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発光ダイオード(LED)と半導体レーザ

発光ダイオードとフォトダイオードを用いた光結合型新増幅デバイスに関する研究-香川大学学術情報リポジトリ

発光ダイオードとフォトダイオードを用いた光結合型新増幅デバイスに関する研究-香川大学学術情報リポジトリ

... 続く第2章では,現在の半導体物理学において説明されているところの,LED PD の 各々の物理的動作機構が記述されている。 第3章は本論であり,LED PD による光結合型増幅機能が詳述されており,LED PD の組み合わせの変化による,特性測定実験結果も記述されている。その特性測定実験に おいて,LED の発光波長や PD ...

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JIS C8152 照明用白色発光ダイオード(LED)の測光方法

JIS C8152 照明用白色発光ダイオード(LED)の測光方法

... 今後の LED の課題や方向性として、次のようなものが考えられます。 5-1) 照明器具としてのコスト 一般照明として普及するのに、最も大きな課題はコストです。LED 照明器具は、従来形の蛍光灯器具、 HID 器具に比べて、5~10 倍するのが現状です。LED 照明器具が高いのは、LED 自体が高いからだ思 われがちですが、それだけが要因でなく、放熱板、電源装置、配光を制御するレンズ、パネルなどが必 ...

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TLP700 東芝フォトカプラ GaAlAs 赤外 LED + フォト IC TLP700 汎用インバータ エアコン用インバータ IGBT / パワー MOSFET のゲートドライブ 4.58± 単位 : mm TLP700 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の

TLP700 東芝フォトカプラ GaAlAs 赤外 LED + フォト IC TLP700 汎用インバータ エアコン用インバータ IGBT / パワー MOSFET のゲートドライブ 4.58± 単位 : mm TLP700 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の

... があります。本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産が侵害されるこ のないように、お客様の責任において、お客様のハードウエア・ソフトウエア・システムに必要な安全 設計を行うことをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報(本資料、 仕様書、データシート、アプリケーションノート、半導体信頼性ハンドブックなど)および本製品が使用 ...

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深紫外発光素子の高効率化にむけたAlGaN系半導体の結晶成長とキャリア再結合過程に関する研究

深紫外発光素子の高効率化にむけたAlGaN系半導体の結晶成長とキャリア再結合過程に関する研究

... 大 偏 光 度 の 制 御 を 実 現 し て い る .ま た ,AlGaN QW に お け る 非 輻 射 再 結 合 過 程 を 定 量 的 に 論 じ て お り , 全 6 章 か ら な っ て い る . 第 1 章 は 序 論 で あ り , 本 論 文 の 背 景 目 的 , そ し て 本 論 文 の 構 成 に つ い て 述 べ て い る . 深 紫 外 光 は , 水 や ...

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暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs 赤外 LED + フォト IC T L P TLP351 汎用インバータ エアコン用インバータ IGBT のゲートドライブ 単位 :mm TLP351 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の受光 IC チップを組み合わせた 8PI

暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs 赤外 LED + フォト IC T L P TLP351 汎用インバータ エアコン用インバータ IGBT のゲートドライブ 単位 :mm TLP351 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の受光 IC チップを組み合わせた 8PI

... · 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当 社半導体製品をご使用いただく場合は、半導体製品の誤作動や故障により、生命・身体・財産が侵害されることの ないように、購入者側の責任において、機器の安全設計を行うことをお願いします。 なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべ ...

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暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC TLP250 TLP250 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm TLP250 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光

暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC TLP250 TLP250 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm TLP250 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光

... · 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当 社半導体製品をご使用いただく場合は、半導体製品の誤作動や故障により、生命・身体・財産が侵害されることの ないように、購入者側の責任において、機器の安全設計を行うことをお願いします。 なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべ ...

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第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門 上級編 ダイオードは二極菅という真空管だった 図1 ダイオードの起源は二極菅という真空管 プレート アノード ダイオードは もともと図1に示す 二極菅 と呼ばれる真空管のことを指しました この二極菅の特許も かのエジソン

第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門 上級編 ダイオードは二極菅という真空管だった 図1 ダイオードの起源は二極菅という真空管 プレート アノード ダイオードは もともと図1に示す 二極菅 と呼ばれる真空管のことを指しました この二極菅の特許も かのエジソン

... さまざまなパシベーションによって再結合速度を下げる 再結合を減らすためには、表面の欠陥を不活性化するパシベーションを施します。 図2 は、結晶系シリコン太陽電池セルにおけるパシベーションの様子を示したもので す。表面側のパシベーションには窒化ケイ素が使われ、裏面側のパシベーションには 酸化ケイ素が使われます。窒化ケイ素はプラズマCVD法によって堆積します。 ...

