LP2985 マイクロパワー150mA 低ノイズ、超低ドロップアウト・レギュレータ(SOT-23 およびmicro SMD パッケージ) 超低ESR 出力コンデンサが使用可能

(1)

2006年 12 月

1

LP2985

マイ

クロ

パ

ワ

ー

150mA

低ノ

イ

ズ

、

超

低

ドロ

ッ

プ

ア

ウ

ト・

レ

ギ

ュ

レ

ー

タ

(SO

T

-23

およ

び

micro SMD

パッ

ケ

ー

ジ

)

超低

ESR

出

力

コ

ン

デ

ン

サ

が

使用可能

タシートをご確認ください。 LP2985 200 10423 recomposed af ter f ixing layout. SN Co nver ted to nat20 00 DTD composed w ith NA T 2000 af ter editing footnote 2. SN add ed 2. 6V ∼ the or der ing inf o. tab le. SN Wher e the value of θ J-A_for the SOT -23 package is 220 ℃ /W in a typi cal PC bo ard mounting and the micr o SMD pa cka ge is 225 ℃ /W fr om 3 20.

revised the micro SM

D package pi n diag p er Aar on 's requ est. SN added the t w o new drawings unde r Conne ction D

iag. and included

the packages in the title . SN add ed mor e voltage op tions to bo th packages and re mov ed pin nu mb er s fr om th e Ty p. App s. Cir cuit and ブロック図 . upgraded

all the typical curves

to colwide with 125 p ercent. SN updated so me of the top m ar kin gs in the or der ing table. SN

added the Code F

par ts according to Bill W eiss, did not know w hat the T op Mar kings are for th ose parts. SN add ed 2. 9V ∼ the or der ing table. SN chan

ged the tape

an d reel qty f ro m 100 0 to 250 for the micro SM D pa ck age. SN removed SO T from the titles a nd change d the pa cka ge name. SN add ed dimen sions fo r th e m icr o SM D pk g. an d comp osed with up

dated pin diagr

am. SN ad ded m ore in fo . on m icr o SMD in the ap ps . s ectio n. add ed micro SM D pin diagr am and r elated inf o in the do cu ment per C hester . SN chan ged 2. 8 to 2. 5 in the gen . desc. an d changed 2 50 un

its on tape and r

eel to 10 00 per Aar on's re qu es t. SN ad ded th e 2.5 V op tio n to the or der in g in fo rm atio n per Aar on Simm ons' r equest. SN

changed the limits in the e

lec.ta ble. SN added title s for all the new curve s an

d some edits to the gen. desc.

SN composed the s ame SN Add ed 3. 5V optio n to Or der ing T able. wg edited some of the typica l curves title. SN composed w ith revised curves per C hester . SN in serted gen er

al note to the typp

er f d ivision .S N composed w ith the new and re vised curves. SN chan ged ther mal re sistance in No te 3 f ro m 24 0 to 220 per A. Simm ons . wg. composed the sa me on th e 4th . 7/8 a ddition of Ordering table. lm composed the sa me on th e 9th . S N 4/29 Final cor rections enter ed again. lm /wg 4/16 Final cor rections enter ed. lm Sgm file from Marc om and made a ddition and change s. lm New dat as heet fr om C hes ter Sim ps on; RR D to k ey in tex t DS100 140 2406 0 1998 0108 LP 2985 マイクロパワー 150mA 低ノイズ、超低ドロップアウト・レギュレータ超低 ESR 出力コンデンサが使用可能 VI P

