三菱パワーデバイス　HVIC

(1)

三菱パワーデバイス HVIC

HG-397M 岡-1804〈IP〉 ©2018 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. ALL RIGHTS RESERVED.

2018

年

4 月作成

三菱パワーデバイス

HVIC

菱洋エレクトロ株式会社大阪支店（06）6455-5121 　京都営業所（075）371-5751 株式会社立花エレテック（06）6539-2707 　北陸支店（076）233-3505 協栄産業株式会社大阪営業所（06）6343-9663 菱電商事株式会社関西支社（06）4797-3956 　京都支店（075）231-4396 　北陸支店（076）224-4102 　姫路営業所（079）287-2000 　広島支社（082）227-5411 　福山営業所（084）923-6393 　四国支社（087）885-3913 菱洋エレクトロ株式会社名古屋支店（052）203-0277 株式会社立花エレテック名古屋支社（052）935-1619 協栄産業株式会社名古屋支店（052）332-3861 菱電商事株式会社名古屋支社（052）211-1217 　豊田営業所（0565）37-8108 　静岡支社（054）286-2215 　浜松支店（053）469-0576 　沼津営業所（0559）63-5190 　三重営業所（059）213-3133 岡谷鋼機株式会社名古屋本店（052）204-8302 　刈谷支店（0566）21-3222 東海エレクトロニクス株式会社本社（052）261-3211 　小牧支店（0568）75-2851 中部三菱電機機器販売株式会社本社（052）889-0032 エレックヒシキ株式会社本社（052）704-2121 株式会社菱和浜松支店（053）450-3162

http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/

〈三菱半導体ホームページ〉

（技術・資料お問い合わせ）

お問い合わせ先

（営業お問い合わせ窓口）

代理店

菱洋エレクトロ株式会社福岡営業所（092）474-4311 菱電商事株式会社九州支社（092）736-5759 株式会社カナデン九州支店株式会社たけびし九州支店（093）561-6483（092）473-7580 株式会社カナデン関西支社（06）6763-6809 加賀デバイス株式会社第二営業統括部（06）6105-0449 株式会社たけびし（075）325-2211 　大阪支店（06）6341-5081 萬世電機株式会社（06）6454-8233 東海エレクトロニクス株式会社大阪支店（06）6310-6115 山陽三菱電機販売株式会社（082）243-9300 菱洋エレクトロ株式会社（03）5565-1511 　大宮支店（048）614-8841 　八王子支店（042）645-8531 　横浜支店（045）474-1011 　松本支店（0263）36-8011 　仙台支店（022）266-3800 株式会社立花エレテック東京支社（03）6400-3619 協栄産業株式会社（03）3481-2044 　栃木営業所（028）683-3011 　日立営業所（029）272-3911 　群馬営業所（027）327-4345 　新潟営業所（025）281-1171 　東北支店（022）232-7711 　北海道支店（011）642-6101 菱電商事株式会社（03）5396-6224 　茨城営業所（029）828-6993 　神奈川支社（045）264-7125 　北関東支社（027）280-5515 　新潟営業所（0258）86-0190 　東北支社（022）217-5722 株式会社カナデン（03）3433-1227 　東北支店（022）266-3118 加賀デバイス株式会社（03）5657-0144 株式会社たけびし東京支店（045）474-3259 萬世電機株式会社東京支店（03）3219-1800 株式会社コシダテック（03）5789-1615 東海エレクトロニクス株式会社東京支店（03）3704-2581 　熊谷支店（048）527-1620 関西支社大阪府大阪市北区大深町4番20号（グランフロント大阪タワーA）半導体・デバイス部　第一営業課（06）6486-4500 　第二営業課（06）6486-4508 　第三営業課（06）6486-4509 　第四営業課（06）6486-4519 九州支社福岡県福岡市中央区天神二丁目12番1号（天神ビル）本社パワーデバイス営業部　第三営業課九州支社駐在（092）721-2146 中部支社愛知県名古屋市中村区名駅三丁目28番12号（大名古屋ビルヂング）半導体・デバイス部　第一営業課（052）565-3339 　第二営業課（052）565-3268 　第三営業課（052）565-3269 　第四営業課（052）565-3278 本　　社東京都千代田区丸の内二丁目7番3号（東京ビル）パワーデバイス営業部　第一営業課（03）3218-3239 　第二営業課（03）3218-3239 液晶営業部　第二営業課（03）3218-3736 高周波光デバイス営業第一部（03）3218-3687 高周波光デバイス営業第二部（03）3218-4880 本社地区中部支社地区関西支社地区九州支社地区

