半導体 A（シリコン）
3.4 結晶系以外の太陽電池単結晶シリコン及び多結晶シリコン以外の材料を用いた太陽電池の総称である 3.5 結晶系太陽電池半導体材料として単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いた太陽電池をいう 3.6 太陽光発電設備光起電力効果によって太陽エネルギーを電気エネルギーに変換し 負荷に適した電力を供給す
... 半導体材料として単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いた太陽電池をいう。 3.6 太陽光発電設備 光起電力効果によって太陽エネルギーを電気エネルギーに変換し、負荷に適した電力を供給するために構 成した装置及びこれらに付属する装置の総体のことである。本計算方法では、太陽電池アレイのシステム容量 の合計が1kW 以上50kW 未満の設備を対象としている。 ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... のように物理的な回路が抽象化され、論理的なプログラムと切り離されることによって、 半導体のモジュール化は急速に進んだ。 チューリング・マシンのような論理的なモデルでは、命令をソフトウェアで書くのも回 路で実現するのも同じことだが、実装するコストには大きな違いがある。初期の IC のよう に機能ごとに違う論理回路を設計すると、ひとつの半導体で機能を実現できるが、プログ ...
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1. 概要有機半導体は 現在 主に用いられているシリコンなどの無機半導体と比べて以下の特長があり 次世代トランジスタなどエレクトロニクス素子への応用開発研究が盛んに行われています 1 塗布法 印刷法といった簡便かつ比較的低温での作製が容易 2 薄型 3 低コスト 4 プラスティック RFID タグや
... （2）技術的背景 東京大学竹谷教授らは 2003 年に有機半導体の結晶を用いたトランジスタを開発し、これまでよりも 格段に高い性能を実現することを見出していたため、実用化に有利な溶液塗布法によって有機半導体 結晶を作製する方法を検討してきました。2011 年には、溶液から有機半導体結晶を析出させてきわめ て高性能の有機 TFT を開発し、2012 ...
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シリコン結晶化過程の分子動力学
... 1.2 シリコンに関する数値計算 半導体産業からの潜在的な基礎研究の需要や物理学的興味を背景に，シリコンに関する研究に は膨大な資源が注がれてきた．それらの研究の大部分は実験的研究であったが，近年ではコンピ ュータの処理速度の飛躍的向上や，それにともなう電子構造計算など量子力学的計算手法の確 立・発展とともに，数値計算的な研究がシリコン研究においても多くの割合を占めるようになっ ...
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シリコンカーバイドパワーMOSFETsの破壊耐量ならびにそのメカニズムに関する研究
... シリコンカーバイド（ SiC）は、そのエネルギーバンドギャップが大きいこと、さらには熱伝導性が高いとい う特長により高耐圧で低オン抵抗、さらには高温動作が可能であることからシリコンに替わる新たなパワー デバイス用半導体材料として大きな注目を浴びている。特に SiC-MOSFET は高速スイッチング特性も ...
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半導体試験・測定システム
... 第１章 半導体試験・測定 システムの特許技術動向調査の目的と方法 第１節 半導体試験・測定システムの特許技術動向調査の目的 近年、日本近隣の東アジア半導体企業は、半導体製造において世界的価格競争力を獲得 しつつある。その価格競争力を支える要素技術の一つは、開発期間に占める試験・測定時 間の短縮化と試験・測定の低コスト化を実現する半導体試験・測定システムである。これ ...
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資源循環 エネルギーミニマム型システム技術 平成 12 年度採択研究代表者 小林光 ( 大阪大学産業科学研究所教授 ) 新規化学結合を用いるシリコン薄膜太陽電池 1. 研究実施の概要昨年度までの研究で シアノイオン (CN - ) は シリコン中 ( 特に多結晶シリコンやアモルファスシリコン中 )
... 2 界 面に存在する欠陥準位である界面準位を消滅させることも可能であり、その結果LSIやデ ィスプレイの駆動用の基本素子である金属－酸化物－半導体（MOS）ダイオードの電気特 性を向上できることを見出してきた。さらに、Cu 2 Oなどシリコン以外の半導体の欠陥準位 ...
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Microsoft PowerPoint - 第6回半導体工学
... Q シリコンの pn接合に関する以下の問題に答えなさい。 (1)p型におけるアクセプタ濃度N A が， n型におけるドナー濃度N D に比 べて無視できるくらい少ないとする。空乏層は主にどちらの層に存 在するか？ ...
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Microsoft PowerPoint - 第2回半導体工学
... Q：ダイヤモンド，シリコン，ゲルマニウムは，いずれもダイヤモンド構造を形成する。それぞれ の物性値は以下の通りである。最も比重が小さいものを答えなさい。アボガドロ数 (N A )は 6.02×10 23 [mol -1 ]とする。 格子定数 [Å] 原子量 比重 ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 第 1 章 序論 第 1 章では、本研究における背景と目的について説明していく。 1.1 研究背景 近年の電子機器は高速化，小型化が求められており、ディジタル回路はそれらに適してい る。ディジタル化の進展に伴い、多くの電子機器にはディジタル・アナログ変換器 (Digital- to-Analog Converter: DAC, DA 変換器) 搭載されている。身の回りの信号 (音声，画像， 光など) ...
