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TLP700 東芝フォトカプラ GaAlAs 赤外 LED + フォト IC TLP700 汎用インバータ エアコン用インバータ IGBT / パワー MOSFET のゲートドライブ 4.58± 単位 : mm TLP700 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の

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Academic year: 2021

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(1)

単位: mm

質量:

0.26 g(標準)

4.58±0.25 4.0 +0. 25 − 0.20 9.7±0.3 6.8±0.25 0.4±0.1 1.27±0.2 1.25±0.25 7.62±0.25 3.65 +0. 15 − 0.25 0.25± 1 2 3 6 5 4 11-5J1

東芝

11-5J1

− 0.05 +0. 10

東芝フォトカプラ

GaAℓAs 赤外 LED +フォト IC

TLP700

○ 汎用インバータ

○ エアコン用インバータ

IGBT / パワーMOSFET のゲートドライブ

TLP700 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと、高利得・高速の受光 IC チップを組み合

わせた

6pin SDIP のフォトカプラです。

このフォトカプラは

8pin DIP のフォトカプラに比べ小型であり、また海外安全

規格強化絶縁クラスにも適合しています。このため安全規格認定が必要な機器の

実装面積を縮小することができます。

出力部はトーテムポール回路なので、吸い込み(シンク)、はき出し(ソース)の両方向

ドライブができます。

この素子は

IGBT およびパワーMOSFET のゲート駆動用に適しています。

出力ピーク電流

: ±2.0 A(最大)

動作温度範囲

: −40~100 ℃

供給電流

: 2 mA(最大)

電源電圧

: 15~30 V

入力しきい値電流

IFLH = 5 mA(最大)

伝達遅延時間( t

pLH

/ t

pHL

)

500 ns(最大)

瞬時コモンモード除去電圧

: ±15 kV/

μs(最小)

絶縁耐圧

: 5000 Vrms(最小)

構造パラメータ

7.62 mm

ピッチ

TLPXXX

タイプ

10.16 mm

ピッチ

TLPXXXF

タイプ

沿 面 距 離

空 間 距 離

絶 縁 物 厚

7.0 mm

(最小)

7.0 mm

(最小)

0.4 mm

(最小)

8.0 mm

(最小)

8.0 mm

(最小)

0.4 mm

(最小)

 UL 認定品

: UL1577

ファイル

No.E67349

オプション

(D4)タイプ

TÜV 認定品 :EN60747-5-2

最大許容動作絶縁電圧

: 890 Vpk

最大許容過電圧

: 8000 Vpk

: EN60747-5-2 認定品を採用する場合は

“オプション (D4) 品”とご指定ください。

真理値表

入力 LED M1 M2 出力 H ON ON OFF H L OFF OFF ON L 6 ピンと4ピンの間に、バイパス用のコンデンサ 0.1μF をつける必要があります。(注6)

内部回路図

V

CC

GND

I

CC

(M1)

(M2)

I

O

I

F

1+

4

5

6

V

O

V

F

3-

SHIELD

ピン接続図

1:アノード

2:N.C

3:カソード

4:GND

5:出力

6:V

CC

1

3

4

5

6

2

SHIELD

(2)

絶対最大定格 (Ta = 25°C)

項 目 記 号 定 格 単位 発 光 側 直 流 順 電 流 IF 20 mA

直 流 順 電 流 低 減 率 (Ta≧85℃) ΔIF/ΔTa -0.54 mA/℃

パ ル ス 順 電 流 (注1) IFP 1 A 直 流 逆 電 圧 VR 5 V 接 合 部 温 度 Tj 125 °C 受 光 側 ハ イ レ ベ ル 出 力 ピ ー ク 電 流 Ta=-40~100℃ (注2) IOPH −2.0 A ロ ー レ ベ ル 出 力 ピ ー ク 電 流 IOPL 2.0 A 出 力 電 圧 VO 35 V 電 源 電 圧 VCC 35 V 接 合 部 温 度 Tj 125 °C 動 作 周 波 数 (注3) f 50 kHz 動 作 温 度 Topr −40~100 °C 保 存 温 度 Tstg −55~125 °C は ん だ 付 け 温 度 ( 1 0 s ) (注4) Tsol 260 °C 絶 縁 耐 圧 (AC, 1 分間, R.H.≦ 60%) (注5) BVS 5000 Vrms 注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電圧印加、 多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。 弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および個別信頼性 情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。 注 1 : パルス幅≦1μs、300 pps 注 2 : 指数関数波形 パルス幅≦0.3μs、f≦15kHz

