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高移動度酸化物半導体材料

108_06_論文_酸化物半導体_P21_P25.indd

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... 新をリードしてきたが,当社ではLTPS技術に比肩する 酸化半導体 TFT 技術を開発した。素子構造の簡素化 を進めたチャンネルエッチ型構造を採用し,これに付随 する種々の副作用を克服することによって,独自の超低 リーク,耐圧,最小素子面積を達成しLTPS技術に比 肩する精細,開口率,狭額縁ディスプレイの実現を ...

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エマルジョン燃焼法による複合酸化物粉末の合成

エマルジョン燃焼法による複合酸化物粉末の合成

... 。 酸化粉末のもう一つの機能性付与の方法とし て,ハイブリッド化がある。ハイブリッド粉末は, 粉末の表面または内部に,異なる成分の材料を分 散またはコーティングすることにより,それぞれ の成分の長所を重畳したものである。半導体化剤 を加えた酸化錫は,樹脂フィルムに添加して透明 性を維持したまま静電気を防止できる導電材とし て知られており,従来のカーボン添加では得られ ...

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Hall効果測定による化合物半導体中の不純物準位の評価に関する研究

Hall効果測定による化合物半導体中の不純物準位の評価に関する研究

... 第 1 章 序論 1.1 はじめに 現在、 CPU(Central Processing Unit)や DRAM(Dynamic Random Access Memory)な どの LSI(Large Scale Integrated Circuit)の主要構成要素はシリコン(Si)である。シリ コン中に含まれ、半導体デバイスとして動作するために意図的に添加する不純は、 ppm ( Parts Per ...

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モジュール 造技術 ( ラ ネート 配線技術など ) 結晶 S 系太陽電池 ( 単結晶 多結晶 ) 住 用民生用公 用メ ソーラー 薄膜 S 系太陽電池 ( 非晶 結晶 ) ( 半導体材料 属電極材料 明電極 材料 ) 化合物結晶系太陽電池 (Ⅲ- GaI P ) 化合物薄膜系太陽電池 (CIS/C

モジュール 造技術 ( ラ ネート 配線技術など ) 結晶 S 系太陽電池 ( 単結晶 多結晶 ) 住 用民生用公 用メ ソーラー 薄膜 S 系太陽電池 ( 非晶 結晶 ) ( 半導体材料 属電極材料 明電極 材料 ) 化合物結晶系太陽電池 (Ⅲ- GaI P ) 化合物薄膜系太陽電池 (CIS/C

... シリコンを用いたものなどがある。単結晶シリコンは、原 材料のコストが高いが、変換効率が高く、変換効率の理論 限界は約 30%とされている。多結晶シリコンは単結晶シ リコンに比べて変換効率では劣るが、単結晶シリコンより 安価に製造できる。また、三洋電機(パナソニック)が開 発した HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer) (HIT ...

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異常高原子価Feイオンを含むペロブスカイト構造酸化物における元素置換による構造と物性の変化

異常高原子価Feイオンを含むペロブスカイト構造酸化物における元素置換による構造と物性の変化

... 以上のように、本研究では異常原子価Feイオンを含む酸化のAおよびBサイト の元素を置換した物質群に注目し、幾つかの新物質含む一連の化合の合成に高圧 法を用いることで成功している。これらに材料の詳細な結晶構造解析やメスバウ アー効果、磁性・電気伝導性の測定、さら中性子を用いた磁気構造解析などから、 ...

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この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ

この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ

... 内容1 1. 化合半導体の特徴・応用の紹介 2. 半導体物理のおさらい ① Blochの定理の意味とk空間 ② バンドギャップの物理的基礎 ③ 有効質量とBloch振動 ④ 1,2,3次元における状態密度 ⑤ 電子統計 ...

