擬ギャップ状態の研究
第 2 号擬ギャップ系材料 Al 5 Co 2 の電子構造および熱電特性 55 日本金属学会誌第 81 巻第 2 号 ( 2017)55-59 擬ギャップ系材料 Al 5 Co 2 の電子構造および熱電特性 1, * 1, * 3 1,2, * ,3 1 大阪大学大学院工学研究科 2
... mm 程度のディスク状のバルク試料を得た． 得られたバルク試料の一部を粉砕した後，X 線回折（X︲ray diffraction: XRD）法により試料の結晶構造や相状態を同定し た．測定には粉末 X 線回折装置（Ultima︲IV，㈱リガク）を用 い，測定範囲は2θ＝20～80°とした．X 線には Cu︲Kα 線，検 ...
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重い電子系超伝導体CeCu2Si2における超伝導ギャップ構造の研究
... 強相関電子系の物理は、現代の固体物理学におけるホットトピックであり、理論・実 験の両面から盛んに研究が行われている。実際、強相関電子系においては非フェルミ 液体、超伝導と磁性・新奇秩序相の共存、非従来型超伝導などが観測されている。例 えば、ある種のU系化合物では時間反転対称性の破れた超伝導状態の実現が示唆され ...
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ワイドギャップ半導体の光学特性評価
... 前年度の研究では、 GaN と同様の研磨特性を評価し たところ、歪みによるとされる PL ピークエネルギーシ フトは検出されなかった。また、共鳴ラマン散乱の実験 でも格子振動モードの変化が見られなかった。この理由 を明らかにするため、詳細を検討した。 ...
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地方部における労働需要・供給調査に基づく需要ギャップ解消施策に関する研究
... 本研究では、 a） 地域の企業や自治体において提供可能な需要側の具体的な条件を調査し、 同時に、b）若年層が受容可能な供給側の条件（非労働環境を含む）とのマッチングの条件 を調査、それらの接点を検証する。本研究によって、i）地域企業が若年層にアピールすべ ...
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教師の視点からみた中1ギャップに関する研究-香川大学学術情報リポジトリ
... 盾をはらんだ状態にあることが推察される。こ うした現状の背景に，いったいどのような理由 が存在しているのだろうか。 「白紙の状態でみてほしい」という小学校教 師のねがいには，その背景に「中学校に情報を 提供すれば偏見が生まれる」といった漠然とし た推測があるのではないかと思われる。つま り，情報提供先の中学校の教師に対する信頼感 が低いの[r] ...
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開発と運用のギャップpptx 最近の更新履歴 OE07 ITILV3活用研究会
... 東日本大震災から 3 日後の 2011 年 3 月 14 日。この日の午前に最初のトラブルは発 生した。テレビ局が東日本大震災の義援金を番組などで呼びかけたところ、みず ほ銀行東京中央支店のテレビ局の義援金口座（以下、口座 a ）に、振り込みが殺到 した。午前 10 時 16 分、振り込みによって生じた「取引明細」の件数が上限値を ...
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感覚のギャップ (巻頭エッセイ)
... 専門は東南アジア地域研究、文化人類学。カンボジア農村に関する論文多数。著 書に、『カンボジア村落世界の再生』（京都大学学術出版会、2011年）がある。 カンボジアの農村で調査をしていて興味深い ...
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サブnmギャップ電極を用いた単一分子のテラヘルツ分光に関する研究
... We performed terahertz spectroscopy of single molecules by using SMT structure, and investigated THz dynamics of single molecules and single atoms. This novel schem[r] ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... 大きさと発光強度には一定の関係があることが見出さ れたが、その原因・機構については不明のままであった。 2．研究の目的 半導体材料では機械研磨により試料表面にクラック やスクラッチが導入されることはよく知られているが、 Si についての研究が多く、GaN についての報告は少な い。前年度までの研究で、 GaN と ...
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JAIST Repository: ケータイ利用形態のユーザ間ギャップに関する研究(イノベーション政策と政策研究(5),一般講演,第22回年次学術大会)
... 次に、上述した 4 機能の得点を用いて、 グループ内平均連結法によるクラスタ分析を行い、 4 つのクラ スタを得た。第 1 クラスタには 119 名、第 2 クラスタには 29 名、第 3 クラスタには 278 名、第 4 クラ スタには 94 名の調査対象が含まれた。さらに、得られた 4 つのクラスタを独立変数「ネットワーク利 ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... 3．研究の方法 GaN 系試料として、サファイア基板上ならびに Si 基 板上にヘテロ成長した GaN 単結晶薄膜、HVPE 法によ ってヘテロ成長した後、基板から剥離したバルク単結晶 を用意した。結晶成長は約 1000℃の高温で行われるた め、基板との熱膨張係数差により、加工前のサファイア 基板上試料は圧縮歪みを、 Si 基板上試料は引っ張り歪 ...