注 3 : 指数関数波形 IOPH≧-1.5A (≦0.3μs)、IOPL≦1.5 A (≦0.3μs), Ta=100℃

注 4 : 有効半田部分 注 5 : ピン 1、2、3、とピン 4、5、6、をそれぞれ一括し、電圧を印加する。 注 6 : 出力フォト IC は、非常に高感度のアンプを内蔵しており、発振防止用として、ピン 6 (VCC) とピン 4 (GND) の間に高周波特 性のよいバイパスコンデンサ0.1μF をピンより 1 cm 以内の場所に取りつけてください。 無い場合には、スピードやON / OFF の正常な動作をしない場合があります。

推奨動作条件

項 目 記 号 最小 標準 最大 単位 入 力 オ ン 電 流 (注7) IF(ON) 7.5

10 mA 入 力 オ フ 電 圧 VF(OFF) 0

0.8 V 電 源 電 圧 * (注 8) VCC 15

30 V 出 力 ピ ー ク 電 流 IOPH / IOPL

±1.5 A 動 作 温 度 Topr −40

100 ℃ *この項目は推奨動作条件ではなく、動作範囲を意味しております。 注 : 推奨動作条件は、期待される性能を得るための設計指標です。また、各項目はそれぞれ独立した指標となっておりますので、設計の際 は電気的特性などで規定された値も合わせてご確認をお願います。 注7: 入力オン電流の立ち上がり、立ち下がりは 0.5

μ

s 以下で駆動させてください。

(3)

電気的特性

(特に指定がない場合 Ta

= −40~100°C)

項 目 記 号 測定回路 測 定 条 件 最小 標準* 最大 単位 入 力 順 電 圧 VF IF= 10mA, Ta = 25℃ ⎯ 1.57 1.75 V 入 力 順 電 圧 温 度 係 数 ∆VF/∆Ta IF= 10mA ⎯ -1.8 ⎯ mV/℃ 入 力 逆 電 流 IR ⎯ VR= 5V, Ta = 25℃ ⎯ ⎯ 10 μA 入 力 端 子 間 容 量 CT V = 0V, f = 1 MHz, Ta = 25℃ ⎯ 100 ⎯ pF 出 力 電 流 (注9) “H”レベル IOPH1 図1 VICC= 15V F= 5mA V6-5 = 3.5V ⎯ -1.4 −1.0 A IOPH2 V6-5 = 7V ⎯ ⎯ −1.5 “ L ” レ ベ ル IOPL1 図2 VICC= 15V F = 0mA V5-4 = 2.5V 1.0 1.4 ⎯ IOPL2 V5-4 = 7V 1.5 出 力 電 圧 “H”レベル VOH 図3 VCC1 =+15V, VEE1 =-15V RL=200Ω, IF=5mA 11 13.7 ⎯ V “ L ” レ ベ ル VOL 図4 VCC1 =+15V, VEE1 =-15V RL=200Ω, VF=0.8V ⎯ -14.9 -12.5 供 給 電 流 “H”レベル ICCH 図5 VCC = 30V VO = Open IF = 10mA ⎯ 1.3 2.0 mA “ L ” レ ベ ル ICCL 図6 IF = 0mA ⎯ 1.3 2.0 スレッショルド入力電流 L→H IFLH ⎯ VCC = 15V, VO > 1V ⎯ 1.8 5 mA スレッショルド入力電圧 H→L VFHL ⎯ VCC = 15V, VO < 1V 0.8 ⎯ ⎯ V 動 作 電 源 電 圧 VCC ⎯ ⎯ 15 ⎯ 30 V U V L O ス レ ッ シ ュ ホ ー ル ド VUVLO+ ― VO > 2.5 V, IF = 5 mA 11.0 12.5 13.5 V VUVLO- ― VO < 2.5 V, IF = 5 mA 9.5 11.0 12.0 V U V L O ヒ ス テ リ シ ス UVLOHYS ― ― ― 1.5 ― V ( * ):標準値はすべてTa = 25℃の値です。 注 9:IO印加時間 ≦ 50

μ

s 、1パルス 注 10:本製品は低消費電力化設計のため、従来の製品群よりESDに対して敏感です。 実装、応用回路上の取り扱いにおいて耐ESDの一般的な注意がより必要です。

絶縁特性

(Ta = 25℃)

