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図4.7 GeS2における処理タイプ1の(△d/d), (△Eg/Eg)の変化図
GeS2における処理タイプ1に対する結果を要約する｡
1. GeS2において熱処理を行うと膜厚は1･8%増加するo一方､バンドギャッ プは0.9%減少する｡
2.光照射を行うと膜厚は9.2%減少するoそして熱処理後に測定した膜厚に 対しては11.0%減少した｡一方､バンドギャップは蒸着後のバンドギャ ップに対し3.5%増加し､熱処理後に測定したバンドギャップに対して 4.4%増加した｡
3.光照射後､熱処理を行うと膜厚は蒸着後の膜厚に対し1･1%増加し､光照
射後に測定した膜厚に対して10･3%増加したo一方､バンドギャップは 蒸着後のバンドギャップに対して0･5%減少し､光照射後に測定したバンドギャップに対して4.0%減少した｡
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図4.8 GeS2における処理タイプ2の(△d/d), (△EgrEg)の変化図
GeS2における処理タイプ2に対する結果を要約する｡
1. GeS2において光照射を行うと膜厚は6.7%減少する｡一方､バンドギャッ プは5.5%増加する｡
2.その後熱処理で膜厚は蒸着後の膜厚に対して1.2%増加し､光照射後に測 定した膜厚に対して7.9%増加する｡一方､バンドギャップは蒸着後のバ
§4.3 まとめ
本章では枇素系(As2Se3,As2S3)
､ゲルマニュウム系(GeSe2､ GeS2)アモル ファス･カルコゲナイド半導体の膜厚とバンドギャップの光照射前後及び熱処
理後の測定を行った｡以下に実験結果を整理する｡
1.膜厚とバンドギャップの間には強い相関関係がある｡
2.斜方蒸着された枇素系､ゲルマニュウム系アモルファス･カルコゲナイ ド半導体においては膜厚､バンドギャップとも大きな変化を示し､膜厚 の最大変化量は11.0%､バンドギャップの最大変化量は9.2%に達した｡
3.枇素系アモルファス･カルコゲナイド半導体において,熱処理すると膜 厚は減少し､バンドギャップは増大した｡
4.枇素系アモルファス･カルコゲナイド半導体において､光照射を行うと 膜厚は増大し,バンドギャップは減少した｡
5.ゲルマニュウム系アモルファス･カルコゲナイド半導体においては熱処 理､光照射による変化は枇素系とは全く逆であった｡即ち熱処理をする
と膜厚は増大し､バンドギャップは減少､光照射すると膜厚は減少し､
バンドギャップは増大した｡
6.光照射と熱処理による変化は全く逆の挙動を示す｡
7.熱処理を光照射の前､あるいは後に行っても増減の変化は同じであった｡
8.処理タイプ1及び2について､処理工程''D"の熱処理を行った後の膜厚 及びバンドギャップの値は蒸着後の測定値とほぼ同じであり､可逆性
を有することを示す｡
9.膜厚測定装置は光干渉式膜厚測定装置及び触針式膜厚測定装置を使用 した｡両者の測定値に有意な差異は認められなかった｡光干渉式膜厚測 定は間接測定方法であるが､かなり精度が高いことがわかった｡
1 Y･ Kuzukawa, A. Ganjoo, and K. Shimakawa, J. Non‑Cryst. Solids. 227(1998) 715,
2 Y･ Kuzukawa, A. Ganjoo, K. Shimaknwa, and Y. Ikeda, Phil. Mag. (1998).(In Press).