揮発と不揮発
Cortex -M キャッシュコントローラを使って決定論的コード性能を達成する方法 TB3186 はじめに マイクロコントローラベース (MCU) の組み込みアプリケーションでは ソフトウェアは不揮発性メモリに保存して実行します この不揮発性メモリとは 通常はフラッシュメモリです フラッシュメモリは
... マイクロコントローラ ベース(MCU)の組み込みアプリケーションでは、ソフトウェアは不揮発性メモリ に保存して実行します。この不揮発性メモリとは、通常はフラッシュメモリです。フラッシュメモリはコー ドを保存して実行する効率的なメディアですが、フラッシュから実行する時に決定論的コード性能を制限 する多数の因子があります。決定論的コード動作に影響を与える重要な因子の 1 つがシステム バス マト ...
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代センサーネットワーク モバイル情報機器 サーバー等から研究開発実施者が想定するアプリケーションにおいて 劇的な低消費電力化を志向する新しいメモリアーキテクチャ 基本ソフトウェア アルゴリズムのデザインを提示するとともに 必要に応じて間歇動作等に求められる次世代不揮発性素子の性能を提示し システムと
... 最終目標（平成２７年度） 事業終了時に予測される次世代不揮発性素子の性能を満たすことを前提に、次世 代センサーネットワーク、モバイル情報機器、サーバー等から研究開発実施者が想 定するアプリケーションにおいて、劇的な低消費電力化を志向する新しいメモリア ーキテクチャ、基本ソフトウェア、アルゴリズムのデザイン を提示するとともに、 必要に応じて間歇動作等に求められる次世代不揮発性素子の性能を提示し、システ ...
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不揮発記憶機能が拓く新概念ロジックLSI設計技術とその将来展望
... 図 10 水平/垂直磁界印加機構付き 12 インチプローバに よる 300mm ウェハ上に実装されたチップの測定の 様子 力検証並びにレイアウト生成と検証（ DRC ， LVS ）ま でを一貫して行うことができる．図 9 は，本フローを 用いて初めて設計・試作された， MTJ/MOS 混載大規 模論理集積回路のチップ写真である [4], [5] ．本チップ は，動画像の動きベクトル検出処理のアクセラレータ として設計され， ...
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従来の限界を超える高温環境で動作する不揮発性メモリー
... ■ 研究の経緯 ■ 産総研は、次世代不揮発性メモリーの研究開発において電子素子の利用拡大を目指しており、その 一端として、世界にさきがけて金属原子のナノ構造を用いた不揮発性メモリーの開発に取り組んできた （2007 年 6 月 19 日産総研主な研究成果）。今回、千葉工大と産総研、物材機構の研究チームは、千葉 ...
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JAIST Repository: リソグラフィーレス液体ナノデバイス作製プロセスの基盤確立と不揮発性メモリ応用
... 本研究課題では、液体原料を用いたリソグラフィ－レスの全く新しいナノデバイス作製プロ セスを提唱した。最初に液体原料の基礎物性の理解から研究を開始し、強誘電体 Pb(Zr,Ti)O 3 （PZT） 、半導体 In-Zn-O(IZO)等の薄膜の形成実験を通して、液体原料の熱的性質と成膜特性お よび電気的特性との関連を明らかにし、原料溶液の設計指針を策定した。次に強誘電体ゲート ...
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Cover Story 特集 巨大市場が見えてきた新型メモリー PRAM(phase change RAM) や MRAM(magnetoresistive RAM) で巨大市場を獲る こうしたシナリオが現実味を帯びてきた メモリー大手各社が, 製品ロードマップにこれらの新型不揮発性メモリーを含める
... 市場動向 狙うは1000億円規模の売り上げ ケータイ，家電，自動車に搭載 新型不揮発性メモリーで1社当たり1000億円規模の売り上げを確保することが現実味を帯びて きた。米Intel Corp.や韓国Samsung Electronics Co., Ltd.，東芝，ルネサス テクノロジなど の大手LSIメーカーが，携帯電話機や家電，自動車といった巨大市場に向けた新型不揮発性メ ...
