多結晶配向中間薄膜とその製造方
JAIST Repository: スパッタ非晶質シリコン膜の瞬間結晶化による高品質多結晶シリコン薄膜形成
... (4)図 5 に、スパッタ a-Si を用いて作製した poly-Si 膜の表面写真を示す。フラッシュラ ンプ光には、分散パルスによる疑似的なミリ 秒光を用い、分散パルスの周期を系統的に変 化させて照射を行った。その結果、poly-Si 膜表面にマクロな縞模様が形成され、この縞 模様の間隔が、分散パルスの周期によって変 化していることが分かる。従って、この縞模 様の間隔から、横方向結晶化速度の導出が可 ...
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1.1 市場投入される太陽電池の商品化状況 単結晶 Si 大規模商業生産 多結晶 Si 大規模商業生産 シリコン リボンSi アモルファスSi 小規模 ~ 中規模商業生産 小規模 ~ 中規模商業生産 多結晶 Si 薄膜 小規模商業生産 球状 Si 研究開発段階 ~ 商業生産準備中 太陽電池 III-
... ☆ 中国太陽エネルギー学会 • ロードマップを策定（標準成長ケース ⇒ 2006年：10GW 2030年：40GW） ☆ 太陽電池メーカー • Suntechの躍進、2002年8月に生産を開始し、2005年生産量世界第7位に、ニューヨーク証 券市場に上場（生産能力：2005年・150MW/年⇒2006年・240MW/年⇒2010年・1GW/年） • ...
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JAIST Repository: 単結晶YSZ薄膜上へのPZT薄膜の低温形成
... リとして期待されている。通常、その構造には、 Si 基板中への強誘電体材料の拡散や反応 などの抑制を行なうために基板と強誘電体薄膜間にバッファ層を形成している。本研究で は、強誘電体材料として PZT( チタン酸ジルコン酸鉛 ) 、バッファ層として YSZ( イットリ ア安定化ジルコニア ) を用いて、 MFIS 構造を作製しているが、この構造では、ゲート電 ...
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IRUCAA@TDC : 正方晶ジルコニア多結晶体と前装陶材の焼付強さの検討 : 中間層セラミック
... 目的：インプラントは顎骨と結合しており，荷重は 直接周囲顎骨に伝達される。歯根膜による緩衝機構 を有する天然歯とは支持様式が異なることから，常 に力学的要因を考慮する必要がある。近年では歯科 インプラントに関する生体力学的研究として，三次 元有限要素法（FEM）を用いた解析が行われてい る。FEM を用いた研究のほとんどは，海綿骨を一 塊のブロックとして均質化した等価材料モデルを作 ...
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結晶軸配向制御による超高性能多層膜型ナノコンポジット永久磁石の創製
... マイクロマグネティツクスを用いた計算と実験結果の比較により､ Nd-Fe-B/a_Fe間の 交換結合の強さは､.Nd-Fe-B / Nd-Fe-B間のそれの約10% (2.0×10-3 J血2)程度である ことがわかった｡ 2､ Nd･Fe･B/a･Fe系3次元分散型ナノコンポジット薄膜【7, 10】 上記の多層膜系においては､ソフトおよびハード層の膜厚を変えることによ[r] ...
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JAIST Repository: Cat-CVD 多結晶シリコン膜の異方性電気伝導とそれを利用した構造評価
... 結果および考察 障壁を考慮した場合と無視した場合とで、算出した各構成相の伝導度に差異は 見られず、膜中の伝導は結晶粒界ではなく構成相の特性に支配されていることが示唆された。図 2 には、障壁を無視したモデルを用いて算出した、結晶化率 70 ％ならびに 90 ％の試料の結晶相の 伝導度 c の ...
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革新的超硬質材料の創製 ～バインダレス ナノ多結晶ダイヤモンド・ナノ多結晶cBN～
... により、それぞれの相転移経路が変わる。出発物質の結晶性 が高くて、かつ圧力が高い程、低温域で無拡散型転移の割合 が多くなる。この場合は、準安定高圧相である六方晶型ダイ ヤモンド（hexagonal Diamond）やウルツ鉱型BN（wurtzite Boron Nitride：wBN）が中間相として変換過程で一度生成 するがそのまま温度を上げていくとおよそ2100℃以上でほ ...
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Ge2Sb2Te5薄膜の高速結晶化
... GeTe では保持している結合ユニットが異なる。Ge 2 Sb 2 Te 5 は正方形の秩序を持った偶数員環ユニットを多 数保持して形成される。多くの偶数員環ユニットは､4 つの原子の結合から成る正方形ユニット(４員環)を基 本構造としているので､わずかな結合の組み替えによって､容易に小さな４員環へと変化できると考えられる。 (図 1.4.1 StageⅢ) ...
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JAIST Repository: レーザー照射自己誘導エネルギー強度分布によるシリコン薄膜の周期的構造形成およびその結晶性に関する研究
... TFT）の作製が挙げられる。poly-Si 薄膜を得る方法として、基板上に堆積した非晶質シリコン （ a-Si）薄膜にナノ秒オーダーのパルス幅を持つパルスレーザーを照射し、瞬間的に a-Si を溶融、 結晶化させ、実効的に低温で poly-Si 薄膜を作製するパルスレーザーアニール（PLA）法がある。 しかし、現在の PLA ...
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IRUCAA@TDC : ヒト無歯下顎骨前歯部皮質骨における生体アパタイト（BAp）結晶配向性
... 造用レジン（クリアフィル Ⓡ DC コア オートミック ンセメントと根管象牙質間での界面破壊が多く見ら ス Ⓡ ONE，クラレノリタケデンタル）を用いて作製 れた。ULR と PAF では FRC ポストと支台築造用 した。作製したポストはパナビア Ⓡ ...
