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薄膜の構造

ナノ構造熱電材料開発 -多重薄膜によるナノ構造制御の検討-

ナノ構造熱電材料開発 -多重薄膜によるナノ構造制御の検討-

... サファイア基板 熱電材料を用いた発電技術は、排熱から直接電力に変換することが可能であり、持続可能なエネルギー源となり得るため、低炭素社会 に向けたエネルギー材料技術として期待されている。しかし、熱電変換効率に直結する熱電性能指数ZT目標値が自動車廃熱発電で 4以上であるに対し、実際材料では50年近く約2以下しか得られておらず、目標実現は非常に困難であると見られている。この ...

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ポイント 太陽電池用の高性能な酸化チタン極薄膜の詳細な構造が解明できていなかったため 高性能化への指針が不十分であった 非常に微小な領域が観察できる顕微鏡と化学的な結合の状態を調査可能な解析手法を組み合わせることにより 太陽電池応用に有望な酸化チタンの詳細構造を明らかにした 詳細な構造の解明により

ポイント 太陽電池用の高性能な酸化チタン極薄膜の詳細な構造が解明できていなかったため 高性能化への指針が不十分であった 非常に微小な領域が観察できる顕微鏡と化学的な結合の状態を調査可能な解析手法を組み合わせることにより 太陽電池応用に有望な酸化チタンの詳細構造を明らかにした 詳細な構造の解明により

... 水素化アモルファスシリコンによる光吸収やヘテロ界面 注 9) における電子構造不整合 などが、さらなる高性能化課題となっていました。近年、この課題を解決する可能性 を秘めた新材料を用いた太陽電池研究開発が各国で活発に行われており、とりわけ 原子層堆積法を用いて結晶シリコン上に製膜した酸化チタン薄膜が比較的高い変換効 ...

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2. スパッタ法を用いた Nb ドープ PZT 薄膜 1-12) 2.1 Nb ドープ PZT 薄膜 PZT はペロブスカイト型構造を持つ複合酸化物であり Pb(Zr xti 1-x)O 3 の化学式で表わされ Fig. 1 に示す構造で ある A サイトに Pb 2+ イオン B サイトに Zr

2. スパッタ法を用いた Nb ドープ PZT 薄膜 1-12) 2.1 Nb ドープ PZT 薄膜 PZT はペロブスカイト型構造を持つ複合酸化物であり Pb(Zr xti 1-x)O 3 の化学式で表わされ Fig. 1 に示す構造で ある A サイトに Pb 2+ イオン B サイトに Zr

... 行なった。 2.2 スパッタPNZT薄膜成膜条件および評価方法 PNZT成膜用基板として,(100)面Si基板を用いた。 PNZT薄膜は独自に開発した6インチ成膜が可能なRFマ グネトロンスパッタ装置によって形成した。まず,Si基板 上にスパッタリング法によって20nmTi系密着層を形 成し,続けてIr下部電極を150nm成膜した。作製した基板 ...

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研究部 歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造の応力制御 研究代表者名山梨大学大学院 医学工学総合研究部 有元圭介 研究分担者名東北大学 金属材料研究所 宇佐美徳隆 1. はじめに圧縮歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造は 従来素子の 2 倍の高正孔移動度が期待される半導体薄膜構造である 移動度を

研究部 歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造の応力制御 研究代表者名山梨大学大学院 医学工学総合研究部 有元圭介 研究分担者名東北大学 金属材料研究所 宇佐美徳隆 1. はじめに圧縮歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造は 従来素子の 2 倍の高正孔移動度が期待される半導体薄膜構造である 移動度を

... InN 薄膜を X 線回折により評価した結果、立 方晶 InN(002)面から強い回折ピークが観測された。プラ ズマ出力を 350W、GaN 中間層成長時 Ga フラックスを ...InN 薄膜六方晶混入率は ...のみを堆積した試料 測定結果も示してある。 InN スペクトル中には、467 cm -1 に InN ...

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a-C:H薄膜のプラズマ処理による構造変化: University of the Ryukyus Repository

a-C:H薄膜のプラズマ処理による構造変化: University of the Ryukyus Repository

... 勢理客・山下・比嘉・渡久地:a-C:H薄膜のプラズマ処理による構造変化 100 2-匹プラズマ処理法 プラズマ処理のためのプラズマは,誘導結合型プラ ズマ(InductivelyCoupledPlasma:ICP)を利用して行っ た.ICPはガラス製放電管の外部にコイルを巻きつけ, コイルに高周波電流を流し,磁束の時間変化により生 ずる誘導電界によりプラズマを保持する方[r] ...