項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位 入 出 力 間 浮 遊 容 量 CS VS = 0V, f = 1MHz (注 5) ― 1.0 ― pF 絶 縁 抵 抗 RS R.H.≦60%, VS = 500V (注 5) 1×1012 1014 ― Ω 絶 縁 耐 圧 BVS AC、1 分間 5000 ― ― Vrms AC、1 秒間、オイル中 ― 10000 ― DC、1 分間、オイル中 ― 10000 ― Vdc

(4)

スイッチング特性 (特に指定がない場合 Ta=−40~100°C)

項 目 記 号 測定 回路 測 定 条 件 最小 標準* 最大 単位 伝 達 遅 延 時 間 L→H tpLH 図7 VCC= 30 V Rg= 20 Ω Cg= 10 nF IF = 0→5mA 50 ⎯ 500 ns H→L tpHL IF = 5→0mA 50 ⎯ 500 立 ち 上 が り 時 間( 1 0 - 9 0 % ) tr IF = 0→5mA

50

立 ち 下 が り 時 間( 9 0 - 1 0 % ) tf IF = 5→0mA

50

伝 達 遅 延 時 間 バ ラ ツ キ | tpHL−tpLH | IF = 0⇔5mA

⎯ 250 ハ イ レ ベ ル 瞬 時 コ モ ン モ ー ド 除 去 電 圧 CMH 図8 VCM =1000Vp-p Ta=25℃ VCC=30V IF = 5mA VO(MIN)=26V −15

kV/μs ロ ー レ ベ ル 瞬 時 コ モ ン モ ー ド 除 去 電 圧 CML IF = 0mA VO(MAX) =1V 15

( * ):標準値は全てTa=25℃の値です。 図1.IOPH測定回路 図2.IOPL測定回路 図4.VOL測定回路 図5.ICCH測定回路 図6.ICCL測定回路 VF 1 3 IF 1 3 4 6 IOPH V6-5 VCC 0.1μF A VCC A ICCH IF 1 3 4 6 0.1μF V CC A ICCL 1 3 4 6 0.1μF A IOPL V5-4 VCC 1 3 6 4 0.1μF VCC1 図3.VOH測定回路 V VOH IF 1 3 4 6 0.1μF VEE1 RL VCC1 V VOL 4 6 0.1μF VEE1 RL

(5)

90% 10% 1000 V

t

f

t

r 26V CMH 1V CML VCM VO • SW A: IF= 5 mA • SW B: IF= 0 mA CMH= − 800 V tf (μs) CML= 800 V tr (μs) 1 3 4 6 VCC 0.1 μ F VO Rg=20Ω Cg =10nF IF tpHL IF 90%

t

f 50% 10% VO tpLH

t

r VOH VOL CML (CMH) はローレベル(ハイレベル)出力電圧を維持できる、コモンモード電圧波形の最大立ち上がり(立ち下がり) を(電圧/時間)で表した数値。 図7.tpLH , tpHL , tr , tf ,

|

t

pHL

−t

pLH

|

測定回路 (f=25kHz , Duty=50% ) 図8.CMH , CML測定回路 1 6 IF 3 4 0.1μF VO VCC SW A B

+

VCM (f=25kHz, duty=50%, tr=tf=5ns 以下)

(6)

IF - VF

VF/⊿Ta - IF

VOL - Ta

入力順電圧 VF [V] 周囲温度 Ta [°C] 入力順電 流 IF [m A ] ローレベル出 力電 圧 VOL [V] 順電圧温 度係数 ⊿ VF/ ⊿ Ta [m V /°C ]

VOH - Ta

ICCL - Ta

ICCH - Ta

入力順電流 IF [mA] ハイレベル出 力電 圧 V OH [V] 周囲温度 Ta [°C] 周囲温度 Ta [°C] 周囲温度 Ta [°C]

1

1.2

1.4

1.6

1.8

2

0.1

1

10

100

Ta=-40°C Ta=25°C Ta=100°C 0.1 1 10 -3.2 -2.8 -2.4 -2 -1.6 -1.2

-40 -20

0

20

40

60

80 100

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

VF=0.8V, RL=200Ω VCC1=7.5V, VEE1=-7.5V VCC1=15V, VEE1=-15V

-40 -20

0

20

40

60

80 100

0

5

10

15

20

25

30

IF=5mA, RL=200Ω

-40 -20

0

20

40

60

80 100

0

1

2

3

4

5

ローレベル供 給電 流 ICCL [mA] IF=0mA VCC=30V

-40 -20

0

20

40

60

80 100

0

1

2

3

4

5

ハイレベル出 力電 流 ICCH [mA] IF=10mA VCC=30V VCC1=7.5V, VEE1=-7.5V VCC1=15V, VEE1=-15V

(7)

