高耐圧 MOSFET の特性
高耐圧SiC MOSFET
... V の中・高耐圧領域では Si の IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor）が利用されている。 当社では、この耐圧領域の Si IGBT をより損失の少ない SiC MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field- Effect ...
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超高耐圧応用を目指したSiCにおける絶縁破壊特性の基礎研究およびPiNダイオードの高性能化
... を用いて比較的高電界における衝突イオン化係数を求め、結果として約 1~3 MV/cmの広い 電界範囲で衝突イオン化係数を決定したことは特筆に値する。次に、作製した pn接合ダイ オードの光生成電流のバイアス電圧依存性を室温から 150℃の温度範囲で計測し、衝突イ ...
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高信頼性パワーモジュール設計のための機械特性評価技術の開発
... 研究分野：ナノテクノロジ，材料工学，機能性材料 キーワード：車載用パワーデバイス，機械信頼性， Ag ナノ焼成膜，引張試験 1．研究開始当初の背景 近年，電力変換モジュールとしてのパワーデバイス開 発が盛んであるが，輸送機分野，とりわけ EV/HEV に おける IGBT パワーデバイスは，小型化・高機能化のト レンドの一途を辿っている．特に 2020 ...
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IGBTの特性
... ワイドベース（リーチスループロテクション：ブロッキング状態） ベースとコレクタドリフト領域への高レベル注入（オン状態） 複雑なゲート駆動回路（回路面積大⇒高価） パワー MOSFET ...
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高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究
... 例えば、 PiN ダイオードに関して言えば、伝導度変調が生じる際に考慮すべきキャリア寿命は、熱 平衡状態における耐圧維持層の多数キャリア密度を上回る高レベル注入状態のキャリア寿命であり、一 方、スイッチング特性に関して、ターンオフ時の逆回復時間や損失を議論する領域は、主に低レベル注 入状態のキャリア寿命が焦点となる ...
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低転位GaN 基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード
... /Vs の n-GaN ドリフト層を得ることができた。こ の高品質 n-GaN ドリフト層を用いた縦型 GaN SBD の電気 特性は、耐圧 1100V 以上、オン抵抗 ...SiC の材料限界を超え、SiC と GaN の SBD で報告されてい る性能指数の中で最大である。また、実使用レベルにある、 ...
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高輝度電子銃の特性解析のための陰極形状モデリング法
... µm の範囲を示している。初期形状 は図 3(a)の場合であり、1,200 時間までの形状変化である。 初期形状は黒、305 時間後の形状は赤、602 時間後の形状 は緑、910 時間後の形状は水色、1,200 時間後の形状は青 で示している。先端曲率半径はしだいに増加し、先端位 置はしだいに後退していくことがわかる。1,200 時間後に ...
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マリアナ海溝の底に生きる深海生物の酵素タンパク質の耐圧性のメカニズムを解明－たった１個のアミノ酸の違いで酵素の耐圧性が変わる－
... 考えられてきていましたが、タンパク質個々の機能に焦点を当てれば、意外と単純にアミノ酸のレ ベルで議論ができることがわかりました。今回の成果から、高圧構造解析の結果を利用して、既知 のタンパク質に深海生物の耐圧機能を付加するという技術的な可能性を示すことができました。今 ...
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C01 ニオブ系無鉛圧電セラミックスの電気的耐圧特性 ( 名工大 ) 永松野愛 西山拡 柿本健一 緒言 圧電セラミックスは 高電界を印加して自発分極を配向する分極処理を必要とするため その性能を余すことなく利用するには 高い
... の電気的特性に与える影響を中心に検討を行った。 【実験方法】 出発原料として NaNbO 3 , BaTiO 3 , MnCO 3 を選択し、これらの混合粉末を酢酸ブチル（溶媒）、 ポリビニルブチラール（バインダー）、ジブチルフタレート（可塑剤）を混合したビヒクル中に 分散させてスラリーを調製した。調製したスラリーをドクターブレード法によりテープキャスト ...
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Keysight Technologies 高精度動特性評価・パルスＩＶ評価に対応
... ns の必要な待ち時間を減算した後で 測定アベレージングに 800 ns を使用できることを意味します。図 6 のチャートから、アベレージン グ時間 800 ns で測定された電流の標準偏差は約 3 μ A です。測定される電流の再現性を改善するた めに、下位の電流レンジを使用することも可能です。例えば、 1 mA レンジでは、セトリング時間 は 250 ns ...
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150V GaN HEMTにおける業界最高8Vまで高めたゲート耐圧技術を開発
... © 2021 ROHM Co., Ltd. ローム、パワー分野への取り組み パワーデバイスからIC、モジュールまで、省エネ・小型化に貢献する製品を最適な形で提供 SiC MOSFET内蔵AC/DCコンバータICなど、 パワーデバイス素子とIC技術を合わせた製品も提供中 ...
