総括

ノ

次にこのモデルを拡張して､枇素系アモルファス･カルコゲナイド半導体 における"大規模"変化に対する､新しい構造変化モデルも提案した｡この再 現性のある､また規則的な"大規模変化"はこの新しい構造変化モデルをベー

スとして､アモルファス･カルコゲナイド半導体の応用面に多くの示唆を与え るものと確信する｡

今後の研究課題としては､本研究の一環として､ゲルマニュウム系アモル ファス･カルコゲナイド半導体における光誘起現象の構造変化モデルを新たに 導き出すことである｡つまりゲルマニュウム系アモルファス･カルコゲナイド

半導体と枇素系アモルファス･カルコゲナイド半導体の膜厚とバンドギャップ の変化挙動は全く逆の測定結果を示しているため､第5章で提唱した構造変化 モデルでは説明が出来ない｡ゲルマニュウム系アモルファス･カルコゲナイド 半導体に関してはおそらく"クーロン反発による膨張とスリップモデル"は適 用できないと思われる｡ゲルマニュウム系は基本的には"層構造"をとってい ない可能性もあり,マクロな構造も含めて検討する必要があろう｡これについ ては､将来の課題として残された｡引き続き本研究室で継続研究される事を強 く望むものである｡

本研究に関する発表論文

Ⅰ.原著論文

1. Y. Kuzukawa, Ashtosh Ganjoo and K. Shimakawa,

〟photoinduced structural changes ⁱⁿ obliquely deposited As‑ and Ge‑ based amorphous chalcogenides ^:correlation between changes in thickness andband gap )) ^,

Journal of Non‑Crystalline Solids 227･230 (1998) ^715‑718･

2. K. Shimakawa, N. Yoshida, Ashtosh GanJOO and Y･ Kuzukawa,

〟A model for the photostructural changes ⁱⁿ amorphous chalcogenidesn ^,

Philosophical Magazine Letters 77 (1998) ^153‑158･

3. Y. Kuzukawa, Ashtosh Ganjoo, K. Shimakawa and Y･ Ikeda,

〟photo･induced structural changes ⁱⁿ obliquely deposited _arsenic‑

based amorphous chalcogenides ^:A model for photostructural

))

changes ^,

Philosophical Magazine B, (印刷中)

Ⅱ.国際(国内)会議などの発表

1.葛川幸隆､AshtoshGanjoo､嶋川晃一:

斜方蒸着As及びGe系カルコゲナイドの光及び熱に誘起される変化 第5 6回応用物理学会学術講演会､千葉(1997年春季)

2. Y. Kuzukawa, Ashtosh Ganjoo and K. Shimakawa,

"Photoinduced structural changes ⁱⁿ obliquely deposited As･ and Ge･ based amorphous chalcogenides ^:correlation between

)∫

changes ⁱⁿ thickness and band _{gap ,}

International Conference of Amorphous and Microcrystalline Semiconductors･Science and Technology Hungary (August 1997)･

3.葛川幸隆､ AshtoshGanjoo､鴨川晃一､池田 豊:

斜方蒸着されたAs系カルコゲナイドガラスにおける光照射による 構造変化モデル

第5 9回応用物理学会学術講演会､広島(1998年秋季)

4.池田 豊､ AshtoshGanjoo､鴨川晃一､葛川幸隆:

斜方蒸着a･As2S3薄膜の光照射中の膜厚変化:光生成キャリアの役割 第5 9回応用物理学会学術講演会､広島(1998年秋季)

謝辞

本研究を遂行するにあたり､嶋川晃一 岐阜大学工学部電気電子工学科教 授には絶大なる御指導を賜りました｡社会人学生ということで､時間的､場所

的､能力的なハンデキャップがあった中で､本当に親身にお教えいただきまし てこの論文を纏めることが出来ました｡衷心より厚く御礼を申し上げます｡

近藤明弘 岐阜大学工学部電気電子工学科助教授には､研究過程において 多大なる御助言を頂きました｡また本論文まとめの御指導を頂きました｡また この論文の副査として御指導いただきました｡有り難く厚く御礼申し上げます｡

吉田憲充 岐阜大学工学部電気電子工学科助手にも､年長の学生という状 況の中で､いろいろ励ましを頂きました｡深く感謝致します｡

Ashtosh Ganjoo博士には､最初の一年間は岐阜大学の助手として､後の二

年間はワイエムシステムズ株式会社の在籍の身分で,本当に多大の御指導､御 協力を頂きました｡社会人学生のハンデキャップを完全にカバーしていただき ました｡ A.Ganjoo博士の御指導､御協力が無ければ本研究の遂行は不可能であ ったと思われます｡この場を借り深く御礼申し上げます｡

岡崎靖雄 岐阜大学工学部電気電子工学科教授と山家光男 岐阜大学工学 部電気電子工学科教授には､この論文の副査として御指導いただきました｡厚

く御礼申し上げます｡

長谷川泰道 岐旦大学工学部電気電子工学科助教授には､筆者が岐阜大学 工学部大学院博士課程に入学する窓口を開いていただきました｡おかげでこの 論文を纏めることが出来ました｡厚く御礼申し上げます｡

田中啓司 北海道大学工学部応用物理学科教授には,学会発表､論文など を通し､多大なる御指導を頂きました｡ここに厚く御礼申し上げます｡

池田豊氏(ワイエムシステムズ株式会社社長)には､友人として､また同 じ社会人として,陰に日向に御指導頂きました｡心から感謝敦します｡

筆者在籍の大日本スクリーン製造株式会社､常務取締役大神信敏氏には､

社会人学生の申請に関して御理解を頂き､入学推薦書を頂戴いたしました｡そ の後の研究の遂行過程におきましても､親身になって御心配頂きました｡氏の 存在が精神的な支えになりました｡誠に有り難く､ここに謹んで厚く御礼を申

し上げます｡