形半導体中の少数キャリア（電子）
高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究
... 例えば、 PiN ダイオードに関して言えば、伝導度変調が生じる際に考慮すべきキャリア寿命は、熱 平衡状態における耐圧維持層の多数キャリア密度を上回る高レベル注入状態のキャリア寿命であり、一 方、スイッチング特性に関して、ターンオフ時の逆回復時間や損失を議論する領域は、主に低レベル注 入状態のキャリア寿命が焦点となる ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... をとるには、技術を何らかの形でオープンにすることが不可欠だということである 11 。 ６．結論 日本の半導体産業は、長いトンネルを抜けて「復活」の時期を迎えたともいわれる。メ モリでは、回路の微細化が極限に近づくにつれて従来のプロセス技術を根本的に見直す必 要が生じ、日本メーカーの競争力が相対的に回復している。携帯電話やデジタルカメラな ...
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Hall効果測定による化合物半導体中の不純物準位の評価に関する研究
... 1.2 4H-SiC パワーデバイスは大電流・低電圧の ON 状態と大電圧・低電流のオフ状態との間を高速ス イッチングすることで、 DC・AC 変換、DC・DC 変換などの電力変換をおこなうデバイスで ある。パワーデバイスに要求される主な特性は、高耐電圧、低オン抵抗、高速スイッチング、 低スイッチング損失である。現在、パワーデバイスのほとんどは Si ...
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- Executive Summary - 中国のエレクトロニクス業界では 中資系メーカーの業績が拡大し 日系サプライヤーにとってもどのように中資系メーカーに食い込むかが重要課題となっている 最終製品メーカーを頂点としたサプライチェーンが形成されていた従来と異なり 最近は半導体 電子部品 ハード ソ
... 加えて、スマートフォン、タブレット PC は、需要の牽引役が先進国から中国をはじめとする 新興国に移ってきている。特にスマートフォンは 2012 年に中国が出荷台数ベースで北米を追い 抜き、中国が世界最大の需要地域となった。中国のスマートフォン市場では、Samsung や Apple が高いシェアを持っている一方、中資系メーカーも市場全体の 2/3 ...
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(215) 121 MBE 法による GaN 単結晶基板上への Ⅲ 族窒化物半導体のホモエピタキシャル成長 田邉智之 ( 電気電子工学専攻 ) 渡邉肇之 ( 電気電子工学科 ) 小野基 ( 電気電子工学科 ) 南場康成 ( 電気電子工学専攻 ) 倉井聡 ( 電気電子工学科 ) 田口常正 ( 電気電子
... の回折ピークである。フィッティングを行っ た結果を同図に示してあり、半値幅は GaN 単 結晶が 53 arcsec.で、ホモエピタキシャル GaN 薄膜が 89 arcsec.である。このように基板とエ ピタキシャル薄膜とで格子定数が異なるのは、 GaN 単結晶の高キャリア密度や高点欠陥密度 によるものと考えられる。格子不整合率 ( ∆ a/a) ...
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半導体物理講義ノート 2017 年 0823 版 目次バンド構造概論 金属の自由電子模型 電子の状態密度 フェルミ (Fermi) エネルギー フェルミ球 確率の保存則 バンド理論 結晶の格子ベクトル--
... 立つ。同様の仮定を空乏層とｎ領域ですれば、 n ( x p ) n p exp e V / k B T が成り立つ。 また、外部電場がある場合でも、ｐ領域の正孔密度はアクセプター準位の濃度に等しいと仮定した。この仮 定は、少数キャリアーの注入と矛盾する仮定である。ｐ領域で考えると、外部電圧により電流を注入する状況 ...
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半導体デバイスの信頼性
... 光学損傷の発生原因は、活性層の反尃面近傍領域がレーザ光に対する吸収領域になっていること にある。GaAs や InP などの結晶表面には表面準位が多く、これを介した非発光再結合が多い。 反尃面近傍の活性層のキャリヤーはこの非発光再結合によって失われるから、反尃面近傍の活性層の ...
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通信用半導体レーザの開発
... ス の 低 減 を 行 っ た 。 図 3 に 示 す 、 GaInAsP レ ー ザ の ト レ ン チ 部 分 を 低 誘 電 率 ポ リ マ ー （BCB ： Benzocyclobutene）で埋め込み、デバイスの静 電容量を低減することで、高周波帯域を 15GHz まで改善 した。これによって、10Gbps Ethernet 対応の無温調デバ ...
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米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不
... も本格拡充させている。また研削工程を省くスカイビング加工機などは多品種少量生産効 率を格段に向上させる可能性を秘めている。さらに 3D 金属加工機も投入が始まり、ソディ ック、松浦機械（未上場）は専用機を販売、従来では加工不可能な形状の金型製作が可能と なっている。さらにレーザー加工機もファイバーレーザー搭載で多機能な加工で威力を発 揮、アマダ、三菱電機など、レーザー発振器も内製し、さらなる機能向上を図っている。こ ...
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貿易関係を変える日韓企業のサプライチェーン－電子・半導体産業にみる求心力と遠心力
... 位の東芝の約倍のシェアを占めている。 半導体産業は90年代後半までアメリカや 日本が競争力を有し、韓国はこれらを追う地 位にあった。その後、メモリ分野に特化する 形で海外から積極的な技術導入、製造装置の 輸入、半導体先進国との合弁企業設立を推進 した結果、急速なキャッチアップを成し遂げ、 ...
