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SSIS半導体アドバンスト講座

SEAJ( 日本半導体製造装置協会 ) JAMP( アーティクルマネージメント推進協議会 ) 共催 環境情報専門委員会 chemsherpa 導入講座 ( 化学物質管理 ) 及び chemsherpa 入門講座 ( データ作成方法 ) 一般社団法人日本半導体製造装置協会 Semiconductor

SEAJ( 日本半導体製造装置協会 ) JAMP( アーティクルマネージメント推進協議会 ) 共催 環境情報専門委員会 chemsherpa 導入講座 ( 化学物質管理 ) 及び chemsherpa 入門講座 ( データ作成方法 ) 一般社団法人日本半導体製造装置協会 Semiconductor

... http://www.meti.go.jp/policy/chemical_management/english/learningtool.html ■アーティクルマネジメント基礎講座 製品含有化学物質情報伝達の仕組み(chemSHERPA)の概要を理解する、日常業務 (含有物質調査への回答、社内の含有物質管理体制の構築、調達先への指導等)へ ...

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USB Type-CTM対応ディスクリート半導体

USB Type-CTM対応ディスクリート半導体

... 文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載内容 に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製 ...

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[NE ハンドブックシリーズ]  パワー半導体

[NE ハンドブックシリーズ]  パワー半導体

... せて走行する。この際に、2次電池に蓄えられた電力を そのまま利用したのでは、効率良くモータを駆動できな い。電圧や電流などを最適値に変換してから利用する必 要がある(図1)。その役割を担っているのがパワー半導 体である。さらに、パワー半導体を駆動するゲート・ドラ イバの存在も忘れてはならない。これは、パワー半導体 のオン/オフを切り替える際に不可欠な回路である。ハ ...

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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.

目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.

... 第 1 章 序論 第 1 章では、本研究における背景と目的について説明していく。 1.1 研究背景 近年の電子機器は高速化,小型化が求められており、ディジタル回路はそれらに適してい る。ディジタル化の進展に伴い、多くの電子機器にはディジタル・アナログ変換器 (Digital- to-Analog Converter: DAC, DA 変換器) 搭載されている。身の回りの信号 (音声,画像, 光など) ...

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半導体工学の試験範囲

半導体工学の試験範囲

... (1) pn 接合の無バイアス状態、順バイアス状態および逆バイアス状態のバンド帯図を描け。 (2)真性半導体のキャリア密度を n i 、熱平衡状態における p 領域とn領域の正孔密度、伝導電子密度 をそれぞれp p 、n p 、および、n n 、p n で表すと,これらの間にはどのような関係が成立するか。 (3)順バイアス状態では、 p 領域より n 領域へ正孔が、 n 領域より p 領域へ伝導電子が注入される。 pn ...

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ワイドギャップ半導体の光学特性評価

ワイドギャップ半導体の光学特性評価

... 2.研究の目的 本研究は、ワイドギャップ半導体材料のうち、 GaN と ZnO について、機械的研磨に代表される表面加工に よって材料特性がどの様に変化するかを検証すること を内容としている。半導体の特性は光学的性質で端的に 表現される。格子歪みの大きさはホトルミネッセンス ( PL)あるいはラマン散乱スペクトルの特性エネルギ ーの変化として検出できる。また、格子欠陥導入の程度 ...

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ディスクリート半導体の基礎

ディスクリート半導体の基礎

... • 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産 が侵害されることのないように、お客様の責任において、お客様のハードウエア・ソフトウエア・システムに必要な安全設計を行うことをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関す ...

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ディスクリート半導体の基礎

ディスクリート半導体の基礎

... •文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載 内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 •当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は ...

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RIETI - 半導体生産方式におけるUMCJの強さを分析:トヨタ生産方式の半導体版?

RIETI - 半導体生産方式におけるUMCJの強さを分析:トヨタ生産方式の半導体版?

... 「今やこの産業も他の一般の製造業と同じく、徹底した効率向上のみがコスト削減、つまり利 潤の増大の Key となってきたのである。それには半導体は特別なのだという固定観念、神 話を打破することが大事であるが一部にその動きも出始めている。」(STRJ(2002)) 本論の目的は、以上の現状認識に基づきつつ、我が国半導体デバイスメーカーの製造・生 ...

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半導体量子デバイスの多様な展開

半導体量子デバイスの多様な展開

... 半導体レーザの変調周波数の上限を決める要因は、キャ リア数の変化に誘導放出が追随できなくなる緩和振動周波 数と寄生インピーダンスによる活性領域への電流注入効率 の低下である。我々は、緩和振動周波数を増大させるため に、量子井戸構造の導入に加え、格子不整による活性層へ の圧縮応力の印加、従来の GaInAsP 系材料に比して伝導 体バンドギャップ差が大きい AlGaInAs 系材料の適用を行 ...

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RIETI - 汎用技術としての半導体

RIETI - 汎用技術としての半導体

... のように物理的な回路が抽象化され、論理的なプログラムと切り離されることによって、 半導体のモジュール化は急速に進んだ。 チューリング・マシンのような論理的なモデルでは、命令をソフトウェアで書くのも回 路で実現するのも同じことだが、実装するコストには大きな違いがある。初期の IC のよう に機能ごとに違う論理回路を設計すると、ひとつの半導体で機能を実現できるが、プログ ...