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レーザ発振特性とレーザマイクロホンの音波検出特性の研究
... １．はじめに 現在、音波検出を行っているマイクロホンには大きく 分けて 2 種類ある。1 つ目は、コンデンサ型のマイクで 別名静電型と呼ばれ、振動膜に電気を貯め、音波による 空気の振動を感知し、この振動板が動くことで電極間の 距離が変化するため、音声信号に比例した静電容量の変 化が発生する。 2 つ目はダイナミック型のコンデンサで ...
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カレーライス好適米 華麗舞 の特性解明カレーライス好適米 華麗舞 の特性解明 99 らし後 25 2 時間インキュベーター (TABAI REFRIGERATED INCUBATOR, LNL-111) に保 温した その後無差別に 20 粒を低圧縮 高圧縮 測定に用いた 3)4) 6. α アミラ
... 9. キシラナーゼ活性の測定 Megazyme 社製測定キットを用いて、4 本の試 験 管 に 試 料 0.5 g に 0.1 M 酢 酸 緩 衝 液 5 ml（T. longibrachiatum control xylanase 使 用 の 際 は pH 6 の 0.1 Mess を使用した）を加え、2 本にキシ ラナーゼ標準液を加えすぐに撹拌し他方 2 本に蒸 留水を 0.2 ...
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h-BNヘテロ界面を利用した高移動度ダイヤモンドトランジスタの電荷輸送特性の研究
... 文 の 要 旨 本論文は、ダイヤモンド電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の電荷キャリアの高移動度化と量子輸送特性の研 究について記述したものである。高移動度化のために、ゲート絶縁体として六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ） 単結晶を用いたダイヤモンドＦＥＴをはじめて実現したことを報告している。リソグラフィーと蒸着によるソー ...
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経験的なサイト特性および震源特性を用いた高精度強震動予測手法の開発
... 害 の 軽 減 を 目 的 と し て 経 験 的 な サ イ ト 特 性 お よ び 震 源 特 性 を 用 い た 高 精 度 地 震 動 予 測 手 法 を 開 発 し たものである．地震被害を軽減させるためには，対象 地 点 に お け る 揺 れ を 高 精 度 に 予 測 す る こ と が 重 要 で あるが，特に，構造物の耐震性の評価に用いる時刻歴 ...
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高靭性繊維補強セメント複合材料で補強した組積造壁体の力学特性と補強効果 [ PDF
... 61-4 表3にECC10およびECC20試験体のせん断耐力の計算 値と実験値の比較を示す．ECC10試験体，ECC20試験体 ともに計算値の6割程度の値となった．既往の研究とし て1章で述べた3層煉瓦組積体のせん断実験における計 算値と実験値の比較では，ECCを10mm塗布した試験体 ...
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NJW4113-T1 ウォッチドッグタイマ付き 45V 耐圧 Io=500mA 低飽和レギュレータ 概要 NJW4113 は 45V 耐圧 低消費電流 Io=500mA のウォッチドッグタイマ (WDT) 内蔵低飽和型レギュレータです 出力電圧の低下を監視すると共に WDT 機能によるクロック監視が
... 推奨容量値 (電気的特性共通条件欄に記載している容量値) 未満の Co を使用すると内部回路の安定度が低下 し、出力ノイズの増加、レギュレータの発振等が起こる可能性がありますので、安定動作のために推奨容量 値以上の Co を、V OUT 端子－GND 端子間に最短配線で接続して下さい。 ...
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200N/mm2 級超高強度コンクリートの性状に影響を及ぼす結合材料の特性に関する研究
... Al の溶出量が多いほど圧縮強度は高い傾向が認められ、ポゾラン 活性を説明づける因子として有効であると考えられた（同図中①及び⑧）。次にセメントの鉱物組成及 びブレーン比表面積が強度に及ぼす影響について評価を行った。その結果、鉱物組成については LC を MC に置換して加熱養生を施すと約 8%の強度低下が認められた。またブレーンについては同一ロット の LC ...
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Mastro -リン酸基含有化合物分析に対する新規高耐圧ステンレスフリーカラムの有用性について-
... まとめ リン酸基含有化合物の分析において新規高耐圧ステンレスフリーLCカラム “Mastro TM ”が有効である事が示唆された。 ギ酸、ギ酸アンモニウム等の揮発性の塩を用いリン酸基含有化合物を分析したと ...
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耐圧防爆形スピーカ
... ・本資料記載以外の事項での不測の事態の発生を可能な限り防止するために、貴社製品の仕様 並びに需要先、本製品の使用条件、本製品の取り付け部の詳細などについてご相談いただき ますようお願いいたします。 ・万一、本製品の故障や外部要因による異常が発生しても、システム全体が安全側に働くよう ...
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