（2018年3月1日現在）

三菱電機本社・支社・支店

半導体・デバイス事業本部　〒100-8310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号（東京ビル）

(2)

2

1 マイコンなどの入力信号で直接ゲート駆動が可能

各種の保護機能内蔵で機器の信頼性向上に貢献する三菱電機HVIC

1200V

耐圧デサット機能付

HVIC M81748FP

電圧変換器制御のサポートと高い信頼性を確保

車載用パワーデバイスの駆動に最適

・車載機器に求められる－40～＋125℃の動作

保証温度範囲を実現

・電源電圧の低下時に出力停止制御を行うことで、

パワーデバイスの破壊を防止

・高温での長時間動作試験などのバーンインの実施

により信頼性を確保

・コンパレータやフォトカプラなどの専用回路が不要

となり、電圧変換器の小型化に貢献

・独自の600V耐圧分割RESURF構造により、最大

リーク電流を1μAに抑制

・高圧側と低圧側の伝達遅延時間を合わせたこと

で、容易にパワーデバイスの制御が可能

RESURF：REduced SURface Field PolyRFP ：Polycrystalline silicon Resistor Field Plate

HEV: Hybrid Electric Vehicle　IPM: Intelligent Power Module　RESURF：REduced SURface Field

業界最高クラスの1200Vの高耐圧を実現

AC400V系電源インバーターシステムに最適

●

AC400V系電源のインバーターシステムに適用可能な1200V高耐圧を実現

・当社独自の1200V耐圧分割RESURF構造により、リーク電流を10μA以下に抑制

・チップ表面に新たにPolyRFPを採用し、安定した高耐圧特性を実現

●

_{高いノイズ耐性によりインバーターシステムの信頼性向上に貢献}

・埋め込み層を採用しスイッチング時のラッチアップ誤動作を抑制

●

_{デサット検出機能を搭載し、パワー半導体の電力損失の低減化に貢献}

・1200V高耐圧のPチャネルMOSFETの搭載により、ハイサイド／ローサイド側の双方にデサット検出機能を内蔵し、

パワー半導体の熱破壊を防止

・ハイサイド側のパワー半導体の短絡・地絡を直接検知し、ローサイド側へ信号を伝達し、システムを遮断

・シャント抵抗方式による短絡保護に比べて150Aクラス以上の定格に適し、パワー半導体の電力損失低減に貢献

P P P P P+ _N N N+ Buried Layer P+ P+ N+ N N+ N N+ N+ N+ P-Sub. P– P– (Epi)

Low Voltage Region RESURF Isolation Region(Length：Liso) High Voltage Region

Source

Micro-N+ Buried Layer Gate

Drain

High resistivity Poly-Si (Spiral)

