Top PDF 機能性酸化物薄膜の作製と

機能性材料を添加したタンタル酸化物薄膜の作製と評価に関する研究

... 2-11 と同じとなるため、ここでは省略する。これらの図より、単純にアニール温度を上げることで発光強度が増すわけではないことがわかる。タブレットを 1 枚、2 枚、5 枚使用した試料の PL 測定結果である図 2-17、図 2-18、図 2-20 ではアニール温度 800℃のときに波長 620nm の発光強度が最大と ...

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JAIST Repository: ペロブスカイト型Mn酸化物薄膜の熱電特性

... い範囲であるため、製膜用ターゲットは勿論のこと、基板上に堆積した薄膜の組成ずれは致命的である。そのため、様々な条件下で作製した薄膜試料を、ラザフォード後方散乱分析 (RBS) 法によって組成分析し、目標組成となる製膜条件を確立した後、超伝導量子干渉素子(SQUID)を用いた磁化率測定等を行 ...

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Title BiFeO_3 系酸化物誘電体の作製と機能特性 Author(s) 尾崎, 友厚 Editor(s) Citation Issue Date 2013 URL Rights

... 3 の磁気秩序は強誘電ドメインに引きずられた構造を取るが、通常、 BiFeO 3 のドメインサイズは螺旋磁気構造や spin cycloid の周期よりも遥かに大きいため、磁気秩序や磁気特性に影響は及ぼさない。しかし、第二章前半での誘電特性、TEM による微細構造観察の結果から、 (1-x)BiFeO 3 -xBaTiO 3 は相境界近 ...3 ...

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層状バナジウム酸化物エピタキシャル薄膜の低次元電子物性に関する研究

... 領域で ln T に比例する絶縁体的挙動を示した。起源の異なる複数の抵抗現象である、低次元物質に特有の弱局在効果、電子-電子相互作用、あるいは近藤効果が関与していたが、伝導層間の距離の伸縮により各現象の寄与が変化することが明らかになった。層状ペロブスカイトの伝導層に関与する構造を変調することによって、低次元性に関わる電 ...

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JAIST Repository: 新ハーフメタリック磁性酸化物Sr_2CrWO_6の薄膜成長と物性

... の 5d 軌道の非局在化に伴うハーフメタリックな性質が期待される。しかし、異相が生成するために焼結体が得にくく、その物性の詳細は明らかにされていない。そこで、密度汎関数法によりバンド構造を解析し、ハーフメタルの可能性を検討するとともに Sr 2 ...

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希土類含有三元系酸化物蛍光体の作製と評価

... 16 3.1.2 X 線の発生機構及びスペクトル X 線は波長がオングストローム程度の電磁波で、通常は X 線管に数万ボルトの直流高電圧を印加し、高速の電子線をターゲット上に衝突させる際に発生する。そのスペクトルは連続的な部分と線状の部分からなっている。前者を連続 X 線、後者を特性 X 線とよぶ。連続 X ...

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反応性スパッタ法によるInON薄膜の作製とその特性

... 正孔が再結合する際に放出される。この再結合は半導体結晶中に存在する格子欠陥や不純物の影響を受けやすいため、広い意味での”結晶中の欠陥”を高感度に検出することが可能となる。またこの手法は測定において試料を破壊することがなく、また特殊な試料前処理や ...

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反応性スパッタ法によるZn3N2薄膜の作製とその特性評価

... 等の特徴を持ち、低温で高速なスパッタリングが可能である。 Fig. 2.4 マグネトロンスパッタリングの様子 2.1.4 反応性スパッタリング法化合物の組成成分にガス元素が含まれる化合物薄膜を作製する場合、スパッタガスとして Ar などの希ガスの中に組成成分を含む活性ガス(O 2 ...

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高感度炎センサの実現に向けた酸化ガリウム結晶薄膜の作製

... 空から火災が生じたことを広域検出できれば，火災被害の拡大防止や初期対応をとることができる．炎の検出方法には，周辺温度を感知する方法や近赤外線を感知する方法がある．周辺温度を感知する方法は，熱源との距離が近くなければならない．近赤外線を感知する方法は，簡便ではあるが，確実性に欠ける．なぜなら，近赤外線は太陽光線にも多量に含まれるし，環境内にさまざまな ...

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溶液法を用いたZnO薄膜の作製とその特性に関する研究

... 族化合物半導体に比べて、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体は一般的に物性制御が困難である。これらの現象は、キャリアと内因性欠陥との相互作用による自己補償効果と呼ばれている。また近年、大面積ディスプレイや太陽電池など、情報技術・エネルギー機器を支える基盤材料である透明導電薄膜には、主に酸化インジウム錫(ITO ...