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報道機関各位 平成 30 年 4 月 27 日東京工業大学名古屋工業大学新居浜工業高等専門学校総合科学研究機構日本原子力研究開発機構 J-PARC センター アパタイト型酸化物イオン伝導体における高イオン伝導度の要因を解明 - 定説くつがえす格子間酸素の不在 - 要点 アパタイト型酸化物イオン伝導体

報道機関各位 平成 30 年 4 月 27 日東京工業大学名古屋工業大学新居浜工業高等専門学校総合科学研究機構日本原子力研究開発機構 J-PARC センター アパタイト型酸化物イオン伝導体における高イオン伝導度の要因を解明 - 定説くつがえす格子間酸素の不在 - 要点 アパタイト型酸化物イオン伝導体

... 東京工業大学 理学院 化学系の藤井孝太郎助教、八島正知教授らの研究グループは、名古屋工業大学 大学院 生命・応用化学専攻の福田功一郎教授、新居浜工業高等専門学校 生物応用化学科の中山享教授、 名古屋工業大学の石澤伸夫名誉教授、総合科学研究機構(CROSS)中性子科学センターの花島隆泰研究 員、日本原子力研究開発機構 J-PARC センターの大原高志研究主幹と共同で、アパタイト型酸化イオ ン伝導体 ※1 ...

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環境保全のためのナノ構造制御触媒と新材料の創製 平成 14 年度採択研究代表者 田旺帝 ( 北海道大学触媒化学研究センター助教授 ) 高機能規整酸化物表面創生 1. 研究実施の概要本研究の目標は環境ナノ触媒材料の開発を目指して 構造が整った酸化物単結晶表面上に新規な金属ナノクラスター種を形成し 新規

環境保全のためのナノ構造制御触媒と新材料の創製 平成 14 年度採択研究代表者 田旺帝 ( 北海道大学触媒化学研究センター助教授 ) 高機能規整酸化物表面創生 1. 研究実施の概要本研究の目標は環境ナノ触媒材料の開発を目指して 構造が整った酸化物単結晶表面上に新規な金属ナノクラスター種を形成し 新規

... 研究を進めている。 2)酸化表面に適した新たな表面分析手法の開発 触媒活性サイトについて、金属と担体である酸化 界面とが重要な役割を果たしていると考えられている。 そこで、金属と酸化物界面との相互作用を直接観測す るのにふさわしいin-situの顕微鏡法を開発し、触媒活 性の要因を明らかにする。現在ある表面顕微法の代表 ...

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化合物半導体デバイス―限りなき可能性を求めて(その2)―

化合物半導体デバイス―限りなき可能性を求めて(その2)―

... これらのワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの 実用化に向けての最大の課題は、如何にして Si パワーデバ イス並の製造コストで生産できるかであり、その鍵は高品 質、低コストの大口径基板の実現だと思われる。基板結晶 の成長が難しく、未だ低コスト、大口径の基板が得られて いないのが実情である。この課題へのソルーションを見い 出したものが市場参入の一番乗りになるものと予想され、 ...

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明細書 発明の名称 : 高屈折率高強度光学材料用組成物 技術分野 000 本発明は光学材料用組成物に関し 更には それを用いたプラスチックレ ンズ プリズム 光ファイバー 情報記録基盤 フィルター等の光学材料 ( 光学用樹脂材料 ) に関する 本発明の光学材料はプラスチックレンズ 特に ソ一ポイント

明細書 発明の名称 : 高屈折率高強度光学材料用組成物 技術分野 000 本発明は光学材料用組成物に関し 更には それを用いたプラスチックレ ンズ プリズム 光ファイバー 情報記録基盤 フィルター等の光学材料 ( 光学用樹脂材料 ) に関する 本発明の光学材料はプラスチックレンズ 特に ソ一ポイント

... 合 の一 部 ま た は 全 部 の 存 在 下 に 行 っ て も 構 わ な い が 、 そ の 場 合 、 該 予 備 重 合 反 応 は 重 合 硬 化 反 応 の一 部 を選 択 的 に 前倒 し し て 実 施 す る 形 と な る た め 、 穏 和 な条 件 を 採 用 す る な ど し て 反 応 を制御 す る の が 望 ま し い 。 特 に 好 ま し ...