LP2985

マイクロパワー 150mA 低ノイズ、超低ドロップアウト・レギュレータ

(SOT-23

および micro SMD パッケージ ) 超低 ESR 出力コンデンサが使用可能

概要

LP2985 は、バッテリ駆動機器向けに設計された超低ドロップアウト、低ノイズの 150mA 固定出力電圧レギュレータです。

LP2985 は先進の VIP®_{(Vertically Integrated PNP) プロセスを採} 用し、バッテリ駆動機器の設計に必要な仕様に対応して高性能化を実現します。 ドロップアウト電圧 : 300mV (150mA 負荷時の代表値 )、7mV (1mA 負荷時の代表値 )。 グラウンド・ピン電流 : 850μA (150mA 負荷時の代表値 )、 75μA (1mA 負荷時の代表値 )。 優れた安定度 : LP2985 は、ESR がわずか 5mΩの出力コンデン サを接続しても安定しているため、出力にセラミック・コンデンサが使用可能。 スリープ・モード : 1μA 未満の待機時消費電流 (ON/OFF ピンの Low 状態時 )。 最小パッケージ・サイズ : SOT-23 パッケージおよび micro SMD パッケージにより基板実装面積を低減。 高精度出力 : 1％の許容出力電圧精度 (A グレード品の場合 )。 低ノイズ : 10nF バイパス・コンデンサを取り付けて、出力ノイズを 30μV ( 代表値 ) まで低減可能。 2.5V から 5.0V まで 9 品種の電圧バージョンを用意。

特長

アプリケーション

■ 超低ドロップアウト電圧 ■ 出力電流 150mA を保証 ■ 最小パッケージ・サイズ (SOT-23 パッケージ、micro SMD パッケージ ) ■ 必要最小限の外付け部品 ■ 低 ESR の出力コンデンサでも安定動作 ■ シャットダウン時での待機時消費電流が 1μA 以下 ■ すべての負荷電流で、低グラウンド・ピン電流 ■ 出力電圧精度 1％ (A グレード品 ) ■ 高ピーク出力電流容量 ■ 広い電源電圧範囲 ( 最大 16V) ■ 低出力インピーダンス 0.3Ω ( 代表値 ) @10Hz ∼ 1MHz ■ 過電流および熱制限保護機能 ■ − 40 ℃∼＋ 125 ℃の接合部動作温度 ■ 電圧値の特注も可能 ■ 携帯電話 ■ パームトップ / ラップトップ・コンピュータ ■ パーソナル・デジタル・アシスタント(PDA) ■ カムコーダ、ヘッドフォン・ステレオ、カメラ

ブロック図

VIP® はナショナルセミコンダクターの商標です。

(2)

2 www.national.com/jpn/

LP2985

基本的なアプリケーション回路

* ON/OFF 入力ピンはアクティブ終端しなければなりません。この機能を使用しない場合には VINに接続してください。 ** 安定性を確保するための最小容量です ( 上限はありません )。出力にはセラミック・コンデンサも使用できます ( 「アプリケーション・ヒント」を参照 )。 *** 出力ノイズを減少させます ( ノイズが問題にならないアプリケーションでは省略できる )。漏れ電流の極めて少ないセラミック・コンデンサまたはフィルム・コンデンサを使用します ( 「アプリケーション・ヒント」を参照 )。

ピン配置図

5-Lead Small Outline Package (M5)

Top View

See NS Package Number MF05A For ordering information see Table 1

micro SMD, 5 Bump Package (BPA05, TPA05 & BLA05, & TLA05) Note: パッケージ・マーキングの実際の配置は製品ごとに異なります。パッケージ・マーキングには、日付コードとロット情報が含まれ、この内容もかなり異なります。パッケージ・マーキングは、デバイス・タイプとは関係ありません。 Top View

See NS Package Number BPA05, TPA05, BLA05 & TLA08

ピン説明

ピン名ピン番号説明 SOT-23 micro SMD VIN 1 C3 入力電圧 GND 2 A1 共通グラウンド・ピン ( デバイス・サブストレート) ON/OFF 3 A3 論理 High イネーブル・ピン BYPASS 4 B2 低ノイズ動作用バイパス・コンデンサ VOUT 5 C1 制御出力電圧

(3)

製品情報

(4)

LP2985

製品情報

( つづき)

(5)

製品情報

( つづき)

(6)

LP2985

製品情報

( つづき)

(7)