分割RESURF構造を適用した

1200V耐圧NchLDMOSFETの

断面構造

HEVの構成例

低圧バッテリー車載機器エアコン/カーナビ/ ヘッドライト/他 DC-DC コンバーター発電機高圧バッテリー IPM エンジン動力分割機構 _モーター発電機

車載用

600V

耐圧

HVIC M81745JFP

●

車載用途に対応した高い信頼性を確保

●

_{高い性能で電圧変換器の制御をサポート}

HVIC

ハーフブリッジ

ドライバー×１

M81745JFP

DC-DCコンバーターの応用回路例

HVIC（High Voltage IC）は、パルストランスやフォトカプラを用いたパワーMOSFETやIGBTのゲート駆動に代わり、

マイコンなどの入力信号で直接ゲートを駆動する高耐圧ICです。

レベルシフト回路により、半導体チップ内部で絶縁し、また各種保護機能（電源電圧低下保護、インターロック機能、

入力信号フィルター機能、エラー出力機能など）を内蔵することで機器の信頼性向上を図ることができます。

三菱電機HVICは、駆動回路によく用いられるハーフブリッジタイプの製品を数多く取りそろえ、

すべての製品がRoHS指令（2011/65/EU）に準拠しています。

Innovative Power Devices

for a Sustainable Future

ハイサイド素子駆動のための高耐圧フローティング回路内蔵

フローティング回路への信号伝達（レベルシフト）機能内蔵

ハイサイドゲートドライバー部の高耐圧分離構造

レベルシフト部の高耐圧NMOS構造

主な特長

HVICs

汎用インバーター ACサーボ・ DCブラシレスモータ蛍光灯・HID照明・ LED照明電圧変換器 IHクッキングヒーターエアコン･洗濯機

(3)

2

1 マイコンなどの入力信号で直接ゲート駆動が可能

各種の保護機能内蔵で機器の信頼性向上に貢献する三菱電機HVIC

1200V

耐圧デサット機能付

HVIC M81748FP

電圧変換器制御のサポートと高い信頼性を確保

車載用パワーデバイスの駆動に最適

・車載機器に求められる－40～＋125℃の動作

保証温度範囲を実現

・電源電圧の低下時に出力停止制御を行うことで、

パワーデバイスの破壊を防止

・高温での長時間動作試験などのバーンインの実施

により信頼性を確保

・コンパレータやフォトカプラなどの専用回路が不要

となり、電圧変換器の小型化に貢献

・独自の600V耐圧分割RESURF構造により、最大

リーク電流を1μAに抑制

・高圧側と低圧側の伝達遅延時間を合わせたこと

で、容易にパワーデバイスの制御が可能

RESURF：REduced SURface Field PolyRFP ：Polycrystalline silicon Resistor Field Plate

HEV: Hybrid Electric Vehicle　IPM: Intelligent Power Module　RESURF：REduced SURface Field

業界最高クラスの1200Vの高耐圧を実現

AC400V系電源インバーターシステムに最適

●

AC400V系電源のインバーターシステムに適用可能な1200V高耐圧を実現

・当社独自の1200V耐圧分割RESURF構造により、リーク電流を10μA以下に抑制

・チップ表面に新たにPolyRFPを採用し、安定した高耐圧特性を実現

●

_{高いノイズ耐性によりインバーターシステムの信頼性向上に貢献}

・埋め込み層を採用しスイッチング時のラッチアップ誤動作を抑制

●

_{デサット検出機能を搭載し、パワー半導体の電力損失の低減化に貢献}

・1200V高耐圧のPチャネルMOSFETの搭載により、ハイサイド／ローサイド側の双方にデサット検出機能を内蔵し、

パワー半導体の熱破壊を防止

・ハイサイド側のパワー半導体の短絡・地絡を直接検知し、ローサイド側へ信号を伝達し、システムを遮断

・シャント抵抗方式による短絡保護に比べて150Aクラス以上の定格に適し、パワー半導体の電力損失低減に貢献

P P P P P+ _N N N+ Buried Layer P+ P+ N+ N N+ N N+ N+ N+ P-Sub. P– P– (Epi)

Low Voltage Region RESURF Isolation Region(Length：Liso) High Voltage Region

Source

Micro-N+ Buried Layer Gate

Drain

High resistivity Poly-Si (Spiral)

