Si 基板上への Pt エピタキシャル成長
JAIST Repository: 反応性スパッタリング法による酸化 Si 基板上への YSZ 薄膜のヘテロエピタキシャル成長
... 酸化されてしまい、膜はエピタキシャル成長しない。本研究では、堆積方法を工夫するこ とにより、 Si 基板上に YSZ 薄膜を界面に Si 酸化層や結晶欠陥がないように良好にヘテロ エピタキシャル成長させる条件を見いだすことを目的とした。 【実験方法】 図 1(b) に示すように YSZ 薄膜堆積直前に、 Si 基板を故意に極薄く ...
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JAIST Repository: Si基板上にヘテロエピタキシャル成長したY組成制御YSZ薄膜の膜質改善
... 性スパッタ法を使用し、 YSZ 薄膜を Si(100) 基板上にヘテロエピタキシャル成長させることに成 功しているが、 YSZ 膜中のイオン伝導の影響などにより、実用化するに十分な電気的特性を示す ものは、いまだ作製できていない。そこで本研究では、 Y 2 ...
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Si基板上にエピタキシャル成長されたSiGe層における熱酸化機構の研究
... 上記背景のもと，SiGe 上のゲートスタック特性の本質的向上に向けて，絶縁膜界面で起 きている反応を理解し，高性能な SiGe デバイスの本質的課題を解決する方向性を与えるこ とを本研究の目的としている．本研究の中心は実験的観点からのものであるが，SiGe の酸 ...
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JAIST Repository: Si基板上にヘテロエピタキシャル成長させたYSZ薄膜の電気的特性の改善
... Si のそれに近く、 Si(100) 基板上にヘテロエピタキシャル成長が可能なため、 Si 基板と強誘電体薄膜とを接合するためのバッ ファ層への応用が期待されている。今までに、 Ar+O 2 ガスを用いた反応性スパッタ法を用い、 YSZ 薄膜を Si(100) ...
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JAIST Repository: 反応性スパッタ法を用いたSi基板上へのY組成制御YSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長
... ド リフト型を示しているが、 Y/(Y+Zr) 比が 9.4 at.% から 2.3 at.% へと減少するにつ れて、その幅は広がる傾向にあることがわかる。これは、 Y 組成の減少につれ、酸素空孔 が減少するという予想に反している。この理由として、本来、低い Y 組成では、薄膜の 結晶構造が室温において単斜晶で安定となるにも関わらず、この場合には、 Si 基板の影 ...
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JAIST Repository: 金属基板上の単結晶様芳香族分子多層膜エピタキシャル成長の理解と制御
... ２．研究の目的 For high-performance organic electronics applications, a fast trans- port of charges across the organic layers and the organic/ electrode interfaces is required. One of the fundamental issues in the ...
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JAIST Repository: ホウ化物薄膜のエピタキシャル成長における表面・界面制御
... 様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書 平成２２年６月１７日現在 研究成果の概要（和文） ：薄膜中への酸素や水分の混入を防ぎ、かつ、成長表面のその場観察が 可能な気相成長装置を立ち上げ、高融点かつ高電気伝導性を有する二ホウ化ジルコニウムの薄 ...
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JAIST Repository: ECRスパッタ法によるSrTiO3薄膜のエピタキシャル成長と評価
... 電子サイクロトロン (ECR) プラズマスパッタ法を用い、低温での良質なエピタキシャ ル STO 膜の成長条件の確立と成膜法としての有用性を検討した。 【実験】膜は ECR ス パッタ法により、 (0001) サファイアおよび (100)STO 単結晶基板上に作製した。膜の評 価は、 XRD 、正極点法、 XPS 、 RHEED 、 AFM ...
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JAIST Repository: エピタキシャル YSZ 膜を用いた Si 基板上への C-軸配向 PZT 膜の堆積
... 造の XRD パターンを示す。 PZT 膜は c- 軸配向のペロブスカイト構造であり、 PZTf103g 面でのφスキャンの結果から、面内配向していることがわかった。このことから、 PZT 膜は完全ではないが、 Si 基板上へヘテロエピタキシャル成長をしていると言える。図 2 ...
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時間分解光電子分光法によるSiC基板上グラフェンのキャリアダイナミクス研究
... SiC 基板上グラフェンでおこる超高速キャリアダイ ナミクスの研究について述べている。 Chapter 4 ではグラフェンを光励起し た際のキャリア分布の時間発展を調べ、得られた電子温度緩和の解析から、 グラフェン内において高効率な電子 -電子散乱過程（キャリアマルチプリ ケーション）が起きていることを示した。さらには、従来の半導体では起 ...
