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Duo プロセッサー 超低電圧

インテル(R) Xeon(R) プロセッサーおよびインテル(R) Pentium(R) 4 プロセッサーのパフォーマンス・カウンター

インテル(R) Xeon(R) プロセッサーおよびインテル(R) Pentium(R) 4 プロセッサーのパフォーマンス・カウンター

... – Core™2 Duo プロセッサーと Core™2 Quad プロセッサーのストール・サイクル・アカウンティング • Windows: Microsoft Vista* 対応 • Linux: インテル ® コンパイラーによる分析と 直感的な hotspot ナビゲーター ...

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ADP151: 超低ノイズ 200 mA CMOS リニア・レギュレータ

ADP151: 超低ノイズ 200 mA CMOS リニア・レギュレータ

... 入力コンデンサと出力コンデンサの特性 最小容量と最大 ESR 条件を満たすかぎり、ADP151 で任意の高品 質セラミック・コンデンサを使うことができます。セラミック・ コンデンサは様々な誘電体を使って製造されて、各々は温度と加 えられる電圧に対して異なる動作をします。コンデンサは、必要 とされる温度範囲と DC バイアス条件に対して最小容量を保証す る十分な誘電体を持っている必要があります。電圧定格 6.3 ...

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LP2985 マイクロパワー150mA 低ノイズ、超低ドロップアウト・レギュレータ(SOT-23 およびmicro SMD パッケージ) 超低ESR 出力コンデンサが使用可能

LP2985 マイクロパワー150mA 低ノイズ、超低ドロップアウト・レギュレータ(SOT-23 およびmicro SMD パッケージ) 超低ESR 出力コンデンサが使用可能

... Note 2: SOT-23 パッケージのピン 3、ピン 4、または、micro SMD パッケージのピン 5、ピン 2 の ESD 耐圧は 1kV です。 Note 3: 最大許容消費電力は、最大接合部温度 T J (MAX)、接合部 - 周囲間熱抵抗θ JA 、周囲温度 T A の関数です。 任意の周囲温度での最大許容消費 電力は次式から求めます。 ただし、SOT-23 パッケージでのθ JA の値は、標準的な基板実装では 220 ...

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IBM BladeCenter HS2 XM (7995) System Guide BladeCenter HS2 XM Spec BladeCenter HS2 XM 低電圧プロセッサー搭載モデル モデル Bladeベイ スペース対応シャーシ P/N 7995NTJ 7995HJ 7995JJ

IBM BladeCenter HS2 XM (7995) System Guide BladeCenter HS2 XM Spec BladeCenter HS2 XM 低電圧プロセッサー搭載モデル モデル Bladeベイ スペース対応シャーシ P/N 7995NTJ 7995HJ 7995JJ

... ※2 SMPアップグレードとして同一周波数、同一キャッシュ サイズのプロセッサーを最大2個まで使用可能。 ※3 最大構成にする場合は、標準で装着されているメモリーを取り外し、4GBメモリーに付け替える必要があります。 ※4 ハードドライブ容量に関しては、MBは100万バイトを表し、GBは10億バイトを表します。ユーザーがアクセスできる総容量は作業環境によって変化します。 ※5 146.8GBの2.5型SAS ...

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LM A 低ドロップアウト正出力電圧レギュレータ

LM A 低ドロップアウト正出力電圧レギュレータ

... FIGURE 4. Best Load Regulation using Adjustable Output Regulator 保護ダイオード 通常の動作のもとでは、LM1086 レギュレータはまったく保護ダイ オードを必要としません。可変出力電圧デバイスの場合は、調整 端子と出力端子の間の内部抵抗によって電流が制限されます。 調整端子にコンデンサを使用する場合も、レギュレータを通さない ...

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内容 高周波超音波 超音波の定義 超音波キャビテーション 超音波 ( 音響 ) キャビテーションとその特徴 ソノリアクター ( 超音波照射装置 ) 低周波, 高周波 水中微生物の非活性化 藻類, 菌類 その他の能力 分解, ソノケミカル効率,PH

内容 高周波超音波 超音波の定義 超音波キャビテーション 超音波 ( 音響 ) キャビテーションとその特徴 ソノリアクター ( 超音波照射装置 ) 低周波, 高周波 水中微生物の非活性化 藻類, 菌類 その他の能力 分解, ソノケミカル効率,PH

... 高周波超音波照射装置 • 数百 kHZ~数 MHz – 円板型の圧電セラミックス( PZT)を振動子として 利用 • 高周波電力増幅器を用いて高電圧を印可 • 回路基板等の洗浄に利用 – 大きなエロ―ジョンが起こり難い disk-type transducer cooling water stainless-steel cylinder function generat[r] ...