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第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門 上級編 ダイオードは二極菅という真空管だった 図1 ダイオードの起源は二極菅という真空管 プレート アノード ダイオードは もともと図1に示す 二極菅 と呼ばれる真空管のことを指しました この二極菅の特許も かのエジソン

第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門 上級編 ダイオードは二極菅という真空管だった 図1 ダイオードの起源は二極菅という真空管 プレート アノード ダイオードは もともと図1に示す 二極菅 と呼ばれる真空管のことを指しました この二極菅の特許も かのエジソン

... エネルギーペイバックタイム(エネルギー回収時間)は、太陽電池を製造するために 使うエネルギーを太陽光発電によって回収するために、どのくらいの時間が必要かを 表す数値です。エネルギーペイバックタイムは、システムを構成するすべての機器類の 製造エネルギー、システムから毎年得られる発電量の比率から計算されます。製造 エネルギーは製造技術の改良、製造規模の拡大などによって次第に減少します。後者 ...

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半導体レーザを用いた三角測量法による高速三次元計測に関する研究

半導体レーザを用いた三角測量法による高速三次元計測に関する研究

... まとめ 工場内におけるインプロセス計測を目指し、構造が簡 単で、測定スピードが速く、非接触計測で信号処理が可 能な三次元測定器を製作した。また、 LDを変調してい るので外乱光の影響を受けることなく明るい部屋でも測 定可能である。 本測定器を用いて三次元測定をすれば、演算回路から 出力される波形が、測定物のそのままの二次元断面波形 が出力されるので高速測定が可能である。[r] ...

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半導体レーザの自己結合効果を用いた微小変位センサの研究

半導体レーザの自己結合効果を用いた微小変位センサの研究

... 現在、半導体集積回路の細線化も進み、使用される線 幅も 40nm 以下になってきており、MEMS やフォトニク ス結晶などのナノ構築物も作られるようになってきた。 近い将来にこれらが大量生産されるようになる生産現 場でナノオーダーの分解能を持ち動作範囲が広く、小型 で安価な微小変位センサが必要になる。従来の非接触式 の変位計は、渦電流式や三角測量を用いたレーザ変位計 などがあるが、分解能は数μ ...

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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に

様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に

... 1 インチのバルク AlN 結晶作製を目指して Al 2 O 3 の炭素熱還元窒化挙動について検討し, ZrO 2 を添加する Al 2 O 3 の蒸発速度が飛躍的に増大することを明らかにした.この現象を 利用して, Al 2 O 3 -ZrO 2 -C 混合ペレットを原料として用いた新しい昇華再結晶法を開発した. 高周波誘導加熱炉内に Al 2 O 3 -ZrO 2 -C 混合ペレットを設置し,2173 K ...

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実習 K: ダイオード 1. 目的 pn 接合半導体整流器の電圧電流特性を測定し 半導体の物理的性質および整流器としての整流作用を理解する 2. ダイオード ダイオードとは二つの電極 ( アノード (A) とカソード (K)) を持った半導体の総称で 最も基本的な非 線形素子である 図 K1 に今回

実習 K: ダイオード 1. 目的 pn 接合半導体整流器の電圧電流特性を測定し 半導体の物理的性質および整流器としての整流作用を理解する 2. ダイオード ダイオードとは二つの電極 ( アノード (A) とカソード (K)) を持った半導体の総称で 最も基本的な非 線形素子である 図 K1 に今回

... ⑤ モード設定ボタン の CONT ボタン が押し込まれ連続モードである事を確認する。 ⑥ 信号出力レベルを最少にするため AMPLITUDE つまみを反時計回り一杯に回し、 ATTEN は 40dB にしておく。 ⑦ 波形は正弦波にするため、 WAVEFORM ボタンから 「正弦波」 を選択する。 ⑧ 出力端子は 「50 Ω」 し、 BNC から信号を取り出す。 ...

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半導体 Product Listings 整流器 ショットキー ( シングル デュアル ) 標準 高速 超高速リカバリー ( シングル デュアル ) ブリッジスーパーレクティファイア (Superectifier ) シンターグラスアバランシェダイオード 高出力ダイオード サイリスタ高出力 高速リカ

半導体 Product Listings 整流器 ショットキー ( シングル デュアル ) 標準 高速 超高速リカバリー ( シングル デュアル ) ブリッジスーパーレクティファイア (Superectifier ) シンターグラスアバランシェダイオード 高出力ダイオード サイリスタ高出力 高速リカ

... サージ電圧の最悪のケースは、エンジンが作動中で、オルタネータが車の電源ラインに電流を供給中に、バッテリ ラインが断線した場合に発生します。この状態は「ロードダンプ」として知られ、ほとんどの自動車メーカー業界 団体が、この状態の最大電圧、ラインインピーダンス、および持続期間を規定しています(図 5参照)。 ロードダンプの状態をシミュレートするテストとして、米国の ISO-7637-2 Pulse 5 ...