分割RESURF構造を適用した

1200V耐圧NchLDMOSFETの

断面構造

HEVの構成例

低圧バッテリー車載機器エアコン/カーナビ/ ヘッドライト/他 DC-DC コンバーター発電機高圧バッテリー IPM エンジン動力分割機構 _モーター発電機

車載用

600V

耐圧

HVIC M81745JFP

●

車載用途に対応した高い信頼性を確保

●

_{高い性能で電圧変換器の制御をサポート}

HVIC

ハーフブリッジ

ドライバー×１

M81745JFP

DC-DCコンバーターの応用回路例

HVIC（High Voltage IC）は、パルストランスやフォトカプラを用いたパワーMOSFETやIGBTのゲート駆動に代わり、

マイコンなどの入力信号で直接ゲートを駆動する高耐圧ICです。

レベルシフト回路により、半導体チップ内部で絶縁し、また各種保護機能（電源電圧低下保護、インターロック機能、

入力信号フィルター機能、エラー出力機能など）を内蔵することで機器の信頼性向上を図ることができます。

三菱電機HVICは、駆動回路によく用いられるハーフブリッジタイプの製品を数多く取りそろえ、

すべての製品がRoHS指令（2011/65/EU）に準拠しています。

Innovative Power Devices

for a Sustainable Future

ハイサイド素子駆動のための高耐圧フローティング回路内蔵

フローティング回路への信号伝達（レベルシフト）機能内蔵

ハイサイドゲートドライバー部の高耐圧分離構造

レベルシフト部の高耐圧NMOS構造

主な特長

HVICs

汎用インバーター ACサーボ・ DCブラシレスモータ蛍光灯・HID照明・ LED照明電圧変換器 IHクッキングヒーターエアコン･洗濯機

(4)

右記にHVICのブートストラップ回路方式における定常動作時の

C1への充放電電流経路を示します。

(5)

右記にHVICのブートストラップ回路方式における定常動作時の

C1への充放電電流経路を示します。

(6)

1200

1.0

2.0 Input

Signal

Input

Signal

UV,IL,NF,SC,FO,

FORST,FOIN

M81738FP

M81748FP

2

2 4th

4th

1 1×2

Half Bridge

3rd

形　　名

入力

信号数

素子駆動方式

パッケージ外形

内部機能

デッドタイム

制御

世代

耐電圧

_[V]

出力電流

_[A](typ)

_{パッケージ}

_ピン数

マウントパッド

列間隔（mil）

リードピッチ

（mm）

SSOP

24

300

0.8

0.8 ★★：開発中

■

700～1200V耐圧

UV,IL,NF,DESAT,

FO,CFO,FOIN,SS

24

24 1.75/-0.8

1.75/-0.8

－

M81764FP

M81762FP

Dual Low side

Single Low Side

1 4th

4th

1×2

形　　名

入力

信号数

素子駆動方式

世代

耐電圧

_[V]

出力電流

_[A](typ)

デッドタイム

_制御

内部機能

■

24V耐圧

DESAT： Desaturation( パワー素子不飽和電圧検出 )

内部機能やパッケージ外形の詳細は各製品のデータシートをご参照ください。

High active

UV,SC,FO,CFO

High active

UV,SC(×2),FO,CFO

600

600 0.2/-0.35

0.2/-0.5

0.2/-0.35

0.5

1.0

3.25

3.5 0.2/-0.35

3.5

0.5

3.25

0.2 UV,IL,NF

UV,IL

UV,IL,NF

UV,IL

UV,IL,SD

UV,IL,NF

UV

UV,SD

UV

M81749FP

M81775FP

★★

M81736FP

M81776FP

★★

M81747FP

★★

M81735FP

M81774FP

★★

M81770FP

M81767FP

★★

M81734FP

M81740FP

M81737FP

2×3Ф

3 Phase

Half Bridge

4th

Dual High Side

形　　名

入力

信号数

素子駆動方式

世代

耐電圧

_[V]

出力電流

_[A](typ)

デッドタイム

_制御

内部機能

■

600V耐圧

UV,IL,SC,

FO,CFO

M81747JFP

（車載用）

M81767JFP

★★

（車載用）

M81745JFP

（車載用）

UV,NF,SC,FO,

FORST,FOIN

MEMO

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Internal

Input

Signal

パッケージ外形

パッケージ

ピン数

マウントパッド

_{列間隔（mil）}

リードピッチ

_（mm）

SSOP

SOP

SSOP

SOP

24

36

8

16

24

16

8

16

8

16

300

450

225

300

225

300

225

300

0.8

1.27

0.8

1.27

1.27 パッケージ外形

パッケージ

ピン数

マウントパッド

_{列間隔（mil）}

リードピッチ

_（mm）

SOP

8

16

225

300

1.27

(7)