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[NE ハンドブックシリーズ] パワー半導体
... コンディショナー，電気自動車の急速充電器など様々な システムで採用されています」 （同社ディスクリート生産 本部SiCパワーデバイス製造部副部長 伊野和英氏）。 ここにきて同社のSiCパワー半導体の製品展開は，一 段と性能を高めた第2世代品へと移行しつつある。ディ スクリート品では，第1世代品よりも順方向電圧（VF）を 0.1V∼0.15Vも低減したSBDを製品化。MOSFETでは， ...
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図 1 シリコンチップ, 半導体パッケージおよびプリント配線板の階層構造図 Figure 1 Hierarchical structure of silicon chips, semiconductor package substrates and printed wiring boards 銅張積
... 電子機器に搭載される半導体PKGについても半導体チップの高密度化に伴う多ピン化や小型化，薄型化の要求の下，実装 技術の進展とともに発展してきた。図３に半導体PKGの変遷を示す。1970年代前半までは，配線板のスルーホールにリード 端子を挿入してはんだ付けするピン挿入型PKGとして，DIP（Dual in-line Package）が用いられた。その後，端子の狭ピッチ化 ...
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ディスクリート半導体の基礎
... ① SJ-MOSはn型領域の一部にp型領域を柱状(p型ピラー層)を形成し、p型とn型領域を交互に配置します。(図3-9(b)) ② ドレイン・ソース間に電圧V DS を印加するとドリフト層であるn型領域に空乏層が広がりますが、一般的なDMOSとSJ-MOS ではその拡がり方が異なります。（図3-9(a)／(b)の電界強度図参照、電界強度は空乏層内の状態を示しています。） ③ ...
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通信用半導体レーザの開発
... これらの化合物半導体を成長する方法として、従来、高 品質な結晶が得られる液相エピタキシャル成長（LPE ： Liquid Phase Epitaxy）が用いられていた。しかし、80 年代前半から、デバイスの高性能化に必須の極薄膜の成長 が可能で、生産性に優れ、低コスト化に有利と考えられる、 分子線エピタキシー（MBE ： Molecular Beam Epitaxy） や 有 機 金 属 気 相 成 長 法 （ OMVPE ...
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博士論文 パワー半導体製造工程における高温熱処理と シリコン結晶欠陥の研究 A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power semiconductor manufacturing process
... 度低い酸素濃度になっている。ＦＺ２ウェハは、多結晶シリコン棒を用いた育 成方法であり、石英るつぼを用いないため低酸素濃度、即ち高純度であり高抵 抗のシリコン結晶を育成できる。ＦＺ２ウェハでは、ＯＳＦ（Oxidation Induced Stacking Fault）核となる酸素析出物が酸素が少ないため存在しないなど、一 ...
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5 シリコンの熱酸化
... 安定な膜が生じる。 Siの融点は 1412℃であるが、SiO 2 の融点は 1732℃であり被膜は非 常に高い耐熱性をもつ。全ての金属や半導体が密着性の高い緻密な酸化膜により容易 に被覆される特性を持つ訳ではなく、 Siを半導体素子に組み立てる上で実用上非常に 有益な効果として利用されている。最初に発明された GeのトラジスタがSiのトランジ ...
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エネルギーを測る Ⅰ 半導体検出器 ( 高純度ゲルマニウム検出器 シリコンドリフト検出器 ) 伊藤真義 財高輝度光科学研究センター 兵庫県佐用郡佐用町光都 谷田 肇 財高輝度光科学研究センター 兵庫県
... きる程度のエネルギー分解能で広いエネルギー範囲（＞1 keV）を一度に測定でき，比較的小型で取り扱いが簡便な ことです。 蛍 光 X 線 分析のよう に広いエネ ルギー領域 のエネル ギースペクトルの高計数率の測定が必要な場合や，コンプ トン散乱実験のように高い統計精度でのエネルギープロフ ァイルの取得が必要な実験においても強力な検出器です。 X 線回折実験における検出器として使用すれば回折 X 線 のエネルギーのみを，蛍光 XAFS ...
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SiC半導体
... キーワード シリコンカーバイド，ワイドバンドギャップ半導体，エピタキシャル成長，CVD，不純物制御，MOSFET， 昇華法，単結晶基板，結晶欠陥，結晶成長 要 旨 本研究報告は，SiC半導体に関する試験研究の成果をまとめたものである。SiCはシリコンに比べ，高 温環境下での低リーク電流の素子開発が期待されており，高耐圧で低損失な電力素子への検討も行われ ...
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半導体レーザによる降雪センサの開発
... 半導体レーザによる降雪センサの開発 Development of Snowfall Sensor by Semiconductor Laser 牧野智也 ✝ ，津田紀生 ✝ ✝ ，山田諄 ✝ ✝ ，民田晴也 ✝ ✝ ✝ Tomoya Makino, Norio Tsuda, Jun Yamada, Haruya ...
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AM571x Sitaraプロセッサシリコン・リビジョン2.0 datasheet (Rev. G)
... Some of the timings described in the following sections require the use of Virtual or Manual I/O Timing Modes. 表 7-2 provides a summary of the Virtual and Manual I/O Timing Modes across all device interfaces. The ...
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