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Si基板上金属薄膜の光学定数とSi発光素子作製への応用

... 16 3-6. フォトルミネッセンス(Photoluminescence : PL)測定 3-6-1. はじめに一般に物質にエネルギーを与えるとそのエネルギーは吸収される。そしてその吸収されたエネルギーは、様々な形で放出される。そのエネルギーの放出を発光という形で行う現象がルミネッセンス(Luminescence)である。このルミネッセンスはエネルギーの与え方に ...

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直流スパッタ法によるアモルファスInGaZnO4薄膜の作製と電気的性質

... 図 4.2 a-IGZO と IGZO ターゲットの X 線回折パターン回折パターンのピーク位置にのみに注目したいので縦方向に平行移動して描写したグラフである。28.5°におけるピークは Si(111)基板によるものである。X 線回折パターンから as-depo. 膜には明瞭なピークが観測されないためアモルファスであると判断した。500℃熱処理試料では 2?° ...

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カルコパイライト型半導体AgGaTe2薄膜の作製と光学的評価

... 2.3 ラマンラマンラマンラマン分光法分光法分光法分光法 2.3.1 ラマンラマンラマンラマン効果効果効果効果についてについてについてについてラマン散乱は物質に特定の波長（振動数）の光を照射すると、照射光とは異なった波長 ...

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希土類元素を添加した酸化タンタル薄膜の発光機能に関する研究

... 1 第 1 章緒言 1-1 研究背景現代社会において情報通信技術の進歩は生活にさらなる豊かさをもたらし、その中でも光通信や光ディスク等、光工学の発展によるところは大きい。インターネットが各家庭に普及し始めて以来、急速に普及した一因としてあげられるのは光ファイバを用いた光通信が実用化したことがいえる。これにより大容量で高速な通信が家庭でも利用できるように ...

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JAIST Repository: パルスレーザー堆積法によるSi上への酸化物薄膜の低温成長

... パルスレーザー堆積法による Si 上への酸化物薄膜の低温成長水島昌徳 ( 五味研究室 ) [ 緒言 ] 近年、コンピュータや光通信システムの高速化・小型化の要求により注目されているモノリシッ ...

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Cu(In,Ga)Se2系薄膜及びZnO系酸化物薄膜における欠陥の光学的評価とその太陽電池ならびに薄膜トランジスタ応用に関する研究

... 半導体技術を基盤とする電子・光デバイスは 20 世紀後半から、大きく発展し我々の生活により便利に快適に変えてきた。これらの電子・光デバイスは、現在ではその恩恵を受けずに生活することが困難な状況であり、我々の生活スタイルをも変えてきている。また、近年、地球環境問題の高まりにより、製造業では省エネルギー・創エネルギー・リサイクルといったテーマでの製品 ...

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深さ分解XPSおよびXASによる酸化物薄膜表面領域の化学状態分析

... LSM 酸化物薄膜の深さ分解化学状態分析を実施した．ただし，電池作動環境下における電極中の酸素ポテンシャルに影響を及ぼす要因として，印加電圧や雰囲気温度，酸素分圧などが挙げられ，各要素が互いに複雑に関連しているために，電極で起こる物理的・化学的現象の機構を解明するのは容易でない．そこで本研究では，モデルを単純化するためにま ...

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有機薄膜太陽電池の材料の違いと素子作製

... 年に兵庫大学の多田は今まで有機薄膜太陽電池の素子作製に一般的に使用されていた可溶性修飾化されたフラーレン PCBM とハロゲン化物のクロロベンゼンを用いらず、ドナー材料に P3HT、アクセプタ材料に無修飾フラーレン物質の組み合わせで、非ハロゲン溶媒を用いた研究実験を行った。そして、変換効率 ...

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分子線エピタキシー法で作製した極薄Fe/酸化物層構造の界面垂直磁気異方性

... an extra local maximum of DOS in the valence band, due to the hybridization between Fe and C 60 layer. This work showed the possibility of the ultrathin Fe layer to be an e[r] ...

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共スパッタリング法による機能性金属添加酸化タンタル薄膜の作製とその発光特性の評価

... :Tm 薄膜と Ta 2 O 5 :Tm,Ag 薄膜の作製と評価を行った。まず、 Ta 2 O 5 :Tm 薄膜の作製と評価を行い、本研究室の過去研究と同様に、肉眼で白色発光が確認でき、 Tm 3+ の 3 H 4 → 3 H 6 ...

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機能性酸化物薄膜の作製と

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