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様々な素材に塗布可能、白色発光する不揮発性液体を開発
... 込むことで、白色に発光するペースト状の材料とすることができる。白色発光する文字の印字や 大面積塗布、UV-LED 表面へコーティングを施した白色発光ライトなど、塗布しても高輝度の白 色で発光する材料を作り出すことに成功した。 ４．本研究では、青色発光する不揮発性の液体内に少量の固体色素を混ぜ込むだけという、非常に 簡単な操作のみで良質に白色発光する材料の開発に至った。この液体材料は、様々な形状の基材 ...
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不揮発性メモリを用いた単一レベル記憶OSにおけるファイルシステムAPI
... せることができる. 揮発性メモリを主記憶として用いた 場合も，固有のアドレスをメモリ上で持たせることがで きるが，電源を落とすとアドレス情報が消去されるので， メモリ上にマップされているファイルのアドレスの情報 は，ストレージデバイスに保管して起動時にストレージ 上のアドレス情報を利用してファイルをマップしなけれ ...ばならない. 不揮発性メモリを主記憶として用いれば，そ ...
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Ta2O5/TiO2積層構造における抵抗変化現象とその不揮発メモリへの応用
... ることによってスイッチングの繰り返しによる新たな伝導パスの形成を抑制するという当初のアイデアを支 持するものであり、フィラメント型抵抗変化メモリーの耐久性向上の 1 つの方策を与えたと考えられる。フィ ラメント型の高抵抗状態は伝導フィラメントが破断したものであることは間違いないが、（２）は破断箇所が 単純なポテンシャル障壁となるだけではなく、そのミクロな構造が伝導に影響することを示している。 RESET ...
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不揮発性半導体メモリに適用する薄いSiN膜の形成法と電荷捕獲中心モデルに関する研究-香川大学学術情報リポジトリ
... 第６章 SiN 膜の電荷捕獲中心起因の検討 6.1 電荷捕獲中心における 水素終端（H-Si），弱結合（Si-Si）モデル CVD 法による SiN 膜の成長過程において膜表面の Si 原子は H 終端されていると考 えられる．成膜ガスの挿入反応と H 脱離の反応を考慮すると，表面反応しそこなった Si-H 結合は膜中に取り残されることになる．また，ガス流量比の条件によって Si-Si ...
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MS916 バッチ操作ガイド FW バージョン 0.52 向け バッチ操作の基本 MS916 のバッチ操作について バッチ操作では 読取ったバーコードデータはすべて 不揮発性のメモリ (1MB ROM JAN-13 約 50,000 件 ) に保存されます メモリに保存されたデータは任意のタイミング
... バッチ操作の基本 MS916 のバッチ操作について ･ バッチ操作では、読取ったバーコードデータはすべて、不揮発性のメモリ （1MB ROM、JAN-13 約 50,000 件）に保存されます。メモリに保存さ れたデータは任意のタイミングで、Bluetooth 通信または USB ケーブルを 使用してホストへ送信することができます。 ...
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Microsoft PowerPoint _SACSIS_不揮発性メモリTutorial_公開版
... 90 高速で動作する大容量の不揮発性メモリが実現できれば、ワーキングメモリや論理回路 が不揮発化され、計算能力が必要な瞬間以外は常に電源が切れている新構造のコン ピュータ（ノーマリーオフコンピュータ）ができるのではないかとの”妄想“に魅せられた講演 者は、この 10年間ほど、磁性メモリMRAMの開発を通じて、その実現を目指してきた。そ ...
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不揮発性メモリを用いた障害後のプロセス復元手法
... 従来のチェックポイントシステムでは，プロセスのメモ リ空間やレジスタのみでなく，プロセスがどのファイルを 開いているかなどの情報もチェックポイントに含めてい る．プロセス再開後にそのような情報がなければ，ファイ ルの書き込み処理などをすることが出来ないからである． 本研究では不揮発性メモリを主記憶装置に採用した計算 機環境において，チェックポイントとしてチェックポイン トを取った時点のメモリ空間，レジスタの値を主記憶装置 ...
