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DWCNTの電気特性は

シリコーンゴムの電気特性について

シリコーンゴムの電気特性について

... V の水中,気中の温度特性 壊においては, 常温以上の温度範闘で, その B,D, Vは混度に比例して上昇する... K磯部工場より試料の提供を受けた.ここに深謝申しと げると共に実験に協力していただいた石崎五十雄君に御 礼申し述べる次第である.[r] ...

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製品アーキテクチャ論から見たEV(電気自動車)市場の技術的特性と部品取引関係

製品アーキテクチャ論から見たEV(電気自動車)市場の技術的特性と部品取引関係

... Robertson[1992] ,取引コスト視点からモジュラー 化と産業ネットワーク化について説明している。Langlois ら,製品を構成する要素が内製 されるか外部調達されるか,製品コストと取引コストと関係性次第であると述べる。 ...

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キノン系化合物と多孔質炭素との複合化とその電気化学キャパシタ特性評価

キノン系化合物と多孔質炭素との複合化とその電気化学キャパシタ特性評価

... ている。したがって当研究室複合化手法と構造解析・ 電気化学測定手法を利用することで、キノン化合物と多 孔質炭素とが複合化された高性能な電気化学キャパシ タ電極材料工業的な生産が見込める。本共同研究が成 功することで、これまでに学術領域に止まっていたキノ ン系材料を利用した高性能な電気化学キャパシタ電極 ...

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逆阻止型 IGBT の結晶欠陥解析と電気的特性に関する研究
																																			
								
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... 観点から漏れ電流発生メカニズムと漏れ電流構成成分、温度依存性に関して述べている。 第 4 章で、発生電流に大きな影響を及ぼす、結晶欠陥によってできるバンドギャップ中深いエネル ギー準位を解析するため Deep Level Transient Spectroscopy(DLTS)法原理を述べている。 第 5 ...

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逆阻止型 IGBT の結晶欠陥解析と電気的特性に関する研究
																																			
								
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... RB-IGBT 漏れ電流解析 6. 1 深いトラップ準位漏れ電流へ影響 DLTS 解析によって得られた、従来 RB-IGBT に存在するトラップ準位に関し、 ...B 漏れ電流寄与率 1/273 程度となり、発生漏れ電流に関して、 Trap A が支配的となっていると考えられる。 Trap A ...

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D-KDP結晶の電気光学的特性と瞬間シャッタへの応用 (I)
																																			
								
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... にもれ光が存在するが波高値3400Vではっきりフィ ラメントの撮影ができ,十分にシャッタとして動作す ることが確認できた。 ついで,厚み1.Ommと1.5mmとのシャッタ素 子につき,印加パルス電圧の波高値を500∼3500Vま で500Vずつ変え,パルス幅を2・2μs,1・5μs,1・Oμs, 0・5μsに変化し,同様にフィラメソトを撮影し,その 結果を写真一5,6[r] ...

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JAIST Repository: 金電極表面でのレドックス活性高分子の合成と電気化学的特性評価

JAIST Repository: 金電極表面でのレドックス活性高分子の合成と電気化学的特性評価

... 【結果と考察】 この作製したレドックス活性高分子修飾電極をサイクリックボルタンメトリーで行 ったところ、重合時間が長いほど高い電流値が得られた。このことから、重合時間が 長いほど高分子量レドックス活性高分子修飾電極ができたと考えられる。 ...

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JAIST Repository: フェロセン含有レドックス活性高分子の電気化学特性評価と酵素電極への応用

JAIST Repository: フェロセン含有レドックス活性高分子の電気化学特性評価と酵素電極への応用

... The use of the cross-linked redox polymer and the addition of BSA for enzyme immobilization provided the redox polymer-protein electrode with very stable electrochemical response.. This [r] ...

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JAIST Repository: Si基板上にヘテロエピタキシャル成長させたYSZ薄膜の電気的特性の改善

JAIST Repository: Si基板上にヘテロエピタキシャル成長させたYSZ薄膜の電気的特性の改善

... 図 2 に、従来成膜プロセス及び酸素暴露時間を短くした新プロセスにおける合金膜堆積直後、 反応性スパッタ前後界面で SiO 2 層層厚を示す。図より酸素暴露時間を短くした新プロセス では、反応性スパッタ直前において SiO ...

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自己組織化銅アセチリドナノワイヤーの電気伝導特性

自己組織化銅アセチリドナノワイヤーの電気伝導特性

... AFMによる測定であるが,加熱変換後ナノケーブル 表面アモルファス炭素を剥離し,直接,金属銅ナノワ イヤーへと接触させた実験でないので,表面アモル ファス炭素層を通して電流・電圧特性を測定したことに なる。その結果,電気が流れにくい非オーミックな特性 になった。つまり,銅ナノケーブルにおいて銅を被覆し ...