1200

1.0

2.0 Input

Signal

Input

Signal

UV,IL,NF,SC,FO,

FORST,FOIN

M81738FP

M81748FP

2

2 4th

4th

1 1×2

Half Bridge

3rd

形　　名

入力

信号数

素子駆動方式

パッケージ外形

内部機能

デッドタイム

制御

世代

耐電圧

_[V]

出力電流

_[A](typ)

_{パッケージ}

_ピン数

マウントパッド

列間隔（mil）

リードピッチ

（mm）

SSOP

24

300

0.8

0.8 ★★：開発中

■

700～1200V耐圧

UV,IL,NF,DESAT,

FO,CFO,FOIN,SS

24

24 1.75/-0.8

1.75/-0.8

－

M81764FP

M81762FP

Dual Low side

Single Low Side

1 4th

4th

1×2

形　　名

入力

信号数

素子駆動方式

世代

耐電圧

_[V]

出力電流

_[A](typ)

デッドタイム

_制御

内部機能

■

24V耐圧

DESAT： Desaturation( パワー素子不飽和電圧検出 )

内部機能やパッケージ外形の詳細は各製品のデータシートをご参照ください。

High active

UV,SC,FO,CFO

High active

UV,SC(×2),FO,CFO

600

600 0.2/-0.35

0.2/-0.5

0.2/-0.35

0.5

1.0

3.25

3.5 0.2/-0.35

3.5

0.5

3.25

0.2 UV,IL,NF

UV,IL

UV,IL,NF

UV,IL

UV,IL,SD

UV,IL,NF

UV

UV,SD

UV

M81749FP

M81775FP

★★

M81736FP

M81776FP

★★

M81747FP

★★

M81735FP

M81774FP

★★

M81770FP

M81767FP

★★

M81734FP

M81740FP

M81737FP

2×3Ф

3 Phase

Half Bridge

4th

Dual High Side

形　　名

入力

信号数

素子駆動方式

世代

耐電圧

_[V]

出力電流

_[A](typ)

デッドタイム

_制御

内部機能

■

600V耐圧

UV,IL,SC,

FO,CFO

M81747JFP

（車載用）

M81767JFP

★★

（車載用）

M81745JFP

（車載用）

UV,NF,SC,FO,

FORST,FOIN

MEMO

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Input

Signal

Internal

Input

Signal

パッケージ外形

パッケージ

ピン数

マウントパッド

_{列間隔（mil）}

リードピッチ

_（mm）

SSOP

SOP

SSOP

SOP

24

36

8

16

24

16

8

16

8

16

300

450

225

300

225

300

225

300

0.8

1.27

0.8

1.27

1.27 パッケージ外形

パッケージ

ピン数

マウントパッド

_{列間隔（mil）}

リードピッチ

_（mm）

SOP

8

16

225

300

1.27

(8)

三菱パワーデバイス HVIC

2018

年

4 月作成

三菱パワーデバイス

HVIC

菱洋エレクトロ株式会社大阪支店（06）6455-5121 　京都営業所（075）371-5751 株式会社立花エレテック（06）6539-2707 　北陸支店（076）233-3505 協栄産業株式会社大阪営業所（06）6343-9663 菱電商事株式会社関西支社（06）4797-3956 　京都支店（075）231-4396 　北陸支店（076）224-4102 　姫路営業所（079）287-2000 　広島支社（082）227-5411 　福山営業所（084）923-6393 　四国支社（087）885-3913 菱洋エレクトロ株式会社名古屋支店（052）203-0277 株式会社立花エレテック名古屋支社（052）935-1619 協栄産業株式会社名古屋支店（052）332-3861 菱電商事株式会社名古屋支社（052）211-1217 　豊田営業所（0565）37-8108 　静岡支社（054）286-2215 　浜松支店（053）469-0576 　沼津営業所（0559）63-5190 　三重営業所（059）213-3133 岡谷鋼機株式会社名古屋本店（052）204-8302 　刈谷支店（0566）21-3222 東海エレクトロニクス株式会社本社（052）261-3211 　小牧支店（0568）75-2851 中部三菱電機機器販売株式会社本社（052）889-0032 エレックヒシキ株式会社本社（052）704-2121 株式会社菱和浜松支店（053）450-3162