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薄膜結晶成長の基礎4.dvi
... 一般に，拡散場中での成長パターンは開いた構造を持つ．等方的な界面の成長パター ンはランダムなフラクタルとなるが，結晶の場合には雪に見られるような規則性を持っ たものとなる．この原因は結晶の規則的な原子配列にある．結晶の格子構造が，巨視 的には表面のスティフネスやカイネティク係数の異方性として現れるのである．この ...
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IRUCAA@TDC : ヒト下顎骨および上顎骨前歯部皮質骨における生体アパタイト結晶配向性解析
... カニカルストレスによって構造的な変化を生じるこ とが知られている。しかし，そのメカニズムに関し ては報告が少ない。これは骨に加わるメカニカルス トレスの影響を評価することが容易でないことに起 因する。近年，骨質を構成する一つである生体アパ タイト（BAp）結晶の配向性が，局所応力と密接 に関連することが報告された。すなわち BAp 結晶 ...
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欠陥修復した酸化グラフェンから優れた電気特性をもつバンド伝導の観察に成功 ～高結晶性グラフェン薄膜のスケーラブル製造への道筋を開拓～
... 一方、酸化グラフェンは親水性のため水によく分散させることができるので、その水溶液を基板上に滴下して水分を 飛ばし還元するだけで、容易に厚さ 1-3 層分の薄いグラフェン薄膜を形成させることが可能となります（図 2(b)）。その ため、グラフェンを大量に合成する原料として、酸化グラフェンの合成法や還元法が世界中で研究されています。 ...
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JAIST Repository: セルロースナノペーパー上の結晶化シリコン薄膜による薄膜トランジスタの作製
... 研究成果の概要（和文）：セルロースナノペーパー(CNP)上のSi膜の結晶化を低温で促進するために、多結晶YSZ 膜をスパッタ堆積した。その際のCNP膜の熱的損傷を低減するために、熱的緩衝層として有機絶縁物Zeocoatと酸 化Siの塗布膜を、また、試料と試料ホルダーとの間に放熱グリスを用いた。その結果、CNPの損傷が無く、厚さ ...
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高感度炎センサの実現に向けた酸化ガリウム結晶薄膜の作製
... キーワード : 炎センサ，紫外線検出，酸化ガリウム，ミスト CVD 法 １． はじめに 地震に付随する重大な災害に大規模火災がある．1995 年の阪神・淡路大震災では火災が被害を拡大させた．上 空から火災が生じたことを広域検出できれば，火災被害 の拡大防止や初期対応をとることができる．炎の検出方 法には，周辺温度を感知する方法や近赤外線を感知する 方法がある．周辺温度を感知する方法は，熱源との距離 ...
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JAIST Repository: 金属/YSZ/Si構造上への単結晶強誘電体PZT薄膜の作製
... 待されている。この MFIS-FET では、 Si 基板中への強誘電体材料の拡散や反応などの抑 制の目的で、 Si と強誘電体薄膜間にバッファ層を挿入している。以前本研究室では、 PZT 薄膜のバッファ層としてエピタキシャル (100)YSZ 薄膜を用いていたが、 YSZ と PZT の 格子不整合が 10.8% ...
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気相法によるZnSe 単結晶成長とその応用
... 。この方法は、輻射冷却を利用するこ とで、種結晶を局所的最低温度とすることにより熱的に安 定化し、再昇華によるボイド発生を抑制しようというもの である。石英アンプル下端に両端面を研磨したサファイア 製ロッドよりなる台座を配置し、種結晶は台座上に配置す る。台座としてサファイアを用いているのは、ZnSe 結晶 成長温度である約 1100 ℃において熱的に安定であり不純 ...
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報道発表資料 2000 年 2 月 17 日 独立行政法人理化学研究所 北海道大学 新しい結晶成長プロセスによる 低欠陥 高品質の GaN 結晶薄膜基板作製に成功 理化学研究所 ( 小林俊一理事長 ) は 北海道大学との共同研究により 従来よりも低欠陥 高品質の窒化ガリウム (GaN) 結晶薄膜基板
... の GaN 層再成長過程では、結晶成長が通常の縦方向だけでなく、マスクを覆い隠 すような形で横方向に成長するため、縦に走っていた結晶欠陥（転位）が横方向に 曲げられ、マスク中央部あたりで左右から来たものがぶつかり合い、消滅します。 しかしながら、このマスク中央部の合わせ目やマスク開口中央部で結晶欠陥（転位） が残留することが多くあり、それらを低減することは非常に困難です。そのため、 ...
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多結晶Fe-Mn-Cオーステナイト合金の微視的塑性変形
... 4 多結晶 Fe-Mn-C オーステナイト合金の微視的塑性変形 第 65 巻 第 1,2 号 した試験片において回折強度が特に増大した α 2 からも同様の解析により面間角 ρ 2 を求め，引張軸方 向に強く配向している結晶粒の方位を求めた． Fig.4(a) に (111) 面における立方晶のステレオ投影図 の 1/4 上に， 10% ...
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IRUCAA@TDC : №１：デンタルインプラント周囲顎骨における生体アパタイト結晶配向性
... かしながらこれらの複合要因を切り離して考えるこ とは難しいため，加齢にともなう骨粗鬆症と閉経後 骨粗鬆症の複合発症における病態は不明な点が多く 残されている。特に，顎骨は骨粗鬆症の影響を受け にくいといわれているが諸説あるため，他の長管骨 と比較，精査する必要がある。そこで本研究では， 老化促進モデルマウス P６系統を用いてそれぞれの 骨粗鬆症における単独発症・複合発症モデルを作製 ...
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