暫定資料東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC TLP250 TLP250 汎用インバータエアコン用インバータパワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ単位 : mm TLP250 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと高利得高速の集積回路受光

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2001-04-06

1 東芝フォトカプラ

GaAℓAs LED +フォト IC

TLP250

○ 汎用インバータ

○ エアコン用インバータ

○ パワーMOS FET のゲートドライブ

○ IGBT のゲートドライブ

TLP250 は、GaAℓAs 赤外発光ダイオードと、高利得・高速の集積回路受光チップを組み合せた8PIN DIP のフォトカプラです。

TLP250 は IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に適しています。 l 入力しきい値電流 : IF = 5 mA (最大) l 供給電流 : 11 mA (最大) l 電源電圧 : 10～35 V l 出力ピーク電流 : ±1.5 A (最大) l 応答速度 : tpHL、tpLH = 0.5μs (最大) l 絶縁耐圧 : 2500 Vrms (最小) l UL 認定品 : UL1577、ファイル No.E67349 l オプション (D4) タイプ

VDE 認定品 : DIN VDE0884 / 06.92、認定 No.76823 最大許容動作絶縁電圧 : 630 Vpk 最大許容過電圧 : 4000 Vpk 注注注注: VDE0884 認定品を採用する場合は“オプション認定品を採用する場合は“オプション認定品を採用する場合は“オプション認定品を採用する場合は“オプション (D4) 品”とご指定ください。品”とご指定ください。品”とご指定ください。品”とご指定ください。 l 構造パラメータ沿面距離 : 6.4 mm (最小) 空間距離 : 6.4 mm (最小)

真理値表

Tr 1 Tr 2 ON ON OFF 入力LED OFF OFF ON

ピン接続図

JEDEC ― EIAJ ― 東芝 11−10C4 質量: 0.54 g

暫定資料

単位: mm

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内部回路図

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3 最大定格

最大定格

(Ta = 25℃

℃

)

項目記号定格単位直流順電流 IF 20 mA

直流順電流低減率 (Ta≧70℃) ΔI_F /ΔTa −0.36 mA /℃ 過渡パルス順電流 (注 1) IFPT 1 A 発光側直流逆電圧 V_R 5 V ハイレベル出力ピーク電流 (パルス幅≦2.5μs、f≦15 kHz) (注 2) I_OPH −1.5 A ローレベル出力ピーク電流 (パルス幅≦2.5μs、f≦15 kHz) (注 2) IOPL +1.5 A (Ta≦70℃) 35 出力電圧 (Ta≦85℃) VO 24 V (Ta≦70℃) 35 電源電圧 (Ta≦85℃) VCC 24 V 出力電圧低減率 (Ta≧70℃) ΔVO /ΔTa −0.73 V /℃ 電源電圧低減率 (Ta≧70℃) ΔV_CC /ΔTa −0.73 V /℃ 受光側接合部温度 T_j 125 ℃ 動作周波数 (注 3) f 25 kHz 動作温度 Topr −20～85 ℃ 保存温度 T_stg −55～125 ℃ はんだ付け温度 (10 秒) (注 5) Tsol 260 ℃ 絶縁耐圧 (AC 1 分間、R.H.≦60%、Ta = 25℃) (注 4) BV_S 2500 Vrms 注 1: パルス幅≦1μs、300 pps 注 2: 指数関数波形

注 3: 指数関数波形 IOPH≦−1.0A (≦2.5μs)、IOPL≦+1.0A (≦2.5μs)

注 4: ピン 1、2、3、4 とピン 5、6、7、8 をそれぞれ一括し、電圧を印加する。注 5: リード根元より 2 mm 以上。

推奨動作条件

項目記号最小標準最大単位入力オン電流 I_{F (ON)} 7 8 10 mA 入力オフ電圧 V_{F (OFF)} 0 ― 0.8 V 電源電圧 V_CC 15 ― 30 20 V 出力ピーク電流 IOPH / IOPL ― ― ±0.5 A 動作温度 T_opr −20 25 70 85 ℃ 注 6: 出力フォト IC は、非常に高感度のアンプを内蔵しており、発振防止用として、ピン 8 (VCC) とピン 5 (GND) の間に高周波特性のよいバイパスコンデンサ0.1μF をピンより 1 cm 以内の場所に取りつけてください。ない場合には、スピードやON / OFF の正常な動作をしない場合があります。注 7: 入力オン電流 IF (ON) の立ち上がり、立ち下がりは0.5μs 以下で駆動させてください。