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両社とも一致し 本提携に合意いたしました 当社グループの持つ幅広い顧客チャネルと世界中の半導体 電子部品のラインナップ PCIHD グループの持つエンベデッドソリューション 半導体トータルソリュー ション技術の融合により 両グループ事業領域の飛躍的な拡大 持続的発展を目指します 本提携によって想定さ
... PCIHD グループは、IoT/IoE ソリューションを成長戦略のひとつと定め、強みである自動車・車載向け組 込みソフトウェア開発及び通信制御技術を用いた「エンベデッドソリューション事業」を基軸とした IoT/IoE ソリューションの提供、M&A を通じた事業規模拡大を図るとともに、 「半導体トータルソリューシ ...
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半導体パッケージの反りと残留応力評価および応力 に起因する電子デバイスの電気的特性変動評価 平成 25 年 2 月 松田和敏
... 6.3 評価方法の概要 実際の積層構造パッケージにおいて発生した問題を解決するためには，三次元高密度 パッケージ中の残留応力とデバイス特性変動の予測技術の確立が必要になる．デバイス 特性の応力効果による変動の評価方法として，最も簡単なものはピエゾ効果を利用した ...
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ディスクリート半導体の基礎
... ② Nch MOSがオン状態になるとコレクタ電極が＋電位で有るため、コレクタ側のP+層からN+層を経由してN-層に 正孔(ホール：＋電荷)が注入され、この注入された正孔によりエミッタ側からの電子の注入が加速されます。 ③ その結果、本来高抵抗層であるN-層における電子・正孔量すなわちキャリア量が増加しN-層の抵抗値を下げる ...
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Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit
... プラグ構造のコンタクト抵抗は通常、2～4Ω/個とされている。この抵抗の数倍～十倍程度 の高抵抗は一般的にはプロセスの不安定性に由来するものとされ、回路的にも動作マージン を見込んで設計されている。しかしながら長期にわたる使用条件や一定の信頼性加速試験環 境においては、初期には検出されない高抵抗原因となることが懸念される。よってこれらの数 ...
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ディスクリート半導体の基礎
... ② Nch MOSがオン状態になるとコレクタ電極が＋電位で有るため、コレクタ側のP+層からN+層を経由してN-層に 正孔(ホール：＋電荷)が注入され、この注入された正孔によりエミッタ側からの電子の注入が加速されます。 ③ その結果、本来高抵抗層であるN-層における電子・正孔量すなわちキャリア量が増加しN-層の抵抗値を下げる ...
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半導体工学の試験範囲
... （１） ｐｎ 接合の無バイアス状態、順バイアス状態および逆バイアス状態のバンド帯図を描け。 （２）真性半導体のキャリア密度を ｎ i 、熱平衡状態における ｐ 領域とn領域の正孔密度、伝導電子密度 をそれぞれp p 、n p 、および、n n 、p n で表すと,これらの間にはどのような関係が成立するか。 ...
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半導体中の単一磁性原子スピンの光による制御 : 正孔-Mnスピン結合系およびCrスピン
... 第 1 章は本論文の理論的背景の紹介に充てられており、半導体の性質、ドットにおける量子閉 じ込め、キャリアと磁性スピン間の交換相互作用についての説明が与えられた後、特に本研究で 重要となる Mn および Cr スピンとキャリア間の交換相互作用に関する詳しい説明が与えられてい る。 ...
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SiC半導体
... ることから，特に配管，反応管等の残留窒素濃度低減 のため，タ−ボ分子ポンプにより10 –6 Torr 程度までの 真空引きが可能な構成としている。石英の軟化点を越 えるような高温での成長に耐えるため，反応管は水冷 二重構造の石英管とし，高周波誘導加熱によるコ−ル ドタイプを採用している。サセプタはSiCコ−トした ...
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互作用によって強磁性が誘起されるとともに 半導体中の上向きスピンをもつ電子と下向きスピンをもつ電子のエネルギー帯が大きく分裂することが期待されます しかし 実際にはこれまで電子のエネルギー帯のスピン分裂が実測された強磁性半導体は非常に稀で II-VI 族である (Cd,Mn)Te において極低温 (
... （注１）強磁性半導体： 半導体と強磁性体（磁石）の両方の性質を併せ持つ物質であり、スピントロニクス材料として 用いられる。現在は、主に半導体（ II-VI 族、III-V 族）の結晶成長中に磁性不純物（Mn、Fe、 Co など）を添加した材料が主流である。典型的な強磁性半導体ではキャリア誘起強磁性（すな ...
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中間バンド型量子ドット太陽電池に向けた多重積層半導体量子ドットのキャリアダイナミクス
... d=15 nm で寿命が増加傾向にある点は, 熱エネルギーに よって , QD 内の電子が熱励起されたことによる寿命の増 加だと考える . また d=7 nm, 3.5 nm についての寿命の温度 特性結果について ,温度に依存せずおおよそ一定であるこ とは , ドットが積層方向で結合し, 閉じ込め次元が減少 し , 1 ...
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