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低電圧電力・制御ケーブル用 接続材料総合カタログ

低電圧電力・制御ケーブル用 接続材料総合カタログ

...    L寸法  ケーブル外径<25mm→ 30mm 26mm< ケーブル外径 <35mm→ 40mm 36mm< ケーブル外径  → 50mm ■ 電力用セルパックの作業手順(Y分岐接続タイプY) ❶ ケースの両端の刻み目をケーブル外径に合わせ金切り鋸で切り取り、 切り口を軽く仕上げておきます。 ❷[r] ...

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TMP35/TMP36/TMP37: 低電圧温度センサー

TMP35/TMP36/TMP37: 低電圧温度センサー

... 華氏温度計 TMP3x 温度センサーは摂氏温度センサーですが、数個の部品を 使用して、華氏温度を直接測定するように出力電圧と伝達特性 を変更することができます。図 25 に、TMP35 または TMP37 を 使用したシンプルな華氏温度計の例を示します。TMP35 を使用 すると、この回路は 1 mV/°F の出力伝達特性で 41°F~257°F の 温度を、 TMP37 を使用すると、2 mV/°F 温度の出力伝達特性で ...

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LTC デュアル、2フェーズ、RSENSE™、低入力電圧、同期整流式コントローラ

LTC デュアル、2フェーズ、RSENSE™、低入力電圧、同期整流式コントローラ

... (GNパッケージ)/(UFDパッケージ) TRACK/SS2 (ピン10)/(ピン7):チャネル2のトラッキング とソフトスタート入力。LTC3836はV FB2 の電圧を、0.6Vと TRACK/SS2ピンの電圧の小さい方に安定化します。内部の 1.5µAプルアップ電流源がこのピンに接続されています。この ピンとグランドの間に接続したコンデンサにより、最終安定化 ...

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LM6172 デュアル高速低消費電力、低歪み電圧帰還アンプ

LM6172 デュアル高速低消費電力、低歪み電圧帰還アンプ

... ルーレートは入力電圧レベルに比例し、ゲイン構成で高いス は悪くなります。また、フィードバック・コンデンサもオーバーシュー ト、アンダーシュートを低減するために使用することができます。こ のフィードバック・コンデンサはゼロとして働き、増幅回路の安定 性を増加させます。初期の評価においては 2pF のフィードバック・ コンデンサを推奨します。 LM6172 でバッファを構成する場合、 1k Ω ...

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ADA4927-1/ADA4927-2: 超低歪み電流帰還差動 ADC ドライバ

ADA4927-1/ADA4927-2: 超低歪み電流帰還差動 ADC ドライバ

... ADA4927-1/ADA4927-2 アプリケーション情報 アプリケーション回路の解析 ADA4927 では、高いオープン・ループ相互インピーダンスと差 動誤差電流を小さくするように差動出力電圧を制御する電流負 帰還を使用しています。差動誤差電流は、2 つの差動入力(+IN と−IN)に流れる電流として定義されます(図 46 参照)。多くの場 合、これらの電流はゼロと見なすことができます。+IN 入力と −IN ...

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1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(

1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(

... LSI に混載できるキャッシュメモリ容量は、今後も増大すると予想されています。今回、微細 化による高密度化のアプローチとは異なり、多値化による高密度化を狙った開発を行い、製造コス ト増を抑制しながら、スピン注入型 MRAM の大容量化が可能であることを示すことができました。 本研究は、平成 22 年度経済産業省産業技術研究開発委託費「炭素社会を実現する電圧デ ...

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超低消費電力、レール・ツー・レール出力、完全差動アンプ

超低消費電力、レール・ツー・レール出力、完全差動アンプ

... オーディオ性能 THS4531Aは、非常に低い静止電力で優れたオーディオ性能を 発揮します。オーディオ帯域での性能を示すため、オーディオ・ア ナライザを使用してデバイスをテストしました。THD+NおよびFFT 試験を1Vrmsの出力電圧で実行しました。2.7Vと5Vのどちらの電 源でも性能は同じです。使用した測定回路を図82に示し、アナラ イザの性能を図83および図84に示します。FFTプロットでは、高 ...

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ADR01/ADR02/ADR03/ADR06: 超小型高精度 10.0 V / 5.0 V / 2.5 V / 3.0 V リファレンス電圧

ADR01/ADR02/ADR03/ADR06: 超小型高精度 10.0 V / 5.0 V / 2.5 V / 3.0 V リファレンス電圧

... ADR01/ADR02/ADR03/ADR06 の使用方法 入力コンデンサと出力コンデンサ ADR01/ADR02/ADR03/ADR06 は外付け部品なしで安定に機能 するようにデザインされていますが、安定性を向上させ、 レベル電圧ノイズを除去するために、0.1 μF のセラミック・ コンデンサを出力に接続することが推奨されます。負荷電流 の突然の変化に対する過渡性能を改善するために、1 μF~10 μF ...