絶対最大定格

(Note 1) 本データシートには軍用・航空宇宙用の規格は記載されていません。関連する電気的信頼性試験方法の規格を参照ください。

電気的特性

(Note 10) 標準書体のリミット値は TJ＝ 25 ℃に対して適用され、太字のリミット値は全動作温度範囲で適用されます。特記のない限り、以下の規格は、V_IN＝ V_O (NOM) ＋ 1V、I_L＝ 1mA、C_IN＝ 1μF、C_OUT＝ 4.7μF、V_ON/OFF＝ 2V の場合に適用されます。

保存温度範囲 − 65 ℃∼＋ 150 ℃ 動作接合部温度範囲 − 40 ℃∼＋ 125 ℃ リード温度 ( ハンダ付け、5 秒間 ) 260 ℃ ESD 耐圧 (Note 2) 2kV 消費電力 (Note 3) 内部制限入力電源電圧 ( 最大 ) − 0.3V ∼＋ 16V 入力電源電圧 ( 動作時 ) 2.5V ∼＋ 16V シャットダウン入力電圧 ( 最大 ) − 0.3V ∼＋ 16V 出力電圧 ( 最大、 Note 4) − 0.3V ∼＋ 9V I_OUT ( 最大 ) 短絡保護入出力電圧 ( 最大、 Note 5) − 0.3V ∼＋ 16V

(8)

LP2985

電気的特性(Note 10) ( つづき)

標準書体のリミット値は TJ＝ 25 ℃に対して適用され、太字のリミット値は全動作温度範囲で適用されます。特記のない限り、以下の規格は、VIN＝ VO (NOM) ＋ 1V、IL＝ 1mA、CIN＝ 1μF、COUT＝ 4.7μF、VON/OFF＝ 2V の場合に適用されます。

Note 1: 「絶対最大定格」とは、デバイスに破壊が発生する可能性のあるリミット値をいいます。この「動作定格」を超えて動作させているデバイスには「電気的特性」は適用されません。

Note 2: SOT-23 パッケージのピン 3、ピン 4、または、micro SMD パッケージのピン 5、ピン 2 の ESD 耐圧は 1kV です。

Note 3: 最大許容消費電力は、最大接合部温度 TJ (MAX)、接合部 - 周囲間熱抵抗θJA、周囲温度 TAの関数です。任意の周囲温度での最大許容消費電力は次式から求めます。ただし、SOT-23 パッケージでのθJAの値は、標準的な基板実装では 220 ℃ /W、micro SMD パッケージでは 225 ℃ /W です。最大許容消費電力を超えると、ダイ温度が上昇してレギュレータはサーマル・シャットダウン状態に入ります。 Note 4: 12V 品での出力電圧 ( 最大 )：− 0.3V ∼＋ 16V。レギュレータの負荷が負電源となる±両電源システムで使用する場合は、LP2985 の出力をグラウンドにダイオードでクランプする必要があります。

Note 5: 出力段の PNP 構造には、VINピンと VOUTピン間に 1 個のダイオード ( 通常、逆バイアス状態 ) があり、VINピンと VOUTピンの極性を逆にすると、このダイオードが導通します。

Note 6: リミット値は 25 ℃で全数テストされます。全温度範囲でのリミット値は、統計的品質管理 (SQC) 手法によって決められた補正データを加味して保証されます。これらのリミット値はナショナルセミコンダクターの平均出荷品質レベル (AOQL) に基づいて計算されます。

Note 7: ドロップアウト電圧は、入出力電圧差が 1Vの時に測定した出力電圧を基準にして、出力電圧が 100mV 下がったときの入出力電圧差として定義されます。

Note 8: 誤動作を避けるために、ON/OFF 入力ピンに適切な信号を入力しなければなりません。詳細は、「アプリケーション・ヒント」を参照してください。

Note 9: LP2985 はフの字形電流制限動作機能を持っているため、VOUT＞ 0.5V のときに高ピーク電流を流すことができ、その後 VOUTがグラウンド・レベルに

下げられるので最大出力電流が減少します ( 「代表的な性能特性」の特性曲線を参照 )。

Note 10: micro SMD を直射日光に当てると、デバイスの誤動作が生じます。詳細は「アプリケーション・ヒント」を参照ください。

(9)