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JAIST Repository: 真空蒸着法による有機金属化合物薄膜のエピタキシャル成長
... 真空蒸着法による有機金属化合物薄膜のエピタキシャル成長 内山 智彦 ( 五味研究室 ) [ はじめに ] 次世代の素子として期待される量子サイズ効果デバイスは、それを実現するために 不可欠なナノメートルオーダーの超微細構造を構築する技術が確立されていないために、今だ現 実化されていない。我々はこの問題に対し、従来とは異なる新しい超微細構造形成法を提案して ...
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JAIST Repository: ハーフメタリックSr2FeMoO6薄膜の低温エピタキシャル成長と磁性
... 対する膜の特性の変化について調べた。 [ 実験方法 ] 薄膜は PLD 法により様々な成長条件下で (001)SrTiO 3 基板上に成長させた。ター ゲットには SFMO セラミックスを用いた。膜の評価は組成比は XPS 、結晶性および配向性は ...
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JAIST Repository: 酸化インジウム膜のエピタキシャル成長と伝導特性
... O 3 と同様のビックスバイト構造を持ち、本来絶縁体である が、酸素欠損が生成しやすいため縮退半導体となり、室温では高い電子移動度とキャリア 密度を持つ金属に近い伝導性を示す。本研究では、この材料を持つ高電子移動度を利用し ...
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Cu(001)基板上鉄窒化物原子層膜の電子・磁気構造の研究
... 原子間の強い状態混成という観点から理解されてきた。一方で、構造 の規則度を保ったまま系の次元を下げる方法がなく、磁性の本質的理解につながる原 子サイトごとの電子・磁気状態や、それらの構造や次元性との相関はこれまで明らか にされてこなかった。 ...
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16 (16) poly-si mJ/cm 2 ELA poly-si super cooled liquid, SCL [3] a-si poly-si [4] solid phase crystalization, SPC [5] mJ/cm 2 SPC SCL (di
... している。ラマンピーク強度による結晶性 の議論を裏付ける。又、石英基板上に形成 された poly-Si のラマンピークシフトはレ ーザのショット数に依存しており、ショッ ト数の増加により結晶性が良くなっていく が、SiN 基板上に形成された poly-Si のラマ ...
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低転位GaN 基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード
... これまでに研究・開発された GaN を用いたパワーデバ イスでは、サファイア、SiC 等の異種基板上でエピタキ シャル成長されていたため、主に横型のデバイスしかでき なかった。しかし Si や SiC などの既存の大電力用途のデバ イスは縦型が主である。これは、配線、パッケージングの ...
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JAIST Repository: alpha-Fe_2O_3バッファー層を持つガーネット基板上へのBaFe_12O_19膜の成長
... 山田 知明 ( 五味研究室 ) [ 緒言 ] マイクロ波回路の小型化、高精度化のためのモノリシックマイクロ波集積回路 (MMIC) の 開発が強く望まれている。その実現のためには、良質な六方晶フェライトやガーネットフェライ ト等を同一基板上に集積化するヘテロエピタキシー技術の確立が必要となる。本研究では、 ...
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有機ケイ素を用いたSiCエピタキシャル成長の表面化学
... TOUR ： Tohoku University Repository コメント・シート 本報告書収録の学術雑誌等発表論文は本ファイルに登録しておりません。なお、このうち東北大学 在籍の研究者の論文で、かつ、出版社等から著作権の許諾が得られた論文は、個別に TOUR に登録 ...
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(215) 121 MBE 法による GaN 単結晶基板上への Ⅲ 族窒化物半導体のホモエピタキシャル成長 田邉智之 ( 電気電子工学専攻 ) 渡邉肇之 ( 電気電子工学科 ) 小野基 ( 電気電子工学科 ) 南場康成 ( 電気電子工学専攻 ) 倉井聡 ( 電気電子工学科 ) 田口常正 ( 電気電子
... AlGaN 薄膜の PL スペクトルに関しても、 深い準位からの発光が抑制された単一の発光 ピークが観測された。この発光ピークは中性 ドナー束縛励起子によるものと考えられる。 発光ピーク位置および発光半値幅はそれぞれ、 (0001)面上のものが 3.813 eV、75 meV、そし て ( 000 1 ) 面上のものが 3.469 ...
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低転位GaN 基板上縦型トランジスタの開発
... することが可能である。AlGaN の自発分極と歪によるピエ ゾ 分 極 に よ り AlGaN/GaN 界 面 に は 2 次 元 電 子 ガ ス （2DEG: Two Dimension Electron Gas）と呼ばれる高濃 度、高電子移動度の電子層が形成される。これらの特長を 活かした高周波・高出力トランジスタが GaN 系 HFET （Heterojunctin ...
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