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小中移行期における「学校不適応」に関する研究：中１ギャップに注目して
... 小中移行期におけるr学校不適応」に関する研究 一中1ギャップに注目して一 学校教育学専攻 臨床心理学コース.[r] ...
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中１ギャップに関する研究‐小中連携・一貫教育のあり方を中心にして‐
... 大崎中学校の「学校行事における取り組み」で紹介した、グループ内で発生した問題に 対して子どもたち自身で解決を目指す取り組みは、集団生活の中で問題を効果的に対処 する社会性を身につける小申連携活動といえる。また、寝屋川市の第一中学校で行なわ れていた「小中連携紙上ピア・サボ」ト」、東京都品川区や具申央学園で行なわれてい た年齢差のある異学年交流も、コミュニケ』ション能力や[r] ...
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JAIST Repository: PAC分析を用いた失敗知識構造の階層ギャップ生成プロセスに関する研究－I企業研究所における研究開発プロジェクトのケース・スタディ－
... Next, a question is created, a conflict state will be born and it will progress to "the generation stage of an answer." Finally, If an answer is generated, conflict state will be cancele[r] ...
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産官学セクター間に横たわる3つの障壁 : 価値基準のギャップ・技術のギャップ・組織のギャップ
... 間 の 連 携 が ス ム ー ス で 、 主 体 的 ・ 積 極 的 に 取 り 組 ま れ て い る よ う な 地 域 に お い て も 、こ う し た 牽 制 の 構 図 は 避 け 難 い も の と し て 横 た わ っ て い る 。 例 え ば 、 中 小 企 業 庁 が 近 年 力 を 入 れ て い る 、 地 域 新 生 コ ン ソ ー シ ア ム 研 究 開 発 ...
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某短期大学生の健康観と健康状態とのギャップ－健康に関するスピーチ・作文と質問紙「健康チェック票THI」による評価－
... THI の結果からは健康的な生活を送っているとは思えなかった。これらの結果は、学生の健康観と健康への取り 組み、および実際の健康度の評価結果の間には大きなギャップがあり、心身の健康度を向上させる取り組みが必要であるこ ...
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JAIST Repository: 産官学セクター間に横たわる3つの障壁 : 価値基準のギャップ・技術のギャップ・組織のギャップ(産官学連携)
... はじめに : 主題と方法論 本研究は、 産官学のセクタ 一間に横たわる 根源的な障壁を、 価値規準のギャッ プ、 技術のギャップ、 組織のギャップの 3 つの側面から 捉えるとともに、 これら の ギャップを超克するための 政策的課題を 論考するものであ る。 本研究は、 1980 年代以降の今日的な 産官学連携への 要請を[r] ...
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JAIST Repository: MBEによる狭ギャップ半導体へテロ構造作製の研究
... A20p11 MBE によ に に に よる よ よ る狭 る る 狭 狭 狭ギ ギャ ギ ギ ャッ ャ ャ ッ ッ ップ プ半 プ プ 半導 半 半 導 導 導体 体ヘ 体 体 ヘテ ヘ ヘ テロ テ テ ロ ロ ロ構 構造 構 構 造作 造 造 作 作 作製 製の 製 製 の研 の の 研 研 研究 究 究 究 佐藤 英崇（山田研究室） ...
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非拡大写像および擬非拡大写像の不動点近似法について (非線形解析学と凸解析学の研究)
... 写像 $S:Carrow H$ が非拡大であるとは，すべての $x,$ $y\in C$ に対して $\Vert Sx-Sy\Vert\leq$ $\Vert_{X-}y\Vert$ が成り立つときをいう。 特に，非拡大写像 $S:Carrow C$ を $C$ 上の非拡大写像と いう。 写像 $f:Carrow C$ が縮小写像であるとは， $\theta\in[0$ , 1) ...
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擬非拡大写像の族に関する強収束定理(バナッハ空間、関数空間及び不等式の研究とその応用)
... $E$ の閉凸部分 集合とする。 $\{S_{k}\}_{k=1}^{N}$ を $C$ から $E$ への擬非拡大写像の有限な族とし, $\bigcap_{k=1}^{N}F(S_{k})\neq\emptyset$ を 仮定する。 ここで , $N$ はある正の整数である。 $\{\lambda^{k}\}_{k=0}^{N}$ を $(0,1)$ ...
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