SiCパワー半導体の
パワー半導体デバイス
... 装 の 設 計 WG13 Design Automation: Component, Circuit and System Description Language ン ョ ン ： 部 品 回 路 の 記 述 言 語 WG14 Design Automation: Library of reusable Parts for Electrotechnical ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... LED の市場は世界的な拡大を 見せているがその価格に課題が残り、更なる材料作製プ ロセスの低コスト化が望まれている。また、その発光領 域の拡大にむけて、 GaN 系混晶半導体の他、赤色領域 から深紫外領域にわたる広い範囲での高効率・低価格発 光素子の開拓に関する研究が進められている。これらワ ...
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半導体洗浄技術
... 研 究 分 野 は 、 Si l i c on t ec hnol ogy , M i c r os ys t em t ec hnol ogy, O pt i c al c om ponent s and m ul t i m edi a, Tr ans m i s s i on and t el ec om m uni c at i on s y s t em s , H eal t hc ar e and bi ol ogi c ...
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半導体技術分野の重要技術説明資料
... Ⅲ−5 ーネットを介したコンテンツ配信が大きく伸びると見るのが自然である。そのため、これらの 大量のデータを保存して供給するための超高速・超大容量のネットワークサーバー用ストレー ジに対する需要は増加の一途をたどるであろう。通信トラフィックは無限ではあり得ないので、 ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... への機械的研磨により結晶表面近傍に導入される欠陥と光学特性と の関係を PL スペクトルと TEM 像との比較により評価した。その結果、導入された欠陥は主として転位であり、(0001) 面となす角度から、滑り面が (0001)、(11-22)、または(1-101)面であることが示唆された。以上の結果、研磨により誘 導される PL ...
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第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽
... 7-8 のように p 型半導体として 働く導電性ポリマーと n 型半導体との半導体界面が 2 次元的である。このため大き な pn 界面を得られないため、電荷分離界面が大きくなりにくい。しかし、p 型、n 型ともに電極への直接的な経路を持っているため、電荷輸送効率は高いといえる。 ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 数と寄生インピーダンスによる活性領域への電流注入効率 の低下である。我々は、緩和振動周波数を増大させるため に、量子井戸構造の導入に加え、格子不整による活性層へ の圧縮応力の印加、従来の GaInAsP 系材料に比して伝導 体バンドギャップ差が大きい AlGaInAs 系材料の適用を行 ...
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ワイドギャップ半導体の光学特性評価
... LED のほか、省エネルギーのためのパワーデバイスの実用化に貢献してい る。しかし、基板となるべきバルク結晶の育成技術は開発途上で、殆どのデバイスは異種基板上へのエピタキシャル成 長材料を使っている。デバイス作製時には結晶表面の機械的・化学的研磨による平坦化が施されるため、結晶欠陥と歪 ...
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半導体レーザによる降雪センサの開発
... 近年における偏波降水レーダの発展により、降雨に対 してのレーダ降水強度推定技術は発展し、レーダ反射因 子に加え、上空における降水粒子種別判定、 DSD の推定 に有効なパラメータの取得が可能となった。一方、降雪 観測に対しては進展が少ない。これは降雪の要因である 固体降水粒子は氷晶、雪片、あられを例として、多種多 様な形状および、含水率を持つ事により、マイクロ波散 ...
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三菱パワーデバイス パワーモジュール
... ・本資料に記載した情報は、正確を期すため、慎重に制作したものですが万一本資料の記述誤りに起因する損害がお客様に生じた場合には、三菱電機はその責任を負いません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表に示す技術的な内容、プログラム及びアルゴリズムを流用する場合は、技術内容、プログラム、アルゴリズム単位で評価するだけでなく、シス ...
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SiC半導体
... SiC のエピタキシャル成長に必要な温度は 1300 ∼ 1500 ℃とSiの成長温度 ( 900∼1200℃ ) に比較して高 い。この温度は反応管材料として多く使用されている 石英の軟化温度を越える温度である。またSiCでは窒 素が n 型のド−パントとなってしまうため，装置の パ−ジガスとして他のガスを使用しなければならな ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... かった。これは、ゲート電極の直下から裏面のドレイン電 極に向けて電流が流れる構造になっており、半導体表面に 高電界が生じないためであると考えられる （31）〜（33） 。 一般にパワーデバイスに対しては、安全性の面からノーマ リオフが要求されており、さらに +3V 程度のしきい電圧が 要求されている。このトランジスタでは、チャネル形成のた ...