http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/

〈三菱半導体ホームページ〉

（技術・資料お問い合わせ）

お問い合わせ先

（営業お問い合わせ窓口）

代理店

菱洋エレクトロ株式会社福岡営業所（092）474-4311 菱電商事株式会社九州支社（092）736-5759 株式会社カナデン九州支店株式会社たけびし九州支店（093）561-6483（092）473-7580 株式会社カナデン関西支社（06）6763-6809 加賀デバイス株式会社第二営業統括部（06）6105-0449 株式会社たけびし（075）325-2211 　大阪支店（06）6341-5081 萬世電機株式会社（06）6454-8233 東海エレクトロニクス株式会社大阪支店（06）6310-6115 山陽三菱電機販売株式会社（082）243-9300 菱洋エレクトロ株式会社（03）5565-1511 　大宮支店（048）614-8841 　八王子支店（042）645-8531 　横浜支店（045）474-1011 　松本支店（0263）36-8011 　仙台支店（022）266-3800 株式会社立花エレテック東京支社（03）6400-3619 協栄産業株式会社（03）3481-2044 　栃木営業所（028）683-3011 　日立営業所（029）272-3911 　群馬営業所（027）327-4345 　新潟営業所（025）281-1171 　東北支店（022）232-7711 　北海道支店（011）642-6101 菱電商事株式会社（03）5396-6224 　茨城営業所（029）828-6993 　神奈川支社（045）264-7125 　北関東支社（027）280-5515 　新潟営業所（0258）86-0190 　東北支社（022）217-5722 株式会社カナデン（03）3433-1227 　東北支店（022）266-3118 加賀デバイス株式会社（03）5657-0144 株式会社たけびし東京支店（045）474-3259 萬世電機株式会社東京支店（03）3219-1800 株式会社コシダテック（03）5789-1615 東海エレクトロニクス株式会社東京支店（03）3704-2581 　熊谷支店（048）527-1620 関西支社大阪府大阪市北区大深町4番20号（グランフロント大阪タワーA）半導体・デバイス部　第一営業課（06）6486-4500 　第二営業課（06）6486-4508 　第三営業課（06）6486-4509 　第四営業課（06）6486-4519 九州支社福岡県福岡市中央区天神二丁目12番1号（天神ビル）本社パワーデバイス営業部　第三営業課九州支社駐在（092）721-2146 中部支社愛知県名古屋市中村区名駅三丁目28番12号（大名古屋ビルヂング）半導体・デバイス部　第一営業課（052）565-3339 　第二営業課（052）565-3268 　第三営業課（052）565-3269 　第四営業課（052）565-3278 本　　社東京都千代田区丸の内二丁目7番3号（東京ビル）パワーデバイス営業部　第一営業課（03）3218-3239 　第二営業課（03）3218-3239 液晶営業部　第二営業課（03）3218-3736 高周波光デバイス営業第一部（03）3218-3687 高周波光デバイス営業第二部（03）3218-4880 本社地区中部支社地区関西支社地区九州支社地区

（2018年3月1日現在）

三菱電機本社・支社・支店

半導体・デバイス事業本部　〒100-8310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号（東京ビル）

三菱パワーデバイス HVIC

三菱パワーデバイス HVIC

HG-397M 岡-1804〈IP〉 ©2018 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. ALL RIGHTS RESERVED.