代表的な性能特性

特記のない限り、以下の規格は、C_IN＝1μF、C_OUT＝4.7μF、V_IN＝V_OUT (NOM)＋1V、T_A＝25℃、ON/OFFピンは V_INに接続します。

V_OUT vs Temperature Short-Circuit Current

Short-Circuit Current Short Circuit Current vs Output Voltage

(10)

LP2985

代表的な性能特性

( つづき)

特記のない限り、以下の規格は、C_IN＝1μF、C_OUT＝4.7μF、V_IN＝V_OUT (NOM)＋1V、T_A＝25℃、ON/OFFピンは V_INに接続します。

Ripple Rejection Ripple Rejection

(11)

代表的な性能特性

( つづき)

特記のない限り、以下の規格は、CIN＝ 1μF、COUT＝ 4.7μF、VIN＝ VOUT (NOM)＋ 1V、TA＝ 25 ℃、ON/OFFピンは VINに接続します。

Ripple Rejection Output Impedance vs Frequency

Output Impedance vs Frequency Output Noise Density

(12)

LP2985

代表的な性能特性

( つづき)

Dropout Voltage vs Temperature Input Current vs Pin

GND Pin Current vs Temperature Instantaneous Short Circuit Current

(13)

代表的な性能特性

( つづき)

Load Transient Response Line Transient Response

Line Transient Response Line Transient Response

(14)

LP2985

代表的な性能特性

( つづき)

Turn-On Time Turn-On Time

(15)