-40 -20

0

20

40

60

80 100

0

1

2

3

4

5

伝達遅延 時間 tp HL, tpLH [ns] 伝達遅延 時間 tp HL, tpLH [ns]

tPLH, tPHL - Ta

tPLH, tPHL - VCC

tPLH, tPHL - IF

IFLH - Ta

IOPL- Ta

IOPH- Ta

周囲温度 Ta [°C] 電源電圧 VCC [V] 入力順電流 IF [mA] 周囲温度 Ta [°C] ローレベル出 力ピ ーク電流 IOP L [A ] 伝達遅延 時間 tp HL, tpLH [ns] スレッショルド入 力電流 IFL H [m A] ハイレベル出 力ピ ーク電流 IOP H [A ] 周囲温度 Ta [°C] 周囲温度 Ta [°C] IF=5mA

-40 -20

0

20

40

60

80 100

0

100

200

300

400

500

IF=5mA, VCC=30V Rg=20Ω, Cg=10nF tpHL tpLH

15

20

25

30

0

100

200

300

400

500

tpHL tpLH IF=5mA, Rg=20Ω Cg=10nF

4

6

8

10 12 14 16 18 20

0

100

200

300

400

500

VCC=30V Rg=20Ω, Cg=10nF VCC=15V, VO>1V IO=0mA

-40 -20

0

20

40

60

80 100

0

1

2

3

4

5

IOPL MAX IF=0mA, VCC=15V (注9) V5-4=2.5V V5-4=7.0V tpLH tpHL

-40 -20

0

20

40

60

80 100

-5

-4

-3

-2

-1

0

IF=5mA, VCC=15V (注9) V6-5=-7.0V V6-5=-3.5V IOPH MAX

(8)

V5-4 - IOPL

V6-5 - IOPH

VO(VUVLO)** - VCC

出力電圧 V 5-4 [V ] 出力電圧 V 6-5 [V ] 出力電 圧 VO [V]

ローレベル出力ピーク電流 IOPL [A] ハイレベル出力ピーク電流 IOPH [A]

電源電圧 VCC [V]

0

0.5

1

1.5

2

1

2

3

4

5

6

7

-2

-1.5

-1

-0.5

0

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

0

IF=0mA, VCC=15V (注9) IF=5mA, VCC=15V (注9) Ta=25°C Ta=100°C Ta=-40°C Ta=100°C Ta=-40°C Ta=25°C

0

5

10

15

20

2

4

6

8

10

12

14

+VUVLO -VUVLO UVLOHYS IF=5mA VCC 1 3 4 6 IF VO

**Test Circuit : VO(VUVLO) - VCC

(9)

実装・保管条件

(1) 実装条件

・はんだ付け実装

はんだ付けははんだごて法、リフロー法ともに、次の条件でできる限り本体の温度上昇を防いでください。

1)リフローの場合

・共晶はんだ使用時の温度プロファイル一例

・鉛フリーはんだ使用時の温度プロファイル一例

・リフロー回数は2回までです。

・リフローの1回目から2回目までを2週間以内に終了するようにお願い致します。

2)はんだフローの場合(共晶はんだ、鉛フリーはんだ共通)

・プリヒートは、150℃で60~120秒で実施してください。

・260℃以下、10秒以内でお願いします。

・フロー回数は1回までです。

3)はんだコテによる場合

・260℃以下、10秒以内もしくは350℃、3秒以内で実施してください。

・はんだコテによる加熱は1端子1回までです。

(10)

(2) 保管条件

1) 水漏れの可能性のある場所や直射日光の当たる場所では保管しないでください。

2) 運搬や保管時は包装箱への注意表示に従ってください。

3) 保管場所の温度と湿度は、5~35℃、45~75%を目安としてください。

4) 有害ガス(特に腐食性ガス)の発生する場所や塵埃の多い所では、保管しないでください。

5) 温度変化の少ない場所に保管してください。保管時の急激な温度変化は結露が生じ、

リードの酸化、腐食などが発生し、はんだ濡れ性が悪くなります。

6) デバイスを包装から取り出した後、再び保管する場合は帯電防止処理された収納容器を使用

してください。

7) 保管時はデバイスに直接荷重を掛けないでください。

8) 上記形態で保管された場合でも長時間(2年以上)経過した場合には、使用前にはんだ付け性

の確認をする事を推奨します。

(11)