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198 愛知工業大学研究報告, 第 47 号, 平成 24 年,Vol.47,Mar,2012 るマイクが無い為 原因究明の妨げとなっている そこで 振動膜を使用しない半導体レーザの自己結合効果を利用し 音波を直接検出する方法をレーザマイクロフォンと名付け 装置を試作し 周波数特性の測定を行い それ

198 愛知工業大学研究報告, 第 47 号, 平成 24 年,Vol.47,Mar,2012 るマイクが無い為 原因究明の妨げとなっている そこで 振動膜を使用しない半導体レーザの自己結合効果を利用し 音波を直接検出する方法をレーザマイクロフォンと名付け 装置を試作し 周波数特性の測定を行い それ

... スピーカを直角に置いた場合が最も感度が良く、スピ ーカをシリンダ側、もしくは反射板側に移動させる感 度が悪くなる結果なった。 音波は疎密波であり、空気密度の高低で構成される。 そして音源から扇状に出力されて波の様に広がってい く。スピーカをレーザ光軸に対して直角に置く事で、レ ーザにはほぼ同時に全体に音波が当たる。その為、レー ザ光路上では屈折率変化(位相変化)が同時に全体で起 ...

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省電力高次機能半導体レーザの研究 Study of low-power-consumption highly functional semiconductor lasers 河口仁司 ( Hitoshi KAWAGUCHI, Dr. Eng.) 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科教授 (

省電力高次機能半導体レーザの研究 Study of low-power-consumption highly functional semiconductor lasers 河口仁司 ( Hitoshi KAWAGUCHI, Dr. Eng.) 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科教授 (

... 本稿では、平成 21 年度~23 年度に実施した「省電力 高次機能半導体レーザに関する研究」の報告として、 偏光双安定面発光半導体レーザ(VCSEL: Vertical— Cavity Surface—Emitting Laser)を用いた高速光メモ リ、多ビットメモリ、ヘッダ識別への応用、低消費電 力動作について述べるとともに、新しい省電力高次機 ...

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半導体レーザを用いた画像膨張による進入検出センサ

半導体レーザを用いた画像膨張による進入検出センサ

... I I から取り出したラインを、それぞれ集めて再配 置しておくものと考える。 LD 発張回路を用いて、選択した側のフィールド撮影 時のみレーザがパルス発振する様にし、その様子をカメ ラで撮影する。すると、図 3 に示す様に、取得した画像 データでは、選択した側のフィールド(図ではフィール ド1)の側にのみターゲットに照射したレーザ光が映る 事となる。この時、照射したレー[r] ...

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InGaN緑色レーザダイオードの光学利得特性におけるポテンシャル変調の効果

InGaN緑色レーザダイオードの光学利得特性におけるポテンシャル変調の効果

... 101 4. 金田昭男、金潤碩、船戸 充、川上養一、塩谷陽平、京野孝史、上野昌紀、中 村孝夫, “緑色発光 { 20 2 1 } GaN 基板上 InGaN 量子井戸の近接場顕微発光測定, the 73th Fall meeting: Applied Physics Conference, 12p-H10-12September 10-14, 2012, Eihime University, Japan ...

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発光ダイオードとフォトダイオードを用いた光結合型新増幅デバイスに関する研究-香川大学学術情報リポジトリ

発光ダイオードとフォトダイオードを用いた光結合型新増幅デバイスに関する研究-香川大学学術情報リポジトリ

... 2.2.1 フォトダイオード フォトダイオードは,光エネルギーを電気エネルギーに変換する一種のトランスデューサであ り,その構成は半導体の PN 接合部に光検出機能を加えたセンシング用ダイオードの一種である。 光物質の間には物理的相互作用があり,一般的に物質が光子を吸収し,その結果,電子を放出 ...

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通信用半導体レーザの開発

通信用半導体レーザの開発

... 伝送速度が 2.5Gbps までは、デバイス性能には余裕が あったため、要求に応じた最適化は、トレードオフの厳し い制約を受けることなく進んだが、10Gbps への応用に なってくる、様相が随分変わってきた。半導体レーザの 変調周波数の上限を決める要因は、キャリア数の変化に誘 導放出が追随できなくなる緩和振動周波数寄生インピー ...

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半導体レーザによる降雪センサの開発

半導体レーザによる降雪センサの開発

... 近年における偏波降水レーダの発展により、降雨に対 してのレーダ降水強度推定技術は発展し、レーダ反射因 子に加え、上空における降水粒子種別判定、 DSD の推定 に有効なパラメータの取得が可能なった。一方、降雪 観測に対しては進展が少ない。これは降雪の要因である 固体降水粒子は氷晶、雪片、あられを例として、多種多 様な形状および、含水率を持つ事により、マイクロ波散 乱問題が解決されておらず、粒子判定アルゴリズムが確 ...

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