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電気的特性

(指定なき場合

指定なき場合

Ta = −20～

～

70℃

℃

)

項目記号測定_回路測定条件最小標準* 最大単位入力順電圧 VF ― IF = 10 mA, Ta = 25℃ ― 1.6 1.8 V 入力順電圧温度係数 ΔV_F /ΔTa ― I_F = 10 mA ― −2.0 ― mV /℃ 入力逆電流 IR ― VR = 5 V, Ta = 25℃ ― ― 10 μA 入力端子間容量 C_T ― V = 0, f = 1 MHz, Ta = 25℃ ― 45 250 pF “H”レベル IOPH 図2 I_VF = 10 mA 8−6 = 4 V −0.5 −1.5 ― 出力電流 “L”レベル IOPL 図1 VCC = 30 V (注 8) I_F = 0 V₆₋₅ = 2.5 V 0.5 2 ― A “H”レベル VOH 図3 V_CC1 = +15 V VEE1 = −15 V R_L = 200Ω, I_F = 5 mA 11 12.8 ― 出力電圧 “L”レベル V_OL 図4 VVCC1_EE1 = −15 V = +15 V R_L = 200Ω, V_F = 0.8 V ― −14.2 −12.5 V V_CC = 30 V, I_F = 10 mA Ta = 25℃ ― 7 ― “H”レベル I_CCH ― V_CC = 30 V, I_F = 10 mA ― ― 11 mA V_CC = 30 V, I_F = 0 mA Ta = 25℃ ― 7.5 ― 供給電流 “L”レベル I_CCL ― V_CC = 30 V, I_F = 0 mA ― ― 11 mA スレッショルド入力電流 L→H IFLH V_CC1 = +15 V V_EE1 = −15 V R_L = 200Ω, V_O > 0V ― 1.2 5 mA スレッショルド入力電圧 H→L VFHL ― V_CC1 = +15 V V_EE1 = −15 V R_L = 200Ω, V_O < 0V 0.8 ― ― V 動作電源電圧 V_CC ― ― 10 ― 35 V 入出力間容量 C_S ― V = 0, f = 1 MHz, Ta = 25℃ ― 1.0 2.0 pF 絶縁抵抗 R_S ― _R.H.≦60%VS = 500 V, Ta = 25℃ 1×1012 1014 ― Ω *: 標準値は、すべてTa = 25℃の値。注 8: IO印加時間≦50μs、1 パルス

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5 スイッチング特性

スイッチング特性

(指定なき場合

指定なき場合

Ta = −20～

～

70℃

℃

)

項目記号測定回路測定条件最小標準注最大単位 L→H tpLH ― 0.15 0.5 伝達遅延時間 H→L t_pHL ― 0.15 0.5 立ち上がり時間 tr ― ― ― 立ち下がり時間 t_f 図5 I_VF = 8 mA, VCC1 = +15 V EE1 = −15 V, RL = 200Ω ― ― ― μs 瞬時同相除去電圧出力ハイ CMH 図6 V_CM = 600 V, I_F = 8 mA VCC = 30 V, Ta = 25℃ −5000 ― ― V /μs 瞬時同相除去電圧出力ロー CML 図6 V_CM = 600 V, I_F = 0 mA VCC = 30 V, Ta = 25℃ 5000 ― ― V /μs 注: 標準値は、すべて Ta = 25℃の値

図１

I

_OPL

測定回路

図２

I

_OPH

測定回路

図３

V

_OH

測定回路

図４

V

_OL

測定回路

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図５

t

_pLH

、

t

_pHL

、

t

_r

、

t

_f

測定回路

図６

t

_pLH

、

t

_pHL

、

t

_r

、

t

_f

測定回路

CML (CMH) はローレベル (ハイレベル) 出力電圧を維持できる、コモンモード電圧波形の最大立ち上がり (立ち下がり) を (電圧 / 時間) で表したものです。

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