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通信用半導体レーザの開発

通信用半導体レーザの開発

... 伝送速度が 2.5Gbps までは、デバイス性能には余裕が あったため、要求に応じた最適化は、トレードオフの厳し い制約を受けることなく進んだが、10Gbps への応用に なってくると、様相が随分変わってきた。半導体レーザの 変調周波数の上限を決める要因は、キャリア数の変化に誘 導放出が追随できなくなる緩和振動周波数と寄生インピー ダンスによる活性領域への電流注入効率の低下である。高 ...

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半導体製造装置プロセス管理技術

半導体製造装置プロセス管理技術

... 1) レシピ特許を含むプログラム特許では、日米での出願人分布は大きな違いがある。米国登録特許では、アプライドマ テリアルズ社(AM AT)、アドバンストマイクロデバイセズ社(AM D )の上位2社でプログラム特許全体の55. 2%を占め ており、この2社は明らかに戦略的に特許を取得していると見られるのに対して、日本は大手半導体メーカや製造装 ...

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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

... ワイドギャップ半導体 GaN は青色・白色 LED のほか、省エネルギーパワーデバイスの実用化に貢献しているが、基 板となるバルク結晶の育成技術は開発途上でデバイス作製は異種基板上へのエピタキシャル成長材料を基本としてい る。デバイス作製時には結晶表面の機械的・化学的研磨による平坦化が施されるため、結晶欠陥と歪みの導入が避け られない。本研究では、機械的研磨による光学特性の変化を検証した。その結果、研磨による効果として、 ...

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半導体技術分野の重要技術説明資料

半導体技術分野の重要技術説明資料

... Ⅲ−21 度なサービスが可能になるであろう。 SoC 混載用不揮発性メモリ システムオンチップ(SoC)は今後の電子機器の高付加価値化を支える中核的な半導体デバイ スである。高性能で小型であることから、据え置き型電子機器と並んでモバイル機器に多用され る。そのため、今後ますます、SoCには低消費電力長時間動作と、電源ON・OFFにより瞬時に 動作開始・終了できる機能の実現が求められるようになる。現状では、このような機能は ...

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アドバンストNPC 回路用IGBT モジュール

アドバンストNPC 回路用IGBT モジュール

... ⑵ 双方向スイッチ 双方向スイッチである T3,T4 には,600 V 定格の第 2 世代 RB - IGBT を採用している。 RB - IGBT は,従来の IGBT が持ち得なかった逆耐圧性 能を持つ半導体デバイスである。双方向スイッチは,従来, IGBT とダイオードで構成しなければならなかった。RB - IGBT を採用すると,逆耐圧保持の役割を担うダイオード が 不要になり,オン電圧も低減できる。 ...

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「アドバンスト研修プログラム」開発ワークショップの記録-香川大学学術情報リポジトリ

「アドバンスト研修プログラム」開発ワークショップの記録-香川大学学術情報リポジトリ

... ②「デキル大学生になろう!」シリーズの現状と課題 ここからは、学生向けの研修プログラムの一例として、既存の研修プログラムの紹介がなされた。 まず、スキルアップ研修プログラムである「デキル大学生になろう!」シリーズの概要や課題につい て説明があった。平成 21 ~ 23 年度に実施された「学生基礎力 UP 研修」を継承する形で平成 24 年度 から始まったこのプログラムの目的は、学生が「自ら学び、成長することが“デキル” 」ようになる ...

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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

... 進められ、適用範囲の拡大が図られている。これらワイ ドギャップ半導体材料のパワーデバイス応用では、厚膜 材料が用いられることが多く、様々な物理的、化学的加 工プロセスを経てデバイスが作製される。最も基本的な 工程は切断と研磨で、その結果試料表面には高密度の格 子欠陥と大きな格子歪みが導入されるため、デバイス特 性向上を阻害する最も重要な工程とされ、「ダメージレ ス表面加工」を目指す技術開拓が渇望されている。 我々は、平成 ...

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中国上海・蘇州地域における半導体産業集積

中国上海・蘇州地域における半導体産業集積

... なおパッケージ/テスト業の国内企業は,多くは地方の国有企業から発展したものであ り,技術水準も高くなく,半導体以外の産業にも関っていることが多い(拓墣産業研究所, 2007a:78) 21 。長江デルタ地域にある国内企業の大手としては,江蘇新潮科技集団有限公 司(江蘇省江陰市),南通華達微電子集団有限公司(江蘇省南通市),無錫中微騰芯電子有 限公司(江蘇省無錫市)などが挙げられる。このうち江蘇新潮科技集団はパッケージ/テ ...

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Microsoft PowerPoint - 第11回半導体工学

Microsoft PowerPoint - 第11回半導体工学

... 指向性.. LDとは? http://picasso.elec.eng.osaka-cu.ac.jp/miyazakilab_speckle.html スペックルパターン 干渉パターン http://www2.hamajima.co.jp/ikiikiwakuwaku/record/ r_2013_05_18/newpage2.htm 位相性.. 液晶ディスプレイの欠点[r] ...

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