高耐圧GaNパワーデバイス開発
高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究
... [9]。すなわち、キャリア寿命の注入レベル依存性を把握することは、 デバイスの動作を理解する上で、非常に重要な情報となる。また、デバイスが駆動している間は、通電 損失やスイッチング損失により生じる発熱に伴い、デバイス温度が上昇する。温度上昇に伴うキャリア 寿命の変化は、オン抵抗の変化につながり、デバイスの温度変化に伴う損失の変化や、素子の熱暴走の ...
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開発の社会的背景 パワーデバイスは 電気機器の電力制御に不可欠な半導体デバイスであり インバーターの普及に伴い省エネルギー技術の基盤となっている 最近では高電圧 大電流動作が技術的に可能になり ハイブリッド自動車のモーター駆動にも使われるなど急速に普及し 市場規模は 2 兆円に及ぶといわれる パワー
... 電源系を制御する半導体デバイスで、電気を使って動作する全ての機器に使用されている基本 デバイスである。最近では、自動車のモーター駆動などにも使われてきており、心臓部品となっ ている。半導体材料として通常シリコン（Si）が用いられているが、動作速度、電圧、電流、冷 却系などで、ほぼ限界に近くなってきている。そのため、炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）、 ...
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150V GaN HEMTにおける業界最高8Vまで高めたゲート耐圧技術を開発
... © 2021 ROHM Co., Ltd. ローム、パワー分野への取り組み パワーデバイスからIC、モジュールまで、省エネ・小型化に貢献する製品を最適な形で提供 SiC MOSFET内蔵AC/DCコンバータICなど、 パワーデバイス素子とIC技術を合わせた製品も提供中 ...
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Keysight Technologies B1505A パワーデバイス アナライザ / カーブトレーサ ユーザ ガイド
... N1259A テスト・フィクスチャ パッケージ・デバイスの測定を行うには N1259A テスト・フィクスチャを 使用します。N1259A には GNDU、MFCMU、HPSMU/MPSMU、 HVSMU/HVMCU、HCSMU/MCSMU/DHCSMU（デュアル HCSMU）を接続 できます。また GNDU プロテクション・アダプタと HPSMU プロテクショ ...
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GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Inject
... 超高耐圧AlGaN/GaN HFET サファイア基板 バッファ層 i-AlGaN i-GaN ソース フィールドプレート ゲート 厚膜AlNパッシベーション SiN 高電界 サファイア基板への ビアホール 超高耐圧 AlGaN/GaN HFETの断面図 ■厚膜多結晶AlNパッシベーション 従来のSiNと比較して大きな絶縁破壊電界強度 高い熱伝導率（SiNの200倍以上）[r] ...
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低転位GaN 基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード
... 基板を用いた パワーデバイスの優位性を実証するため、パワーデバイス の な か で 基 本 と な る シ ョ ッ ト キ ー バ リ ア ダ イ オ ー ド （SBD ： Schottky Barrier Diode）により評価を進めてき た （1）、 （2） 。今回の報告では、GaN 基板上の n-GaN ...
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北海道大学大学院情報科学研究科 [ 博士論文 ] 次世代パワー半導体デバイスの適用を考慮した高周波 PWM インバータのひずみ ノイズ低減に関する研究 Study of Reducing Distortion and Noise of High-frequency PWM Inverters App
... プラのターンオン・ターンオフの特性である。フォトカプラには LED に電流が流れている ことを検出するまでの遅れ時間であるターンオン時間が存在する。逆に、電流が流れなく なったことを検出するまでの遅れ時間であるターンオフ時間が存在する。このターンオ ン・ターンオフ時間が異なる場合、フィードバック信号には検出誤差が発生することにな る。そのため、フィードバック信号は直流成分の検出誤差を含んだ信号となり、実際の出 ...
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高信頼性パワーモジュール設計のための機械特性評価技術の開発
... 図 3 に，銀焼成膜（加圧 60MPa）の疲労試験から得 られた S-N線図を示す．5点のデータ取得に成功したが， プロット間にばらつきがみられる．原因については空隙 の影響が大きく関係していると考えられるため，試験後 の破断面から空隙率を算出し，原因について現在調査中 である．また，低サイクル（ 10 3 サイクル以下）と高サ イクル（ 10 6 サイクル以上）のプロットをいくつか取得 する予定である． ...
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パワーデバイス応用のための表面活性化手法による単結晶SiC の接合
... 途に適用することができない。ここに、本提案手法を有効に適用することが期 待される。また、薄型化したデバイスの裏面の電極処理を行うためには、高温 耐熱性のある接合が必要であるが、これも従来の接合では対応できない。この 場合には、スルーホールを設けた Si 支持基板をデバイス基板に直接接合するこ とで解決出来る。この際も、従来の SiO 2 を介在させるような接合では、高温処 ...