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ラッカーゼを固定化したポリアニリン/シリカゲル修飾グラファイト電極の電気化学的特性

ラッカーゼを固定化したポリアニリン/シリカゲル修飾グラファイト電極の電気化学的特性

... 2.2 電気化学測定装置 電解重合およびサイクリックボルタモグラム(CV)測定 に,BAS社 CV-50W エレクトロケミカルアナライ ザーを用いた。また定電位 解試験に㈱扶桑製作所高 感度ポテンショスタット HECS 318を 用した。測定法 3電極法とし,対極に自作 Pt線電極を,また参照電極 ...

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パルスCVI法による炭素基多孔質体への熱分解炭素コーティングと電気化学的特性

パルスCVI法による炭素基多孔質体への熱分解炭素コーティングと電気化学的特性

... 本研究室で、CVD(Chemical Vapor Deposition、化 学蒸着)法やパルス CVD/CVI(Chemical Vapor Infiltration、 化学気相含浸)法を利用し、既存負極材料として使用 されている黒鉛や種々低結晶性炭素、あるいは多孔質 炭素をコア材料として用いて、シリコン薄膜、さらに ...

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パルスCVI 法により多孔質基質内に析出した熱分解炭素の構造と電気化学的特性

パルスCVI 法により多孔質基質内に析出した熱分解炭素の構造と電気化学的特性

... ーク格段に弱くなり、この結果熱分解炭素結晶子 配向が乱れていることを示唆している。なお、ラマン 分光からも TiN 基多孔質体に析出した熱分解炭素方が 構造乱れが大きいことがわかった。従来流通型 CVD 場合、原料ガスが基質に到達する前に、ガス充分加 ...

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JAIST Repository: イニファーター重合法を利用したレドックス活性高分子の合成とその電気化学的特性評価

JAIST Repository: イニファーター重合法を利用したレドックス活性高分子の合成とその電気化学的特性評価

... 【結果と考察】 均一溶液系イニファーター重合場合、リビング重合挙動がみられた。また、 NMR から VFc 導入率ほぼ一定値となることがわかった。 次に、作製したレドックス活性高分子修飾電極についてリン酸緩衝液( pH7.1 )中で CV によっ ...

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ひずみSiおよびひずみのないSi MOS界面の電気的評価と界面欠陥が素子特性に与える影響

ひずみSiおよびひずみのないSi MOS界面の電気的評価と界面欠陥が素子特性に与える影響

... In order to characterize interface properties, diverse evaluation techniques have been proposed, such as conductance method and S-factor.. And also, the validity of thre[r] ...

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モデル光触媒研究を基礎としたSrTiO3の光電気化学特性の評価と高効率化

モデル光触媒研究を基礎としたSrTiO3の光電気化学特性の評価と高効率化

... In this chapter, I demonstrated a novel nanostructure design concept using self-assembled metal nanopillar structures to achieve efficient photocarrier transport from a bulk semiconductor [r] ...

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内容 1 製品内容 基本仕様 特徴 規格認証 電気的仕様 定格 絶対最大定格 電気的特性 モジュール PIN 情報 BVMCN5103-xxx

内容 1 製品内容 基本仕様 特徴 規格認証 電気的仕様 定格 絶対最大定格 電気的特性 モジュール PIN 情報 BVMCN5103-xxx

... モジュールを実装する基板事をメイン基板と呼びます。リフロープロファイル参考例です。 SMD実装工場で、クリームハンダ特性・基板厚み・銅箔層厚み・銅箔層広さ・銅箔層面積・銅箔層数・ ...

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酸化還元色素電解重合膜の電気化学特性とチロシナーゼを用いた2,4-ジクロロフェノールセンサへの応用

酸化還元色素電解重合膜の電気化学特性とチロシナーゼを用いた2,4-ジクロロフェノールセンサへの応用

... る。 3.3 電子メディエータとして可能性 ポリ azine膜によって電極表面を被覆することによ り酵素反応が促進されること,生体触媒電極反応が 生じている可能性がある。Fig.1に示したように,電極 触媒反応に二つタイプがあり,直接電子移動型 導電性ポリマーなどで被覆した電極などで,またメ ディエータ型電極と酵素 ...

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次世代ロジックデバイス配線に向けた無電解NiBめっき膜のバリア性能と電気特性評価

次世代ロジックデバイス配線に向けた無電解NiBめっき膜のバリア性能と電気特性評価

... Kumar et al: Effect of composition on electroless deposited Ni-Co-P alloy thin films as a diffusion barrier for copper metallization Appl.. Tao et al Effect of W addition o[r] ...

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