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開発の社会的背景 パワーデバイスは 電気機器の電力制御に不可欠な半導体デバイスであり インバーターの普及に伴い省エネルギー技術の基盤となっている 最近では高電圧 大電流動作が技術的に可能になり ハイブリッド自動車のモーター駆動にも使われるなど急速に普及し 市場規模は 2 兆円に及ぶといわれる パワー
... なお、本研究の一部は、独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構の省ネルギー革新 技術開発事業の支援を受けて実施された。 ■ 研究の内容 ■ 今回使用したショットキー型ダイヤモンドダイオードは、ダイヤモンド半導体と Ru ショットキ ー電極を組み合わせて作製した（図 1 右）。このダイオードは、ダイヤモンドや Ru 電極の特性か ...
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半導体試験・測定システム
... ey の G i gas c al e Sem i c onduc t or Res ear c h Cent er が 中 心 的 に 活 動 し 、 I nt er c onnect Foc us Cent er は G eor gi a I ns t i t ut e of St at e がリードし、M at er i al s 、St r uc t ur e & D evi c e Foc us Cent ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 現状では、 CVD プロセスを利用する気相成長法（HVPE 法）、超臨界アンモニアを利用するア モノサーマル法、 Na 融液を利用する Na フラックス法などが研究されている。 GaN は結晶成長時の晶癖のため、特に+C 軸方向に成長させると円錐型に直径がどんどん減少 し、長い単結晶が取れないという問題もある。このため、単結晶から数枚～ 10 枚程度の基板しか ...
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ヤマハパワーアンプホワイトペーパー ヤマハパワーアンプ ホワイトペーパー 2009 年 5 月 目次 1. EEEngine について はじめに 各種パワーアンプ駆動方式について ヤマハパワーアンプの技術 デュアル モノラルアンプ構
... ル（+L のレベル）より少しでも大きい場合や、ダイ ナミックレンジが大きいソースの場合は、最大限の 電圧を供給する必要があるため効率は悪化します。 電圧レベルの切り替え段数を増やすことが出来れば 効率の向上が期待できますが、実際には段数が増え るごとにスイッチ・ロスが生じ、回路も複雑になる ため、2～3 段階に留まるのが一般的です。こうした ...
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目次 1. 事業の目的 概要 調査結果の概要 パワーハラスメントの予防 解決のための取組の状況と効果 パワーハラスメントの経験と心身への影響及び パワーハラスメントを受けたと感じた場合の対応 パワーハラスメントの予防 解決のため
... と回答した者の方が、質問した項目のすべて（「職場の生産性」、「あなた自身 の働きやすさ」、「同じ職場の人の働きやすさ」、「あなた自身の業務の負荷」、 「同じ職場の人の業務の負荷」、 「部下への指導のしやすさ」 、 「上司／部下との ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 件) の測定条件を設定することができる。バイアス電圧の設定条件を検討する際に各 I-V 測 定を行う必要があるため、単体評価用のボタンを用意した。それらの単体評価の測定フロー を図 ...は、HCI のストレス・バイアス条件の設定と劣化測定を行う画面で ある。ストレス時間，測定間隔，ストレス・バイアス電圧を設定し、 ...
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半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2002 年度 STRJ ワークショップ 3 月 3 日 青山フロラシオン STRJ 委員長 増原利明 1 半導体産業とロードマップの歴史 2 ロードマップの予測するコスト増大要因 3 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは 4 まとめ 半導体産業 技術
... 半導体産業、技術開発の経済性とロードマップ 半導体産業、技術開発の経済性とロードマップ 半導体産業、技術開発の経済性とロードマップ 半導体産業、技術開発の経済性とロードマップ ...
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パワー・ダイオードの特性
... – 不純物導入：Au拡散、Pt拡散 – 注入：高エネルギー電子注入、プロトン注入、 He注入 • 順方向電圧降下とリバース・リカバリー時間のトレードオフ改善 – 再結合中心の不均一分布導入 ...
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