大面積シリコンドリフト
エネルギーを測る Ⅰ 半導体検出器 ( 高純度ゲルマニウム検出器 シリコンドリフト検出器 ) 伊藤真義 財高輝度光科学研究センター 兵庫県佐用郡佐用町光都 谷田 肇 財高輝度光科学研究センター 兵庫県
... 4.4 検出器の劣化 放射光実験では，高計数率で使用する場合が多いために 劣化や損傷に気を付ける必要があります。大強度 X 線を 入射すると，素子や前置増幅器の回路にパルスが連続的に 入り，直流電流が流れるのと同様なショート状態になり破 壊されることがあります。また，半導体検出器は長期間使 用していると劣化します。キャンベラ社は，GeSSD をで きるだけ常時冷却するように推奨しています。室温ではわ ず か で す が ...
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リチウムイオン電池用シリコン電極の1粒子の充電による膨張の観察に成功
... 充放電反応に伴う大きな体積変化のメカニズムの解明、およびそのコントロールが最重要課題である。 ３．首都大学東京の研究グループは、リチウムイオン電池用電極材料の 1 粒子に対し、電気化学測定を行う、 いわゆる単粒子測定システムの技術を確立した。本研究では、同システムを物質・材料研究機構ナノ材料 科学環境拠点の超乾燥実験室に導入し、次世代負極材料と目されるシリコンの 1 粒子(10~20µm)に対し、 ...
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シリコンカーバイドパワーMOSFETsの破壊耐量ならびにそのメカニズムに関する研究
... 第３章では、 SiC n チャネル MOSFET の UIS 耐量ならびに負荷短絡耐量について市販 1200V クラ ス SiC-MOSFET を用い詳細な解析がなされている。まず UIS 耐量について、デバイスシミュレーション の結果から、素子内部温度が 1551K に達し熱暴走により寄生 npn トランジスタが動作することで大電流 ...
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CPUパッケージに搭載可能なTbps級シリコンフォトニクス光送信器技術
... ズ整合と導波路位置整合が必要になる。しかし， Si細線光導波路は光信号を非常に小さな導波路コ アに強く閉じ込めるため，導波路端でのスポット サイズは1 µm以下とSOA導波路端のスポットサイ ズ（2 ∼ 3 µm）より小さくなる課題があった。そ こで，Si細線光導波路の光入出力部に3×3 µmの 誘電体（SiON）導波路コアを覆い被せる形で形成 し，Si細線光導波路を伝搬する光パワーをよりス ...
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LSI間を高速･高密度･低消費電力で接続するシリコンフォトニクス光トランシーバー
... トニクスにおけるPDの受光部材料として有望であ る。PDには，小型で低抵抗・低容量（高周波応答 特性），高い受光感度，広い応答波長帯域が求めら れる。一般に，PDの素子サイズを大きくすれば感 度は改善するが，フットプリントや素子容量の面 で不利になり，トレードオフの関係にある。また， 受光感度や高周波応答特性は，TIAをはじめとす る受信回路の設計である程度カバーできるが，送 受信系全体の消費電力や受信回路面積とトレード ...
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工場 倉庫 プラント工法 戸建 住宅 マイホーム工法 屋根用高日射反射率塗料 JIS K 5675 準拠 シリーズ シリーズ 弱溶剤系フッ素樹脂 水系フッ素樹脂 弱溶剤系シリコン樹脂 水系シリコン樹脂 弱溶剤系ポリウレタン樹脂
... 工程 使用塗料 （RMシンナー） 希釈割合 塗装方法 塗回数 （回） （kg/㎡/回） 塗付量 （㎡/セット） 塗面積 （23℃） 可使時間 工程内 塗装間隔（23℃） 工程間 最終養生 ※下塗りとして、マイルド浸透シーラー＋快適サーモプライマーでも塗装可能です。※塗付量にシンナーは含まれていません。塗付量は条件により増減します。 下塗り 快適サーモマイルドシーラー 白 主剤 10kg 硬化剤 1kg 4L ハケ・ローラー ...