2018

年

4

月 作成

三菱パワーデバイス

HVIC

HVIC

http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/

〈三菱半導体ホームページ〉

（技術・資料お問い合わせ）

（営業お問い合わせ窓口）

代理店

（2018年3月1日現在）

三菱電機本社・支社・支店

2

1

マイコンなどの入力信号で直接ゲート駆動が可能

各種の保護機能内蔵で機器の信頼性向上に貢献する三菱電機HVIC

1200V

耐圧デサット機能付

HVIC M81748FP

電圧変換器制御のサポートと高い信頼性を確保

車載用パワーデバイスの駆動に最適

・車載機器に求められる－40～＋125℃の動作

保証温度範囲を実現

・電源電圧の低下時に出力停止制御を行うことで、

パワーデバイスの破壊を防止

・高温での長時間動作試験などのバーンインの実施

により信頼性を確保

・コンパレータやフォトカプラなどの専用回路が不要

となり、電圧変換器の小型化に貢献

・独自の600V耐圧分割RESURF構造により、最大

リーク電流を1μAに抑制

・高圧側と低圧側の伝達遅延時間を合わせたこと

で、容易にパワーデバイスの制御が可能

RESURF：REduced SURface Field PolyRFP ：Polycrystalline silicon Resistor Field Plate

HEV: Hybrid Electric Vehicle IPM: Intelligent Power Module RESURF：REduced SURface Field

業界最高クラスの1200Vの高耐圧を実現

AC400V系電源インバーターシステムに最適

AC400V系電源のインバーターシステムに適用可能な1200V高耐圧を実現

・当社独自の1200V耐圧分割RESURF構造により、リーク電流を10μA以下に抑制

・チップ表面に新たにPolyRFPを採用し、安定した高耐圧特性を実現

高いノイズ耐性によりインバーターシステムの信頼性向上に貢献

・埋め込み層を採用しスイッチング時のラッチアップ誤動作を抑制

デサット検出機能を搭載し、パワー半導体の電力損失の低減化に貢献

・1200V高耐圧のPチャネルMOSFETの搭載により、ハイサイド／ローサイド側の双方にデサット検出機能を内蔵し、

パワー半導体の熱破壊を防止

・ハイサイド側のパワー半導体の短絡・地絡を直接検知し、ローサイド側へ信号を伝達し、システムを遮断

・シャント抵抗方式による短絡保護に比べて150Aクラス以上の定格に適し、パワー半導体の電力損失低減に貢献

分割RESURF構造を適用した

1200V耐圧NchLDMOSFETの

断面構造

HEVの構成例

車載用

600V

耐圧

HVIC M81745JFP

車載用途に対応した高い信頼性を確保

高い性能で電圧変換器の制御をサポート

HVIC

ハーフブリッジ

ドライバー×１

M81745JFP

DC-DCコンバーターの応用回路例

HVIC（High Voltage IC）は、パルストランスやフォトカプラを用いたパワーMOSFETやIGBTのゲート駆動に代わり、

マイコンなどの入力信号で直接ゲートを駆動する高耐圧ICです。

レベルシフト回路により、半導体チップ内部で絶縁し、また各種保護機能（電源電圧低下保護、インターロック機能、

入力信号フィルター機能、エラー出力機能など）を内蔵することで機器の信頼性向上を図ることができます。

三菱電機HVICは、駆動回路によく用いられるハーフブリッジタイプの製品を数多く取りそろえ、

すべての製品がRoHS指令（2011/65/EU）に準拠しています。

Innovative Power Devices

for a Sustainable Future

ハイサイド素子駆動のための高耐圧フローティング回路内蔵

フローティング回路への信号伝達（レベルシフト）機能内蔵

ハイサイドゲートドライバー部の高耐圧分離構造

レベルシフト部の高耐圧NMOS構造

主な特長

三菱パワーデバイス　HVIC

月作成

HEV: Hybrid Electric Vehicle　IPM: Intelligent Power Module　RESURF：REduced SURface Field

_{高いノイズ耐性によりインバーターシステムの信頼性向上に貢献}

_{デサット検出機能を搭載し、パワー半導体の電力損失の低減化に貢献}

_{高い性能で電圧変換器の制御をサポート}

HEV: Hybrid Electric Vehicle　IPM: Intelligent Power Module　RESURF：REduced SURface Field

_{高いノイズ耐性によりインバーターシステムの信頼性向上に貢献}

_{デサット検出機能を搭載し、パワー半導体の電力損失の低減化に貢献}

_{高い性能で電圧変換器の制御をサポート}