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商品特長 スピードアーク 1. 新開発の speedarc と進化した パワースリット の相乗効果で高初速化を追求 ヘッド内部のバック側に搭載された新開発の speedarc と進化した パワースリット の相乗効果で フェース側のクラウンがたわみ 高初速化による大きな飛びを追求しました 2. 新しく
... 口径：φ60/重さ：41.5g ■付属品 ヘッドカバー（中国製） ※1：Tour AD J16-11W シャフトは、グラファイトデザイン社と共同開発した当社オリジナルシャフトです。 ※2：Air Speeder 「J」 J16-12W シャフトは、藤倉ゴム工業社と共同開発した当社オリジナルシャフトです。 ■ 商品 ： BRIDGESTONE GOLF JGR FAIRWAY WOOD ...
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高性能パワー マネジメント製品 analog.com/jp/power
... ノードにエネルギーがない場合に最小 380mV の入力電圧でコールド・スタートを可能にします。 効率的な超低消費電力の変換に加えて、ADP5090は優れたシステム設計上の柔軟性を提供します。たとえば、組み込みのプログラミング機能によりさまざまな蓄電媒体を充電できます。オプションのバッ ...
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超高耐圧応用を目指したSiCにおける絶縁破壊特性の基礎研究およびPiNダイオードの高性能化
... 用性を述べている。特に、 10 kV以上の超高電圧応用における電力変換用素子としてのSiC バイポーラデバイスの特徴、優位性を現行の Siパワーデバイスや現在開発中のSiCユニポ ーラデバイスと比較しながら論じている。次に、 SiCバイポーラデバイスの研究開発の現 ...
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大口径電子デバイス用エピ基板の開発
... http://www.toshiba.co.jp/about/press/2012_07/pr_j2501.htm より Si基板を使用したGaN LEDです。低熱抵抗で長 寿命、コストパフォーマンスに優れています。 サージ保護素子内蔵の高ESD耐量製品です。緑 ～青色、白色系もラインアップしています。 ...
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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作
... 本研究では第一原理分子動力学法を用いて地球シミュレータを使わないと困難な数百原子で 100ps オーダーの酸化反応およびアニーリングのシミュレーションにより、SiC 結晶表面の酸化膜成長メカ ニズムと欠陥構造の形成過程を明確にし、酸化条件、アニーリング条件について検討する。さらに、 地球シミュレータを用いないと困難な数百原子でハイブリッド汎関数によりバンドギャップ補正した 界面準位のシミュレーションを行う。これにより MOS ...
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高耐圧SiC MOSFET
... Si パワーデバイスと比較して、耐圧を保持 するドリフト層膜厚を約 10 分の 1、不純物濃度を約 100 倍 にすることができるため、オン抵抗を 2 〜 3 桁下げる事が できる。一方、4H-SiC の飽和ドリフト速度は Si の約 2 倍 であり、高速スイッチングも期待できる。さらに、4H-SiC の熱伝導率は Si の約 3 倍であり、高温環境でも安定動作す ...
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ＧａＮパワーデバイス
... の高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT）は、これまで電子管やガリウム・ヒ素（GaAs） デバイス、シリコン（Si）LDMOS トランジスタなどが使われてきた携帯電話基地局、レーダ、 マイクロ波無線通信などの通信インフラ向けにパワー高周波デバイスとして採用が広がっ ている。かつては、防衛分野などの限られた領域で利用されていたが、着実にその採用分 ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 本技術の長所としては、 HVPE 法に比べて原料利用効率が良く、製造コストを抑制することが できるという利点があると主張されている。また成長速度が遅いため欠陥密度が低い良質な結晶 が育成できるとされている。 短所としては、超臨界状態を達成するために、高温高圧（ 600℃、200MPa など）が必要であり、 特に圧力の面から大型設備は大変困難と考えられる。また結晶成長速度が遅いため長時間運転が 必須である。超臨界状態の NH3 ...
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パワーデバイス特性入門
... http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/column/15/090100007/110100060/ (5) 松田順一、「パワーMOSFETのdV/dt耐性」って何のこと？ http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/column/15/090100007/011800066/?rt=nocnt (6) 松田順一、「IGBTのブレークダウン電圧」は何で決まる？ ...
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三菱パワーデバイス HVIC
... HVIC（High Voltage IC）は、パルストランスやフォトカプラを用いたパワーMOSFETやIGBTのゲート駆動に代わり、 マイコンなどの入力信号で直接ゲートを駆動する高耐圧ICです。 レベルシフト回路により、半導体チップ内部で絶縁し、また各種保護機能（電源電圧低下保護、インターロック機能、 ...
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大口径電子デバイス用エピ基板の開発
... →SiC基板の大口径化とともに、Siと競争できる低コスト化を実現することが必要。 GaNデバイスの場合、 →GaN基板の実用化の目処がたっておらず、Siと競争できる低コスト化を実現することは困難。 →サファイア基板は、放熱性に問題がある。 ...
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