外部フラッシュメモリ
External Flash Definition Editor （外部フラッシュ定義エディタ） ユーザーズマニュアル
... 「外部フラッシュダウンロード機能」と呼びます。 External Flash Definition Editor（以降、EFE と呼びます）は、外部フラッシュダウンロード機能を使用するため に必要となる、定義ファイルの作成を行うユーティリティソフトウェアです。 EFE ...
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フラッシュメモリ
... 1984年、東芝は次世代を担う新しいタイプの半導体メモリとして、 フラッシュメモリを開発。世界に先駆けて実用化を果たしました。 その後、NAND型フラッシュメモリは、各種メモリカードやSSD、更には産業機器などの応用機器に採用され、今や世界標準のデバイ ...
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フラッシュメモリの価格ダウンにより SSD 市場が急拡大 SSD はフラッシュとメモリコントローラ IC および周辺回路をプリント基板に搭載したデバイスです 機器組み込み用のモジュールタイプのほか HDD と同サイズでパッケージされたタイプがあります HDD と同じインタフェースを備え 容易に置き換
... シリアル ATA 3Gb/s 対応ハーフスリム SSD 浮遊ゲートを付加した MOS-FET をメモリセル ( 記憶 素子 ) として、これをシリコンウエハ上で碁盤目状に多 数集積して製造されるのがフラッシュメモリチップで す。碁盤目状に配置されたセルどうしはワード線、ビッ ト線、ソース線で結合されます。フラッシュメモリに は NOR 型と NAND 型があります。セルの基本構造 ...
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外部メモリ・インタフェース・ハンドブック Volume 3: アルテラ・メモリ・インタフェースIPの実装; セクション I. DDR およびDDR2 SDRAM 高性能コントローラ およびALTMEMPHY IP ユーザーガイド
... 入力 セルフ・リフレッシュ機能のユーザー・コントロール。 Enable Self-Refresh Controls オプションがイネーブルされるとき、コント ローラはこの信号をアサートすることによって、セルフ・リフ レッシュ・ステートにメモリ・デバイスを配置するのを要求する こともできます。 コントローラは、関連タイミング・パラメータに 違反しないで、できるだけ早期にメモリをセルフ・リフレッシュ ...
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V850ES/Fx3, V850ES/Fx3-L 32ビット・シングルチップ・マイクロコントローラ フラッシュ・メモリ・プログラミング（プログラマ編）AN
... リセット機能を持つデバイスの電源投入後は，まずリセット動作を実行してください。 ⑤ 電源投入切断順序 内部動作および外部インタフェースで異なる電源を使用するデバイスの場合，原則として内部電 源を投入した後に外部電源を投入してください。切断の際には，原則として外部電源を切断した後 に内部電源を切断してください。逆の電源投入切断順により，内部素子に過電圧が印加され，誤動 ...
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DDR2とDDR3 SDRAMのボード・デザイン・ガイドライン、外部メモリ・インタフェース・ハンドブック、Volume 2、第4章
... 512 メモリ・クロック・サイ クルがかかります。それ以外の場合は、完了までに 256 メモリ・クロック・サイク ルがかかります。コントローラは、通常動作時に、温度または電圧の変化を追跡す るために 2 つ目のキャリブレーション・コマンドである ZQ CALIBRATION SHORT （ZQCS）を使用します。ZQCS コマンドの完了には 64 ...
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Cyclone Vデバイス・ハンドブック、 Vol 1、第6章：Cyclone Vデバイスの外部メモリ・インタフェース
... これによって、DQS がポストアンブル・ステートの間、リード動作時間の終了時に DQS 入力信号上のグリッチが DQ IOE レジスタに影響を与えないようにしています。 DDR3 や DDR2 SDRAM などの双方向リード・ストローブを使用する外部メモリ・イン タフェースの場合、DQS 信号はハイ・インピーダンス状態に入る前、またはそれか ら抜ける前に Low になります。 ...
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RX210 グループ FIT を用いたフラッシュメモリの書き換え 要旨 本サンプルコードでは FIT を用いて 特定の内蔵フラッシュメモリ (ROM および E2 デ ータフラッシュ ) のアドレスに特定の値を書き込む方法について説明します 対象デバイス RX210 1 / 50
... 49 / 50 E2 データフラッシュの消去後のデータは不定値となるため、ブランクチェックで確認し ます。結果が“FLASH_RES_BLANK”の場合、ブランク（消去状態）でとなります。 E2 データフラッシュへの書き込みを確認します。R_FLASH_Write 関数の実行後にブレー クをかけて、実行ボタンをクリックします。 実行ボタンをクリック後、ブレークにより 停止します。 ...
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FPGA 外部のメモリをアバロン・MM・インタフェースへ接続する方法
... したがって、アバロン・ MM・インタフェースと FPGA の外部メモリのバスを接続するためには、トライステートの機能を設け、 双方向ポートを用意する必要があります。 SOPC Builder 内のコンポーネントとして提供されている Avalon ® Tri-State Bridge （アバロン・トライステート・ブリッジ）を使 用することでトライステートの機能を設けます。 ...
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フラッシュメモリコントローラ：シリアルATA 3Gbps対応 1TB（テラバイト）SSDコントローラ GBDriver RS4シリーズの開発、製品化
... TDK 株式会社（社長：上釜 健宏）は、シリアル ATA 3Gbps 対応 NAND 型フラッシュメモリ 制御 IC GBDriver RS4 シリーズを開発、1 月より発売を開始いたします。 GBDriver RS4 は、実行速度 180MByte/sec の高速アクセスを実現した、高速 SATA コントロー ラ IC です。対応するフラッシュメモリは、最新の 1xnm ...