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第2章 スパッタ堆積条件と薄膜微細構造

第2章 スパッタ堆積条件と薄膜微細構造

... 2.6 結言 本章においては、Co-Cr 系グラニュラ型垂直磁気記録媒体薄膜微細粒子構造制御について、媒体 ノイズ低減観点から、その作製条件であるプロセスパラメータを検討し、室温作製でも従来と同程度磁 気特性が得られる高ガス圧スパッタリング膜特性、ならびに従来型高温スパッタにおいて第 3 元素、第 4 ...

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図 2 In0.9Ni0.1TaOx NiOx ( 空孔 ) のない安定な多元系酸化物半導体が得られていること,4) X 線回折結晶構造解析と透過電子顕微鏡観察により, InTaO 4 のウォルフラマイト型結晶構造の薄膜もしくは単結晶 1 次粒子が得られていること, 以上を評価することで,PLA 法

図 2 In0.9Ni0.1TaOx NiOx ( 空孔 ) のない安定な多元系酸化物半導体が得られていること,4) X 線回折結晶構造解析と透過電子顕微鏡観察により, InTaO 4 のウォルフラマイト型結晶構造の薄膜もしくは単結晶 1 次粒子が得られていること, 以上を評価することで,PLA 法

... x 薄膜ともに,マクロ的には柱状モ フォロジー構造を有しているが,かなりポーラスな形態とな っている.アブレート種である,原子・ラジカル・イオン・ クラスタ等は,混合ガス雰囲気分子とも衝突しながら, O 原 子を取り込むことでアブレート時酸素欠損を補償しつつ, 特有モフォロジーを形成しながら堆積基板上に成長したと ...

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MgOスパッタ薄膜の構造特性 : 絶縁破壊およびスクラッチ損傷

MgOスパッタ薄膜の構造特性 : 絶縁破壊およびスクラッチ損傷

... RKosone,T.Nakano,S.Baba,"Electricalbreakdown characteristicsofMgOfilmsdepositedbyrf-magnetron sputteringanditsdependenceonprocessgaspressure," 15thInt'1Conf.onThinFilms,P-S17-OS([r] ...

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エピタキシャル薄膜研究の広がり ( 私見 ) エピ膜と基板結晶の結晶構造が同じで格子定数が近いグループ 例 Si ホモエピ Diamond 型 エピ膜と基板結晶の結晶構造が同じであるが 格子不整合の程度が大きいグループ 例 Ⅳ-Ⅳ 族 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半導体 Diamond 型 Zincblende

エピタキシャル薄膜研究の広がり ( 私見 ) エピ膜と基板結晶の結晶構造が同じで格子定数が近いグループ 例 Si ホモエピ Diamond 型 エピ膜と基板結晶の結晶構造が同じであるが 格子不整合の程度が大きいグループ 例 Ⅳ-Ⅳ 族 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半導体 Diamond 型 Zincblende

... ・ZnOナノ結晶 - 結晶子サイズとサイズ分布、格子歪・・・ ・有機高分子薄膜 – 高温in-situXRD測定による結晶化/非晶質化 59 M. Birkholz, “Thin Film Analysis by X-Ray Scattering”, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co., 2006. ...

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第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽

第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽

... 在する分子中に存在する。二重結合を持つ C 原子は sp 2 混成軌道をとり、それら同士 による強いσ結合と残り pz 軌道同士がπ結合という結合によって二重結合を形成 している。π結合は電子雲が分子面上下でかぶっているため、弱い相互作用を示 す。このため分子が重なり合うことによりある特定 C 原子π電子が分子全体に ...

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ペロブスカイト型Liイオン伝導体エピタキシャル薄膜の研究 : 歪制御イオン伝導とヘテロ構造

ペロブスカイト型Liイオン伝導体エピタキシャル薄膜の研究 : 歪制御イオン伝導とヘテロ構造

... Figure 3.5 Out-of-plane 2 θ - θ XRD patterns for LLT thin films on NGO (110) substrates, grown at substrate temperature of 950 ◦ C with a laser fluence of 1.4 J/cm 2 under different oxyg[r] ...