アプリケーション・ヒント

外付けコンデンサ LP2985 は、他の低ドロップアウト・レギュレータと同様に、レギュレータの安定性を確保するために外付けコンデンサが必要です。これらのコンデンサは、良好な特性を得るために正しく選定する必要があります。入力コンデンサ LP2985 の入力とグラウンドの間に、容量が 1μF 以上の入力コンデンサが必要です ( 容量は際限なく増加できます )。このコンデンサは、入力ピンから 1cm 以内に配置し、グラウンド側は適切なアナログ・グラウンドに接続しなければなりません。良質なセラミック、タンタル、またはフィルム・コンデンサであれば、入力コンデンサに使用できます。 重要 : タンタル・コンデンサは、ロー・インピーダンス電源 ( バッテ リや非常に大型のコンデンサなど ) に接続した場合、サージ電流によって損傷を受けることがあります。入力にタンタル・コンデンサを使用する場合は、このようなアプリケーションに対してサージ電流定格を満たし、メーカーで保証されているものを選ぶ必要があります。入力コンデンサでは ESR についての条件はありませんが、コンデンサを選択するときに許容誤差と温度係数に注意して全動作温度範囲にわたり1μF 以上の容量を確保する必要があります。出力コンデンサ LP2985 は出力にセラミック・コンデンサを使うように特に設計されており、ESR がわずか 5mΩしかない出力コンデンサを使用しても、出力電流の全範囲にわたりレギュレータが安定する回路を採用しています。出力にタンタル・コンデンサまたはフィルム・コンデンサも使用できますが、実装時のサイズやコストの面を考慮するとメリットがありません ( 「コンデンサの特性」を参照 )。出力コンデンサは、最小容量の条件を満たし、同時に ESR ( 等価直列抵抗 ) も安定範囲に入る値でなければなりません。下図は、負荷電流に対する安定な ESR 範囲を示す曲線です。 重要 : 出力コンデンサの ESR は、回路の安定性を確保するため に、アプリケーションの全動作温度範囲にわたり安定領域に収まるものでなければなりません。 LP2985 では、最低 2.2μF の出力コンデンサが必要です ( 出力コンデンサの容量に上限はない )。出力コンデンサを選択する際は、出力コンデンサの最小必要容量が全動作温度範囲にわたり確保できるように、コンデンサの許容誤差と温度による容量変化を考慮する必要があります。セラミック・コンデンサは、温度による容量変化が大きい場合があることに注意してください ( 「コンデンサの特性」を参照 )。出力コンデンサは出力ピンから 1cm 以内に配置し、グラウンド側は適切なアナログ・グラウンドに接続しなければなりません。ノイズ・バイパス・コンデンサ BYPASS ピンに 10nF のコンデンサを接続すると、レギュレータ出力のノイズを大幅に低減できます。このコンデンサは、バンドギャップ基準電圧のハイ・インピーダンス回路に直接接続されることに注意してください。この回路にはわずか数 μA の電流しか流れないので、このピンに大きな負荷を接続すると安定化された出力電圧が変動する原因となります。そのため、ノイズ・バイパス・コンデンサを流れる DC 漏れ電流は絶対に 100nA を超えてはならず、可能な限り低く抑えて出力電圧精度を落とさないようにします。ノイズ・バイパス・コンデンサに最も適したコンデンサのタイプは、セラミック・コンデンサとフィルム・コンデンサです。誘電体に NPO または COG を使用した高品質のセラミック・コンデンサは、一般に漏れ電流が非常に小さいです。10nF のポリプロピレンおよびポリカーボネート・フィルム・コンデンサは、小型の表面実装用パッケージが入手可能で、漏れ電流も極めて小さくできています。コンデンサの特性 LP2985 は出力にセラミック・コンデンサを使用可能で、その利点を利用するように設計されています。その利点とは、容量が 2.2μF ∼ 4.7μF の範囲では、セラミック・コンデンサは最も安価で、ESR 値も最小であることです ( これにより、高周波ノイズを最も効果的に除去できます )。通常の 2.2μF セラミック・コンデンサの ESR 値は 10mΩ ∼ 20mΩ の範囲にあり、LP2985 の安定性を保つために必要な上下限値に完全に収まっています。セラミック・コンデンサの短所の 1 つは、温度によって容量が変化することです。大容量 ( ≧ 2.2μF) セラミック・コンデンサの多くは温度特性が Z5U または Y5V で製造されており、温度が 25 ℃から 85 ℃へ変化すると、容量が 50％以上減少します。このことから、出力に 2.2μF のコンデンサを使用した場合、周囲温度が高いときに約 1μFまで容量が減少するために障害の原因となります (LP2985 の出力の発振原因にもなります )。Z5U または Y5V のコンデンサを出力に使用する場合は、4.7μF 以上の容量にする必要があります。セラミック・コンデンサには温度係数の優れた X7R があり、容量が± 15％以内に保たれます。残念ながら、X7R 誘電体で大容量のコンデンサはどのメーカーからも販売されていません。 タンタル タンタル・コンデンサは、1μF ∼ 4.7μF の範囲で同じ容量および定格電圧のセラミック・コンデンサと比較して、より高価なため、出力コンデンサとしてはセラミックほどには適していません。また、タンタル・コンデンサは、同等サイズのセラミック・コンデンサに比べて ESR 値が大きいことも考慮しなければなりません。そのため、ESR 値が安定範囲に入るタンタル・コンデンサを見つけるのは可能ですが、同じ ESR 値のセラミック・コンデンサよりも容量が大きくなってしまいます ( すなわち、外形が大きく、高価になってしまいます )。また、一般のタンタル・コンデンサの ESR 値は、温度が 25 ℃から− 40 ℃へ下がるとほぼ 2 倍になるため、何らかのガードバンドを設けなければなりません。

(16)

LP2985

アプリケーション・ヒント

( つづき)