SDIP6 タイプフォトカプラ

(TP) エンボステーピング包装仕様

1. 適用パッケージ

パッケージ名称 製 品 SDIP6 フォトカプラ

2. 製品名呼称方法

単体形名の後に記号を付けて、出荷形態の区分をしています。区分方法は、次のとおりです。

(表示例)

TLP700(TP,F)

[[G]]/RoHS

COMPATIBLE(注 11)

テーピング名

製品名

3. テーピング仕様

3.1

テーピング方向

キャリアテープ凹み角穴内の製品の向きは、図

1 に示すとおりです。

1 凹み角穴内の製品の向き

3.2

包装数量: 1 リール当たり 1500 個

3.3

製品封入不良率: 表

1 に示します。

1 製品封入規格

項 目 規 格 備 考 連 続 し た 製 品 抜 け 0 リーダ、トレイラ部を除いたテープの 任意の40mm 内 非 連 続 の 製 品 抜 け 最大 6 個 (1 リール当たり) リーダ、トレイラ部は除く

3.4

リーダ部および空部

テープの巻き始めには空凹み角穴を

30 ヶ所以上付け、巻き終わりには空凹み角穴を 30 ヶ所以上とカバー

テープを

2 周分付けます。

テープの引き出し方向

(12)

3.5

テーピング寸法

(1) テープ材質: プラスチック (静電防止仕様)

(2) 寸 法: 図 2 および表 2 に示します。

2 テーピング形状

2 テーピング寸法

単位: mm 公差: ±0.1 記 号 寸 法 備 考 A 10.4 ⎯ B 5.1 D 7.5 凹み角穴と送り丸穴の中心線 E 1.75 テープ端と穴中心との距離 F 12.0 累積誤差 /10 ピッチ G 4.0 累積誤差 /10 ピッチ K0 4.1 内部空間 +0.1 −0.3 +0.1 −0.3 φ1.6 ± 0.1 2.0 ± 0.1 D B E F G 16.0 ± 0.3 φ1.5 +−0 0.1 0.4 ± 0.05 4.55 ± 0.2 K0 A

(13)

3.6

リール

(1) 材 質: プラスチック

(2) 寸 法: 図 3 および表 3 に示します。

3 リール形状

4. 梱 包

1 リールまたは 5 リールをダンボール箱に梱包します。

5. 包装表示

リールおよび箱に、形名・規格区分記号・数量・ロット記号・当社名を表示します。

6. ご注文に際してのお願い

形名・テーピング名・数量

(1500 の倍数) を、次の要領でご指定ください。

(例)

TLP700(TP,F)1500個

数量(1500 の倍数)

[[G]]/RoHS

COMPATIBLE(注 11)

テーピング名

製品名

11: 本製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問い合わせください。RoHS

指令とは、

「電気電子機器に含まれる特定有害物質の使用制限(RoHS)に関する 2011 年 6 月 8 日付けの欧州議会

および欧州理事会の指令(EU 指令 2011/65/EU)」のことです。

記 号 寸 法 A φ380 ± 2 B φ80 ± 1 C φ13 ± 0.5 E 2.0 ± 0.5 U 4.0 ± 0.5 W1 17.5 ± 0.5 W2 21.5 ± 1.0 E W1 W2 A B C U

3 リール寸法

単位: mm

(14)

EN60747-5-2 オプション(D4)仕様

形名

: TLP700, TLP700F

適用品種

: EN60747 の要求試験を適用した“オプション(D4)仕様”は次の商品名を付与します。

: TLP700(D4-TP, F)

D4 : EN60747 オプション指定

TP : 標準テーピング名

F : [[G]]/RoHS COMPATIBLE(注 11)

注意 : ただし、安全規格のセット申請に際しては標準形名をご使用ください。

: TLP700(D4-TP, F) → TLP700

EN60747 絶縁定格

項目

記号

定格値

単位

使用クラス

定格主電圧≦300Vrms に対し

定格主電圧≦600Vrms に対し

I-IV

I-III

環境試験クラス

40/ 100 / 21

汚染度

2 —

最大許容動作絶縁電圧

TLPxxx タイプ

V

IORM

890

Vpk

TLPxxxF タイプ 1140

部分放電試験電圧、入力-出力間 ダイアグラム1

Vpr=1.5 x V

IORM,

型式および抜き取り試験

tp=10s, 部分放電電荷<5pC

TLPxxx タイプ

Vpr

1335

Vpk

TLPxxxF タイプ 1710

部分放電試験電圧、入力-出力間 ダイアグラム2

Vpr=1.875 x V

IORM,

全数試験

tp=1s, 部分放電電荷<5pC

TLPxxx タイプ

Vpr

1670

Vpk

TLPxxxF タイプ 2140

最大許容過電圧

(過度過電圧, tpr=60s)