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多重磁極マグネトロンスパッタ法を用いて作製したFeおよびFe-N系薄膜の磁化特性および表面構造

多重磁極マグネトロンスパッタ法を用いて作製したFeおよびFe-N系薄膜の磁化特性および表面構造

... 度が低下するためにターゲットエロージョン領域が減 少し,生産性低下を招くだけでなく,ターゲット寿命 が著しく低下する.一方,MMPC-MS法ではFig. 2 に示す ようにターゲット表面強い水平磁束密度によりエロー ジョン領域が拡大し,効率良く薄膜を作製することができ る.窒素混入により,MMPC-MSおよびCMS法ともに堆 ...

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(7) 薄膜材料-1

(7) 薄膜材料-1

... 電極上におけるタンパク質反応は,糖尿病診断に重要なグルコースセンサー等に利用されている.近年では,反応 高選択性や効率高い電子移動システムを構築するために単分子層吸着金電極(SAM)を用いて,タンパク質電 極界面における挙動が数多く検討されている.電極上でタンパク質吸着挙動,反応ダイナミクスおよび電極界面 ...

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有機薄膜に対するレーザ加工特性の実験的評価

有機薄膜に対するレーザ加工特性の実験的評価

... 1. はじめに 有機薄膜太陽電池は製造時 CO 2 発生量が少なく、設 置場所に制限がなく持ち運びも可能であることから、将 来再生可能エネルギー源として条件を満足したデバ イスであると考えられる.有機薄膜太陽電池モジュー ル化にはパターニング加工[1]が必須でありレーザを用 いることで集積度高いデバイスを製作することが出来 ...

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有機薄膜太陽電池用材料の新しい合成法を開発

有機薄膜太陽電池用材料の新しい合成法を開発

... 有機薄膜太陽電池発電を担う部分には、一般的にフラーレン誘導体とπ共役高分子を混合したものが用いら れています。太陽光を良く吸収し、効率よく発電できる材料開発を目指して、様々な構造化合物が合成されて きました。これら研究蓄積により、太陽電池材料に適した構造が明らかになってきています。このような新しい材 ...

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薄膜形成技術

薄膜形成技術

...  このような高次機能を発現させる手段として薄膜形成技術を飛躍的に発展させるきっか けになったは、 1947 年トランジスタに始まる半導体産業誕生である。特に、今日「集 積回路 (IC) 」 として知られている二次元構造が擬似平面状に重層化された半導体回路素子 ...

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薄膜結晶成長の基礎3.dvi

薄膜結晶成長の基礎3.dvi

... 置では図 3.4 に示したように三つ原子に働く力は打ち消されずに,矢印ような力 が残る. ( たとえばステップエッジ原子では,真下原子斥力を左右下にある原 子引力が打ち消し,左横原子から斥力 σ 0 だけが残る. ) これがステップとこ ...

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薄膜結晶成長の基礎4.dvi

薄膜結晶成長の基礎4.dvi

... 一般に,拡散場中で成長パターンは開いた構造を持つ.等方的な界面成長パター ンはランダムなフラクタルとなるが,結晶場合には雪に見られるような規則性を持っ たものとなる.この原因は結晶規則的な原子配列にある.結晶格子構造が,巨視 ...

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分光・偏光を用いた薄膜・界面解析の実際

分光・偏光を用いた薄膜・界面解析の実際

... 各層光学定数スペクトルを表し,サンプル 構造を記述して,知りたい未知数を含ん だサンプル光学モデルを構築する.この光 学モデルにより,ある条件で光が入射された 際反射率スペクトル,透過率スペクトル, 吸収スペクトル,分光エリプソメトリースペ クトルなど,所望スペクトルを計算するこ とができる.次に,光学モデルを基に生成さ ...

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電子材料用薄膜グリーンシートの機械的強度評価法の確立

電子材料用薄膜グリーンシートの機械的強度評価法の確立

... セラミックス微粒子をポリマーに混ぜて焼成するとセラミックスシートを作製でき,電子機器をはじめとする様々 な民生品でこの技術が利用されている.このセラミックスシート機械物性はセラミックス粒子とポリマー材料なら びに焼成条件が大きく影響している.本研究では,セラミックス粒子を混錬して作製したポリマーグリーンシート ...

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