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シリコン超集積化システム第165委員会 プログラマビリティを実現する アーキテクチャとその進化
... 23.. FPGAとASICを比較すると、ASICの方が高速、低消費電力です。それなのになぜ FPGAがASICの市場を取り込んで成長しているのでしょうか？それは最近のプロセ スが最初の1個を作るまでのコスト（Non-Recurrent Costと呼びます）が高騰している ためです。これは、複雑なマスクパターンをいくつも使って作るため、マスク代自体と 設計費用が膨大にな[r] ...
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シリコンにおける非弾性変形開始時の局所力学状態に関する分子動力学的研究
... として評価した．1 ⃝の結晶方位 [100]，[110]，[111] の単結晶シリコン，2 ⃝のバンブー構造 へそれぞれ下向きに変位を与えて押し込みを行ったときの力−変位関係を図 5.2(a) ∼(d) に示す．力−変位関係では単結晶とバンブー構造に大きな差は無い．押し込んだ表面 原子に与えた変位速度がやや大きいために表面原子が結晶内に押し込まれ，その反力 ...
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商 品 名 :CYBER コントローラーシリコンカバー(PS4 用 ) カラー:ブラック/ブルー/レッド セット 内 容 :コントローラーシリコンカバー 本 体 1 素 材 :シリコンラバー PS4 用 コントローラーをやさしく 包 み 込 み キズや 汚 れから 守 るカバー 表 面 にゴミやホコ
... ・PS4用コントローラーをのせるだけで、2台同時に充電できるスタ ンド ・付属のUSBケーブルで、PS4本体などのUSB端子から充電が可能 ・コントローラーに別売の『CYBER・コントローラーシリコンカバー ...
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TC74HC7266AP/AF 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC7266AP,TC74HC7266AF Quad Exclusive NOR Gate TC74HC7266A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS エクスクルーシブ NOR ゲート
... 注 1: 絶対最大定格は､瞬時たりとも超えてはならない値であり､1 つの項目も超えてはなりません。 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても､高負荷 (高温お よび大電流/高電圧印加､多大な温度変化等) で連続して使用される場合は､信頼性が著しく低下するおそれが あります。 ...
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3C-SiCの部分転位とシリコンのシャフルセット完全転位の移動度に関する反応経路解析
... （ 3C-SiC の部分転位とシリコンのシャフルセット完全転位の移動度に関する反 応経路解析） 本論文では、原子レベルの解析手法である反応経路解析を使って、 3C-SiC に おけるショックレー部分転位及びシリコンにおけるシャフルセット完全転位の 移動度を調べたものである。転位の移動度に関連するキンク生成及びキンク移 動の活性化エネルギーの応力依存性を、分子動力学をベースとした反応経路解 ...
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第 1 章 建物概要 1-1 建物の概要 所在地芽室町東 1 条 8 丁目 1 番地 構造規模鉄筋コンクリート造一部鉄骨造 2 階建地下 1 階 敷地面積 21, m2 延べ面積 2, m2 1 階床面積 2, m2 2 階床面積 m2 地階床面積
... 竣工時は、冬季間プール部分をゲートボール場での使用としていた設計条件が、近年プー ルの通年利用となったため、暖房能力の不足、外壁サッシの断熱不足により内部結露の発 生が問題となってきております。 以上のような経緯を踏まえ、大規模な改修を行い、利用者に快適に使用していただくことを 目的に基本設計を検討します。 ...
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4. サービスに係る施設 設備等の概要 (1) 施設 建物 構造 RC 造鉄筋コンクリート3 階建 敷地面積 m2 延べ床面積 m2 短期居室 1 号室床面積 ( ベッド ) 16.16m2 2 号室床面積 ( ベッド ) 16.05m2 3 号室床面積 ( 畳 ) 16.0
... 尿器科、産婦人科、眼科、耳鼻咽喉科、リハビリ テーション科、脳神経内科、放射線科、麻酔科、 透析科、健診科、歯科 有 上記の他、各専門医に協力依頼しております。 １９． 非常災害時の対策 非常時の対応 別途に定める、消防計画書により対応いたします。 平常時の訓練 別途に定める、消防計画書により、年２回以上、避難・防災 訓練を、利用者の方も参加して実施しま[r] ...