V

TR

8000

Vpk

安全最大定格

(故障時の最大許容値、ダイヤグラム3の低減グラフ)

電流(入力電流

I

F

, Psi=0)

電力(出力あるいは全許容損失)

温度

Isi

Psi

Tsi

300

700

150

mA

mW

絶縁抵抗、入力-出力間

Rsi

≧10

12

≧10

11

≧10

9

V

IO

V

IO

V

IO

=500V, Ta=25°C

=500V, Ta=100°C

=500V, Ta=Tsi

(15)

絶縁構造パラメーター

7.62mm ピッチ

TLPxxx タイプ

10.16mm ピッチ

TLPxxxF タイプ

最小沿面距離 Cr

7.0mm

8.0mm

最小空間距離 Cl

7.0mm

8.0mm

最小絶縁物厚 ti

0.4

mm

トラッキング指数

CTI

175

1.プリント基板に実装された場合には、沿面距離、空間距離はこの値以下になることがあります。

(例えば、標準の 7.5mm ランド間距離で実装される場合など)

これが許容されない場合には適切な処置を講じる必要があります。

2.このフォトカプラは、安全最大定格の範囲内でのみ安全な電気絶縁に適用することができます。

必要に応じ保護回路を設け、安全最大定格が確実に維持されるよう処置を講じる必要があります。

マーキング:EN60747 の要求試験を適用した”オプション(D4)仕様“には次のマーキングを実施します。

製品表示 :

製品表示例

4

Lot Code

4

オプション(D4)仕様マーク

6

4

3

1

1ピンマーク

型名(ただしTLは表示せず)

P700

(16)

ダイアグラム

Figure

1 EN60747 による試験電圧波形、手順 a)、破壊試験(型式試験や抜き取り試験に適用)

1 Partial discharge measurement procedure according to EN60747

Destructive test for qualification and sampling tests.

Method A

(for type and sampling tests,

destructive tests)

t

1

, t

2

t

3

, t

4

t

p

(Measuring time for

partial discharge)

t

b

t

ini V VINITIAL(8kV) Vpr(1335V for TLPxxx) (1710V for TLPxxxF) VIORM(890V for TLPxxx) (1140V for TLPxxxF) 0 t1 tini t3 t2 tP tb t4 t

= 1 to 10 s

= 1 s

= 10 s

= 12 s

= 60 s

500 400 300 200 100 0 800 600 400 200 0 0 25 50 75 100 125 150 175 1000 Ta (°C) ← Isi Psi → Isi (mA) Psi (mW)

ダイアグラム

Figure

3 安全最大定格-周囲温度(フォトカプラ故障時)

3 Dependency of maximum safety ratings on ambient temperature

tP Vpr(1670V for TLPxxx) (2140V for TLPxxxF) VIORM(890V for TLPxxx) (1140V for TLPxxxF) V t t3 tb t4

ダイアグラム

Figure

2 EN60747 による試験電圧波形、手順 b)、非破壊試験(全数試験に適用)

2 Partial discharge measurement procedure according to EN60747

Non-destructive test for100% inspection.

Method B

(for sample test, non-

destructive test)

t

3

, t

4

t

p

(Measuring time for

partial discharge)

t

b

= 0.1 s

= 1 s

= 1.2 s

(17)

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れ、膨大な財産損害を引き起こす恐れ、もしくは社会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器(以下“特定

用途”という)に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には原子力

関連機器、航空・宇宙機器、医療機器、車載・輸送機器、列車・船舶機器、交通信号機器、燃焼・爆発制

御機器、各種安全関連機器、昇降機器、電力機器、金融関連機器などが含まれますが、本資料に個別に記

載する用途は除きます。特定用途に使用された場合には、当社は一切の責任を負いません。なお、詳細は

当社営業窓口までお問い合わせください。

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「外国為替及び外国貿易法」

「米国輸出管理規則」等、適用ある輸出関連法令を遵守し、それらの定めるところにより必要な手続を行っ

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本製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制する

RoHS 指令等、適用ある環境関連法令を

十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより

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