
【 媒 体 所要枚 数
(2013
~
2017)
】
C 社
B 社
A 社
(百万枚)
■HDDの生産台数は減少するものの、搭載枚数の増加に伴い、
媒体の所要枚数は増加する見通し
※TrendFocus等市場データより弊社推定
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●次世代新製品の顧客との共同開発強化
◇世界
No.1
の技術力・コスト力の確保
◇高度化する顧客要求品質への対応
◇新機種系列拡大の実現
(
2014
年度新機種1機種⇒
2015
年度新機種7機種)
●マレーシアのディスク媒体・半導体子会社統合による
利益体質強化
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©2015 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved.
81
89
96
15
17
17
112
103
108
2
3
4
28●設備投資:増産投資から次世代製品・新製品の開発投資重視へ
●研究開発:次世代製品
(
SiC・第7世代IGBT
)
及び新製品の開発加速
研究開発
設備投資
2014年度 2015 年度 経営計画
2014年度 2015 年度 経営計画
【2015年度の主な内容】
●第7世代IGBTモジュールの開発
●パワエレ機器向けSiCモジュールの開発
●ディスク媒体次世代新製品の顧客との共同開発
電子デバイス
設備投資・研究開発
(億円) (億円)
【2015年度の主な内容】
●半導体技術開発センター 建設(松本)
●次世代半導体開発設備
●自動車用圧力センサ増産設備
※研究開発費はテーマに応じてセグメントに分類したもので、決算短信記載の数値とは異なります。 ※2013年度の研究開発費は2014年度の事業組替を反映し表示しています。
106
113
113
112
半導体
ディスク 媒体
半導体
2013年度
96
ディスク媒体
106
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