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h-BNヘテロ界面を利用した高移動度ダイヤモンドトランジスタの電荷輸送特性の研究

h-BNヘテロ界面を利用した高移動度ダイヤモンドトランジスタの電荷輸送特性の研究

... 室温で1000 cm 2 V -1 s -1 を超える移動が可能であることを明らかにしている。 審 査 の 要 旨 〔批評〕 ダイヤモンドは、ワイドバンドギャップや高熱伝導率などの際立った特徴から、次世代半導体材料として 期待されている。とくに、ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)は、パワーエレクトロニクスや周波 ...

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酸化アルミニウム鉱物 ( 非 フィラー 二酸化チタン 硬化レジン 混合物 ナイロン繊維 混合物 応急措置 応急措置 吸入した場合新鮮な空気の環境に移動させる 気分がすぐれな

酸化アルミニウム鉱物 ( 非 フィラー 二酸化チタン 硬化レジン 混合物 ナイロン繊維 混合物 応急措置 応急措置 吸入した場合新鮮な空気の環境に移動させる 気分がすぐれな

... 飲み込んだ場合 人体への健康影響に関する情報は無い。 追加情報 このSDSは3M製品のみを対象とします。危険有害性の程度を決める場合、完全な評価をするためには、研磨 される材料についても考慮する必要があります。 本製品は二酸化チタンを含有する。濃度の二酸化チタン を吸入したラットでは、肺がんが観察されているが、本製品の通常の使用状況では、二酸化チタンの吸入ばく露 ...

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Title Author(s) 可視および近赤外域にバンドギャップを有する多元系ウルツ鉱型酸化物半導体の研究 鈴木, 一誓 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI /559

Title Author(s) 可視および近赤外域にバンドギャップを有する多元系ウルツ鉱型酸化物半導体の研究 鈴木, 一誓 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI /559

... による計算が、実測の XPS スペクトルを最もよく再現することが明らかとなった。 α-AgGaO 2 の U = 0 eV の計算では、価電子帯上部に位置する Ag 4d バンドのピークは約-4 eV となり、実測スペクトル(約-5 eV)より 1 eV ほどエネルギーに現れた(Figure 5-1(b)) 。 これは Ag 4d 軌道が Cu 3d 軌道と同様に局在性が高く、U = 0 eV での計算では自己相互作用 ...

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< 添付資料 1> Blu-spec CD2 の特徴 原盤材料に半導体製造用シリコンウエハーを採用ガラス原盤に比べ表面の粗さが約 1/6 に激減 欠陥も最小で 超安定カッティングに寄与 記録層を フォトレジスト( 光記録 ) から 金属酸化物レジスト ( 熱記録 ) に正確な熱コントロールで より理

< 添付資料 1> Blu-spec CD2 の特徴 原盤材料に半導体製造用シリコンウエハーを採用ガラス原盤に比べ表面の粗さが約 1/6 に激減 欠陥も最小で 超安定カッティングに寄与 記録層を フォトレジスト( 光記録 ) から 金属酸化物レジスト ( 熱記録 ) に正確な熱コントロールで より理

... ブルーレイディスク製造技術のすべてを CD 製造に投入した 高品質 CD『Blu-spec CD2』を発表! 第 1 弾として「ベスト・クラシック 100」他 111 タイトルを 12 月に発売決定! 株式会社ソニー・ミュージックエンタテインメント(本社:東京都千代田区 代表取締役 北川直樹) は、2008 年に発売を開始した『Blu-spec CD®』からさらに研究開発を重ね、ブルーレイディスク製 造技術のすべてを CD ...

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50E < 材料科学 > MLF 長期課題 2017L1300 中性子回折を用いた酸化物イオン伝導体および複合アニオン化合物の構造物性 Structure Science of Oxide-ion Conductors and Mixed-Anion Compounds using Neutron

50E < 材料科学 > MLF 長期課題 2017L1300 中性子回折を用いた酸化物イオン伝導体および複合アニオン化合物の構造物性 Structure Science of Oxide-ion Conductors and Mixed-Anion Compounds using Neutron

... KEK 構研、3 J-PARC センター、4 産総研、5 量研 バナジウムは室温、大気圧付近において 1 水素化物と 2 水素化物間で水素 の可逆的な吸蔵放出が可能であるため、水素貯蔵材料としての利用が期待さ れている。 V 濃度の BCC 水素吸蔵合金は吸蔵放出反応のサイクル耐久性 に優れているがコストが高く、低 V 濃度では水素圧力組成等温線(PCT)のヒ ...