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JAIST Repository: 空間電荷分極を用いた有機不揮発性メモリー
... れ、イオンの再結合を阻止したと考察した。 【参考文献】[1] H. Sakai, K. Konno, H. Murata, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 073304. [2] K. Konno, H. Sakai, T. Matsushima, H. Murata, Thin Solid Films 2009, 518, 534. ...
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機能性ワックス添加剤 全製品一覧 1 ワックスの 不揮発 融点 分 ( ) (%) 標準添加量 (%) 適用系付与される機能適用分野備考水FDA適合溶剤系つや消しテクスチ スリ プ性アンチスリ プ耐摩耗性スリキズ防止耐ブロ キングソフトフ ル撥水性沈降防止光輝材配向性タイヤマ ク防ヒ ルマ ク防印刷
... （注）この資料は弊社の経験により最善と考えられるものですが、個々の塗料系については充分テストの上御使用下さるようお願い申し上げます。なお、一覧表に記載されていない製品につきましてはお問い合わせ下さい。 ※1 製品の配合上はトルエン・キシレンを含んでおりません。 ※2 製品の組成がそれぞれ以下のFDAの内容に適合（FDA compliant）しています。‘FDA approval’もしくは‘FDA ...
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BUNSEKI KAGAKU Vol. 59, No. 4, pp (2010) 2010 The Japan Society for Analytical Chemistry 329 ノート 薄層クロマトグラフィー / 水素炎イオン化法による土壌中の不揮発性汚染油分の選択的定量分析
... a) Commercially-supplied C crude oil was used as pollutant source oil. b) Others were obtained by extrac- tion with dichloromethane from commercially-supplied leaf mold. められなかった．一方，腐葉土抽出分も含むモデル汚染土 ...
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詳細な説明 研究の背景 フラッシュメモリの限界を凌駕する 次世代不揮発性メモリ注 1 として 相変化メモリ (PCRAM) 注 2 が注目されています PCRAM の記録層には 相変化材料 と呼ばれる アモルファス相と結晶相の可逆的な変化が可能な材料が用いられます 通常 アモルファス相は高い電気抵抗
... 呼ばれる、アモルファス相と結晶相の可逆的な変化が可能な材料が用いられま す。通常、アモルファス相は高い電気抵抗を有し、結晶相は低い電気抵抗を有 します。PCRAM では、異なる大きさの電気パルスを印加してジュール加熱する ことで相変化を可逆的に生じさせ、その変化に伴う電気抵抗変化を利用して情 報を記録します。現在、PCRAM 用の相変化材料には、Ge 2 Sb 2 Te 5 をはじめとする ...
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AD5259: 不揮発性、I2C 互換 256 ポジション、デジタル・ポテンショメータ
... ロケーション・バイトに格納存されています（図41を参照） 。 2つのEEPROMアドレス・バイトは、11110（符号＋整数）と 11111（小数）です。この2つのバイトは、2つの異なるコマン ドを使用して個別にアクセスできます（表15を参照）。また、 1つのコマンドで最初のバイトとその後に続く2番目のバイトを リードバックすることも可能です（表16を参照）。後者の連続 ...
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次世代高性能不揮発性メモリReRAM の研究開発
... t width 依存性 . t width < 10 s の高速パルス印加時に は水素イオンのみが (上図), t width > 10 s の低速 パ ル ス 印 加 時 に は 酸 素 イ オ ン と 水 素 イ オ ン の 両方が , それぞれ拡散することで抵抗スイッチ ...
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2012/06/04 ちんねんの徒然なる日記 ~ ~45 80~ Torr 以下 COPD 実質 呼吸筋 4. 酸性物質 不揮発性酸性物質 重炭酸 不揮発性酸性物質 呼吸性アルカローシス 5. 循環 血圧 低 6. 肺動脈 右心
... ５．生理学的死腔は（ ）と（ ）から成る。 ６．血中Ｈ＋の増加に対して反応する化学受容体は（ ）である。 ７．ARDS の病態は肺微小血管の（ ）性肺水腫であり、その機序は原疾患により異なる。有毒 ガスの吸入や誤嚥では直接的に肺胞上皮細胞や毛細血管（ ）細胞が障害される。各種（ ）に伴 うエンドトキシン血症では、マイクロファージから各種サイトカインが表出され、さらに接合分子 により（ ...
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