ON/OFF入力ピンの動作

ON/OFF 入力ピンを Low にするとLP2985 はシャット・オフし、High にプルアップするとターンオンします。この機能を使用しない場合は、ON/OFF ピンを VINと基板上で接続してレギュレータの出力を常時オン状態にする必要があります。正常な動作を確保するために、ON/OFF 入力の駆動に使用する信号源は、「電気的特性」の VON/OFFに規定されているターンオン / ターンオフ電圧スレツショルド・レベル以上、および以下まで振れることが必要です。誤動作防止のために、ON/OFF ピンに印加するターンオン ( およびターンオフ ) 電圧信号のスルーレートは、40mV/μsec 以上必要です。 注意 : 「電気的特性」の V_{ON/OFF に}規定されているターンオン電圧とターンオフ電圧の間に入る、変化の遅い AC ( または DC) 信号を入力した場合、レギュレータの出力電圧は保証されません ( 「電気的特性」を参照 )。入出力電圧の反転 LP2985 のパストランジスタとして使用する PNP パワー・トランジスタには、レギュレータの出力と入力の間に接続された固有のダイオードが存在します。通常の動作中 ( 入力電圧が出力電圧よりも高い ) では、このダイオードは逆バイアスされています。しかし、出力電圧が入力電圧よりも高くなるとこのダイオードがターンオンし、レギュレータの出力に電流が流れ込みます。このような場合、寄生 SCR がラッチして大電流が VINへ流れ込み ( グラウンドからは流れ出し )、LP2985 に電気的なダメージを与え、破壊してしまう恐れがあります。出力が入力よりも高くなる可能性のあるアプリケーションでは、V_IN と VOUT間にショットキ・ダイオードを外付けし ( カソードを VIN、アノードを VOUT)、LP2985 にかかる逆電圧を 0.3V 以下に制限する必要があります ( 「絶対最大定格」を参照 )。 micro SMDの実装 micro SMD パッケージには特有の実装技法が必要ですが、それについては、ナショナルセミコンダクターのアプリケーション・ノート AN-1112 に詳述されています。「表面実装技術 (SMT) アセンブリに関する配慮点」を参照して、5 ピン・パッケージに使用しなければならないパッド形式は NSMD ( 非ハンダ・マスク定義 ) 型にするように注意してください。アセンブリ時の最良の結果を得るために、PC 基板上に部品搭載図を使用すると、micro SMD デバイスの配置が容易にできます。 micro SMDの光に対する感受性 micro SMD を直射日光に当てると、デバイスの誤動作が生じます。ハロゲン灯などの光源に近づけても、電気的性能に影響する可能性があります。最も有害な効果を持つ波長は赤色系および赤外系です。つまり、大部分の建物で使用されている蛍光灯では、性能に対する効果はほとんどないことになります。 micro SMD の試験基板を卓上蛍光灯の 1cm 以内に近づけたところ、安定化出力電圧に対する効果は無視可能であり、公称値からの偏移の指示値は 0.1％未満でした。

(17)

外形寸法図

特記のない限りinches (millimeters)

5-Lead Small Outline Package (M5) NS Package Number MF05A

(18)

LP2985

外形寸法図

単位は millimeters ( つづき ) NOTES: 特記のない限り 1. エポキシ・コーティング 2. 63Sn/37Pb EUTECTIC バンプ

3. NSMD (Non-Solder Mask Defined) のランディング・パッドを推奨。

4. ピン 1 はマーキング面 ( エポキシ・コーティング面 ) から見て左下にあり、他のピンは反時計回りに番号が付けられています。 5. 図中の XXX はパッケージ・サイズを表しています。 X1 はパッケージ幅、X2 はパッケージ長、X3 はパッケージ高です。 6. 1999 年 8 月現在 JEDEC 未登録。

micro SMD, 5 Bump, Package (BPA05) NS Package Number BPA05A

For Order Numbers, refer to Table 1 in the “Ordering Information” section of this document. The dimensions for X1, X2 and X3 are as given:

X1＝ 0.930 ＋ / − 0.030mm

X2＝ 1.107 ＋ / − 0.030mm

(19)

外形寸法図

単位は millimeters ( つづき )

NOTES: 特記のない限り 1. エポキシ・コーティング 2. 63Sn/37Pb EUTECTIC バンプ

micro SMD, 5 Bump, Package (TPA05 - 170 μm ball)

NS Package Number TPA05

For Order Numbers, refer to Table 1“Ordering Information” section of this document.