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エネルギーの高度利用に向けたナノ構造材料 システムの創製 平成 14 年度採択研究代表者 河本邦仁 ( 名古屋大学大学院工学研究科教授 ) ナノブロックインテグレーションによる層状酸化物熱電材料の創製 1. 研究実施の概要高性能酸化物系材料においては 低次元 異方構造 が高性能発現の重要な場になって

エネルギーの高度利用に向けたナノ構造材料 システムの創製 平成 14 年度採択研究代表者 河本邦仁 ( 名古屋大学大学院工学研究科教授 ) ナノブロックインテグレーションによる層状酸化物熱電材料の創製 1. 研究実施の概要高性能酸化物系材料においては 低次元 異方構造 が高性能発現の重要な場になって

... 具体的には、Zn-In-O系自然超格子、ミスフィット型コバルト酸化系などの組成・構 造変調による効率化の実現、ゼロ次元ナノボイド分散によるZnO材料の低熱伝導率化、 コンビナトリアル組成探索による新規n型酸化材料の提案とモジュール化による評価な どの成果を挙げてきた。また、新しいアイデアに基づく予備的な検討の中から、画期的ブ ...

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SiC用酸化物耐環境コーティングの高温熱曝露による損傷挙動

SiC用酸化物耐環境コーティングの高温熱曝露による損傷挙動

... 第 2 章では反応焼結法により作製された遊離 Si を含む反応焼結 SiC (以下、RB-SiC と記 述)を基材とし、プラズマ溶射法により厚さ 60m の Si ボンドコート層、240m のムライ トトップコート層をコーティングした材料を用いて、 Si の融点以上の 1435℃で 2h 熱曝露 を行った。熱曝露後の材料を詳しく観察することにより、基材に遊離 Si を含む場合に生じ ...

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研究部 歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造の応力制御 研究代表者名山梨大学大学院 医学工学総合研究部 有元圭介 研究分担者名東北大学 金属材料研究所 宇佐美徳隆 1. はじめに圧縮歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造は 従来素子の 2 倍の高正孔移動度が期待される半導体薄膜構造である 移動度を

研究部 歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造の応力制御 研究代表者名山梨大学大学院 医学工学総合研究部 有元圭介 研究分担者名東北大学 金属材料研究所 宇佐美徳隆 1. はじめに圧縮歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造は 従来素子の 2 倍の高正孔移動度が期待される半導体薄膜構造である 移動度を

... 埼玉大学・大学院理工学研究科・折原操 東北大学・金属材料研究所・片山竜二 1.はじめに AlN, GaN, InN およびこれらの混晶である窒化物半導体は直接遷移型であり、且つ広範なバンドギャップをカ バーするため、紫外から赤外までの発光デバイス材料や、効率多接合タンデム太陽電池材料としての検討がなさ ...

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希土類系酸化物熱電変換材料の作製と評価

希土類系酸化物熱電変換材料の作製と評価

... 2 で述べた半導体理論のキャリア濃度が増える とゼーベック係数が減少していく傾向と 致している ととが確認できる。 55.[r] ...

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Microsoft Word - 02a_1_固体酸化物_評価報告書 doc

Microsoft Word - 02a_1_固体酸化物_評価報告書 doc

... 固体分子形燃料電池(PEFC)は,1950年代後半に米国GE社で初めて開発が開始され、 1960年代には出力1kWの水素酸素燃料電池がジェミニ宇宙船に搭載された。当初使用してい た炭化水素系の電解質膜は長期耐久性に問題があったが、Du pont 社のフッ素系樹脂のイオン交換 膜(Nafion)が電解質膜に用いられるようになり、大幅に耐久性が向上した。しかしながら、水 ...

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