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Application Note Application Note No. ESC-APN Document No.: ESC-APN adviceluna/advicelunaⅡのフラッシュメモリ対応 対応範囲と使用方法 はじめに adviceluna/advicelu
... 3.1.2. メモリ操作やプログラム実行を妨げる要因の抑止 フラッシュメモリへのダウンロードには、前述のように書き込みの複数のアクセスシーケンスが必要となり ます。そのため、一般的に DRAM や SRAM へダウンロードを行うよりも多くの時間を要します。 特に FGM 方式を使用した場合、ダウンロードを行う際に ICE 側で用意してある FGM を ICE 作業 RAM エリ ...
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SH7268/SH7269グループ アプリケーションノート SPIマルチI/Oバスコントローラ シリアルフラッシュメモリ接続例
... 【注意】リセット時は、クロックが安定した後、リセットを解除してください。 プログラム実行中のクロック切り替え時は、切り替え先クロックが安定した後に切り替えてください。 リセット時、外部発振子（または外部発振回路）を用いたクロックで動作を開始するシステムでは、ク ロックが十分安定した後、リセットを解除してください。また、プログラムの途中で外部発振子（また ...
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メモリ
... ● デュアルチャネルメモリの性能を最大限に引き出す ために、増設時は、2つのスロットが同容量になるよ うに増設することをおすすめします。スロットごとに 異なる容量のメモリを搭載しても動作しますが、一部 のソフトでは十分な性能が出ない場合があります。 ...
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アプリケーション ノート DDR メモリの電気的検証 スマート フォンからサーバまで ほとんどすべての電子デバイスには なんらかの形式のRAMメモリが使用されています フラッシュ型 NANDはさまざまな民生家電で今も数多く使われていますが コンピュータやコンピュータベースの製品においては今なお SD
... 高性能ミックスド・シグナル・オシロスコープには、メモリ・バ スのコマンド・ステート、コントロール・ラインを使用して信号 を取込む、数多くの機能が用意されています。 SDRAMのメモリ・コマンドは、メモリ・クロック（CK）の立上 りエッジに同期しています。コマンド信号には、チップ・セレク ト（S0#またはCS#）、行アドレス・セレクト（RAS#）、列アド ...
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フラッシュ ファイル システムの操作
... アクティブなスイッチまたは任意のスタック メンバから参照できる flash: は、ローカル フラッ シュデバイスを指します。これは、ファイルシステムが参照されているのと同じスイッチに接続 されているデバイスです。スイッチ スタックでは、さまざまなスタック メンバからの各フラッ シュ デバイスを、アクティブなスイッチから参照できます。これらのフラッシュ ファイル シス テムの名前には、対応するスイッチ ...
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VMAXオール フラッシュ ファミリー データ シート
... VMAXオール フラッシュ管理をデータセンターの規模で活用できます。 iCDM（TimeFinder SnapVXを使用） iCDM（統合コピー データ管理）は、アプリケーション コンシステントなオン アレイ コピーのオ ーケストレーションを可能にすることで、卓越した価値を実現します。TimeFinder SnapVXソフ トウェアは、インパクトのないスナップ、シンプルなユーザー定義名、より迅速なスナップショッ ...
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VMAXオール フラッシュ ストレージの概要
... オール フラッシュ アレイには、ローカル レプリケーション データ サービスの Timefinder SnapVX が標準装備され、F パッケー ジの一部として含まれています。SnapVX は、VMAX LUN に対し、インパクトの少ないスナップショット機能とクローン機能を提供します。 SnapVX は、ソース ボリュームあたり最大 256 個のスナップショット、アレイあたり 1,600 万個のスナップ ...
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デュアルDIMM DDR2およびDDR3 SDRAMのボード・デザイン・ガイドライン、外部メモリ・インタフェース・ハンドブック、Volume 2、第5章
... f Samsung 社が推奨する DDR2 SDRAM ODT コントロールについて詳しくは、 「 Samsung DDR2 Application Note: ODT (On Die Termination) Control 」 を参照してください。 High Speed High Density ボード上の Stratix II デバイスの近くのすべてのデータ・スト ローブ・ラインとデータ・ラインには、54 Ω ...
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VMAXオール フラッシュ ファミリー
... オール フラッシュ ファミリ ー全体で、インライン データ圧縮をフル サポートしています。各ダイレクターは、フロントエン ド機能、グローバル メモリ機能、バックエンド機能を統合することによって、データへのダイレ クト メモリ アクセスを可能にし、I/O 動作を最適化します。選択したアレイに応じて、VMAX オ ール フラッシュ V-Brick を最大 8 ...
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詳細な説明 研究の背景 フラッシュメモリの限界を凌駕する 次世代不揮発性メモリ注 1 として 相変化メモリ (PCRAM) 注 2 が注目されています PCRAM の記録層には 相変化材料 と呼ばれる アモルファス相と結晶相の可逆的な変化が可能な材料が用いられます 通常 アモルファス相は高い電気抵抗
... 第一の課題は、GST が 160℃程度の温度で容易に結晶化してしまうことです。 このため、 一つのメモリに電気パルスを印加して相変化する(メモリの書き換え をする)際に、隣接する記憶素子にも熱影響が及び、意図せず記録情報が書き換 えられるリスクがあります。このことは、記憶素子の微細化・高密度化に伴っ て顕著になります。 ...
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