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1 研究実施の概要 (1) 実施概要本研究では柔軟で面積の大きい自己組織化グラファイトシートを基板材料とする半導体エレクトロニクスの開発を行った 安価で柔軟な大面積材料上に半導体薄膜が成長可能となれば 従来の単結晶ウェハーの持つ価格が高い 堅くて脆い 面積が小さいといった問題点を一挙に解決でき 従来
... - ２ - §１ 研究実施の概要 （１）実施概要 本研究では柔軟で面積の大きい自己組織化グラファイトシートを基板材料とする半導体エ レクトロニクスの開発を行った。安価で柔軟な大面積材料上に半導体薄膜が成長可能となれ ば、従来の単結晶ウェハーの持つ価格が高い、堅くて脆い、面積が小さいといった問題点を ...
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豊田工業大学ナノテクノロジープラットフォーム LeafLetシリコンと各種物質のナノ微細加工によるハイブリッド化ものづくり
... マスクレス露光装置 大日本科研 MX-1204 ・ 5 ｍｍ角～ 150 ｍｍ角基板対応 ・φ4インチ内の2μｍ L&S 全面描画時間 30 分程度 クリーンルームを備え、電子線描画や酸化・拡散炉など、微細加工に必要な標準 ...
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シリコン結晶化過程の分子動力学
... 1.1.2 シリコン結晶 デバイスとして用いられるシリコンの状態は，単結晶，多結晶，アモルファスの三つに分けら れる．デバイスとしての性能は当然結晶性が高いほど良くなるが，その分コストもかかる．一般 にシリコンの結晶状態を作るには，一度融点 (1690K) 近くまで加熱し融解させた後再結晶化させ るため，1400℃以上の温度に耐えうるルツボや石英プレートを用いなければならず，製造コスト ...
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保存 補綴用器材編 中分類名 : 小分類名 : シリコンポイント メーカー ( 株 ) 松風 商品名 シリコンポイントMタイプ HP CA ( 株 ) 松風 シリコンポイントハード HP CA ( 株 ) 松風 シリコンポイント HR タイプ HP ( プレシャス合金仕上げ研磨用 ) 研磨力に優れて
... シリコンポイントMタイプ HP・CA （プレシャス合金仕上げ研磨用） 研磨力に優れており、M2（細粒：茶）→ M3（微粒：緑）の順に研磨することによ り、鏡面仕上げが可能となります。 ■種類： M1(黒：粗)、M2(茶：細)、M3(緑：微) ■形態：（HP）8種、（CA）6種 ...
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長時間一定負荷運動時の心拍ドリフトと自律神経活動の関係
... 解析ソフトの心拍ゆらぎリアルタイム解析システム（MemCalc/Tarawa，GMS）を用いて最 大エントロピー法によりR-Rデータを周波数解析した。高周波帯域（High Frequency：HF）が 0.15-0.4 Hzをとし，低周波帯域（Low Frequency：LF）が0.05-0.15Hzをとした。副交感神経活動 指標としてHF，また，交感神経活動指標としてLH/HF比を用いた 9 ...
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資源循環 エネルギーミニマム型システム技術 平成 12 年度採択研究代表者 小林光 ( 大阪大学産業科学研究所教授 ) 新規化学結合を用いるシリコン薄膜太陽電池 1. 研究実施の概要昨年度までの研究で シアノイオン (CN - ) は シリコン中 ( 特に多結晶シリコンやアモルファスシリコン中 )
... (1) 新規欠陥消滅法による太陽電池メーカー製造の微結晶シリコン太陽電池の高効率 pHを4、8、9、10に調整した4種類のHCN水溶液中にpin構造を持つ微結晶シリコン太陽 電池を室温で2分間浸漬した。この処理の後、室温の超純水で10分間洗浄した。微結晶 シリコン太陽電池は、ガラス/TCO/微結晶p層/微結晶i層/微結晶n層/ZnO/Agの構造を持 ...
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5 シリコンの熱酸化
... ハを使いかつ酸化･アニール条件を適正化してその発生を抑制する。可動性イオンの 最大原因は作業環境から入り込む Na + であり、対策はクリーンルームの管理である。 Si結晶境界面のダングリングボンド(不対電子対)は大部分は酸素原子と結合するが残 されたものは水素原子でターミネイト (terminate：終端)する。そのためにICパケージの ...
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