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Last Saved: 2010/04/24 22:17 / Edit: 1 特長 低入力オフセット電圧 : 50 µv max 低入力オフセット電圧ドリフト : 0.6 µv/ C max 超低バイアス電流 : 100 pa max 超高オープンループゲイン : 2000 V/mV min 低電源

Last Saved: 2010/04/24 22:17 / Edit: 1 特長 低入力オフセット電圧 : 50 µv max 低入力オフセット電圧ドリフト : 0.6 µv/ C max 超低バイアス電流 : 100 pa max 超高オープンループゲイン : 2000 V/mV min 低電源

... 清潔な PCB でさえ、基板上の隣接したパターン間で 100 pA の リーク電流があるので、入力のまわりにガード・リングを施す 事が必要です。図 29 に示すようにガード・リング・パターンの 電位を入力の電圧に近い値に設定すれば、リーク電流は最小に なります。 非反転入力回路ではガード・リングを反転入力端子 (ピン2)で同相電圧に接続します。反転入力回路では、両方 ...

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ADA4899-1: ユニティ・ゲインで安定動作、超低歪み、1 nV/√Hz 電圧ノイズ、高速オペアンプ

ADA4899-1: ユニティ・ゲインで安定動作、超低歪み、1 nV/√Hz 電圧ノイズ、高速オペアンプ

... 動作原理 ADA4899-1 は、ユニティ・ゲイン安定性と 1nV/ の入力ノ イズを組み合わせた電圧帰還型オペアンプです。ユニティ・ゲ イン構成において 10MHz まで− 80dBc ( @ 2Vp-p )を超える歪 みを維持できる、直線性の高い入力段を採用しています。この ようなゲイン安定性、入力換算ノイズ、歪みというきわ ...

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XD6506 シリーズ JTR 超低消費電流レギュレータ ( スタンバイ機能付き ) 概要 AEC-Q100 Grade2 XD6506 シリーズは 0.8uA(TYP.) の超低消費電流を実現した CMOS プロセスの正電圧レギュレータ IC です IC は基準電圧源 誤差増幅器

XD6506 シリーズ JTR 超低消費電流レギュレータ ( スタンバイ機能付き ) 概要 AEC-Q100 Grade2 XD6506 シリーズは 0.8uA(TYP.) の超低消費電流を実現した CMOS プロセスの正電圧レギュレータ IC です IC は基準電圧源 誤差増幅器

... XD6506 シリーズの出力電圧制御は、V OUT 端子に接続された R 1 と R 2 によって分割された電圧と内部基準電圧(Voltage Reference)の電圧を誤差増幅器(Error Amp)で比較し、その出力信号で V OUT 端子に接続された Pch MOS トランジスタを駆動し、 V OUT ...

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LM193/LM293/LM393/LM 回路入り低動作電圧低オフセット電圧コンパレータ

LM193/LM293/LM393/LM 回路入り低動作電圧低オフセット電圧コンパレータ

... アプリケーションの範囲には、リミット・コンパレータ、簡潔な A/D コンバータ、パルス波形の整形、ディレイタイム・ジェネレータ、広 帯域 VCO、MOS クロック・タイマ、マルチバイブレータ、高電圧 ロジック・ゲートなどがあります。LM293 シリーズは、TTLと CMOS が直接インタフェースできるように設計されています。パルスと負電 源の両方で動作させた場合、LM293 シリーズは MOS ロジックと ...

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超高速電圧切り替え方式デュアルエネルギーCTを用いた脳血管内治療後の画像評価

超高速電圧切り替え方式デュアルエネルギーCTを用いた脳血管内治療後の画像評価

... 6.金属からのアーチファクト 近年の中枢神経領域の治療法は医療用器具の発 達と共に進歩し,新たなプラチナ製コイルや血管 内留置用ステントの開発が進んでいる.それらの 多くは金属製のものであり,CTにて強いアーチ ファクトを生じることで画質劣化に繋がる.特に 術後に残存病変や合併症の有無を評価するために は,詳細な血管画像が求められ,侵襲なだけで はなく,金属アーチファクトを抑えた高画質な画 像を得る必要がある ...

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超低周波電磁界に関する環境保健クライテリア(世界保健機関)〔和訳〕

超低周波電磁界に関する環境保健クライテリア(世界保健機関)〔和訳〕

... 寄与割合を粗く評価するために必要な 2 つの基本情報がある。それは、(1)疾病へのばく露効 果の評価と、(2)集団におけるばく露の存在率(prevalence)、である。 A.1 ばく露分布 生物学的に活性の高い因子、物理因子、生物学的因子、化学因子へのばく露によるリスクを 評価する際には、一般集団におけるばく露の分布と程度を理解することが重要である。ELF 磁 ...

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