The dimensions for X1, X2 and X3 are as given: X1 = 0.930 ＋ / − 0.030mm

X2 = 1.107 ＋ / − 0.030mm

(20)

LP2985

外形寸法図

単位は millimeters ( つづき ) NOTES: 特記のない限り 1. エポキシ・コーティング 2. 63Sn/37Pb EUTECTIC バンプ

micro SMD, 5 Bump, Package (BLA05 - 300 μm ball)

NS Package Number BLA05A

X2 = 1.412 ＋ / − 0.030mm

(21)

外形寸法図

単位は millimeters ( つづき )

NOTES: 特記のない限り 1. エポキシ・コーティング 2. 63Sn/37Pb EUTECTIC バンプ

micro SMD, 5 Bump, Package (TLA05 - 300 μm ball)

NS Package Number TLA05A

X2 = 1.412 ＋ / − 0.030mm

(22)

LP2985

マイ

クロ

パ

ワ

ー

150mA

低ノ

イ

ズ

、

超

低

ドロ

ッ

プ

ア

ウ

ト・

レ

ギ

ュ

レ

ー

タ

(SO

T

-23

およ

び

micro SMD

パッ

ケ

ー

ジ

)

超低

ESR

出

力

コ

ン

デ

ン

サ

が

使用可能

生命維持装置への使用について

ナショナルの製品は、ナショナルセミコンダクター社の最高経営責任者 (CEO) および法務部門 (GENERAL COUNSEL) の事前の 書面による承諾がない限り、生命維持装置または生命維持システム内のきわめて重要な部品に使用することは認められていません。ここで、生命維持用の装置またはシステムとは (a) 体内に外科的に使用されることを意図されたもの、または (b) 生命を維持あるいは支持するものをいい、ラベルにより表示される使用法に従って適切に使用された場合に、これの不具合が使用者に身体的障害を与えると予想されるものをいいます。重要な部品とは、生命維持にかかわる装置またはシステム内のすべての部品をいい、これの不具合が生命維持用の装置またはシステムの不具合の原因となりそれらの安全性や機能に影響を及ぼすことが予想されるものをいいます。本資料に掲載されているすべての回路の使用に起因する第三者の特許権その他の権利侵害に関して、弊社ではその責を負いません。また掲載内容は予告無く変更されることがありますのでご了承ください。

ナショナルセミコンダクタージャパン株式会社

本社／〒 135-0042 東京都江東区木場 2-17-16 TEL.(03)5639-7300 技術資料（日本語 / 英語）はホームページより入手可能です。

www.national.com/jpn/

このドキュメントの内容はナショナルセミコンダクター社 ( 以下ナショナル ) 製品の関連情報として提供されます。ナショナルは、この発行物の内容の正確性または完全性について、いかなる表明または保証もいたしません。また、仕様と製品説明を予告なく変更する権利を有します。このドキュメントはいかなる知的財産権に対するライセンスも、明示的、黙示的、禁反言による惹起、またはその他を問わず、付与するものではありません。試験や品質管理は、ナショナルがナショナルの製品保証を維持するために必要と考える範囲に用いられます。政府が課す要件によって指定される場合を除き、各製品のすべてのパラメータの試験を必ずしも実施するわけではありません。ナショナルは製品適用の援助や購入者の製品設計に対する義務は負いかねます。ナショナルの部品を使用した製品および製品適用の責任は購入者にあります。ナショナルの製品を用いたいかなる製品の使用または供給に先立ち、購入者は、適切な設計、試験、および動作上の安全手段を講じなければなりません。それら製品の販売に関するナショナルとの取引条件で規定される場合を除き、ナショナルは一切の義務を負わないものとし、また、ナショナルの製品の販売か使用、またはその両方に関連する特定目的への適合性、商品の機能性、ないしは特許、著作権、または他の知的財産権の侵害に関連した義務または保証を含むいかなる表明または黙示的保証も行いません。 National Semiconductorとナショナルセミコンダクターのロゴはナショナルセミコンダクター社の商標または登録商標です。一部のブランドや製品名は各権利所有者の商標または登録商標です。