半導体デバイス製造内訳
半導体デバイス製造のウエットプロセスにおける帯電・放電現象の解明とその対策
... トリソグラフィ工程、イオン打込み工程等多くの工程を繰り返し行うが、洗浄工程はいずれの前後に存在し、半導体 製造プロセスの 1/3 は洗浄工程と言われている。この洗浄工程は、ウェハと呼ばれるシリコン基材上のナノメートル オーダの異物（パーティクル）を除去するもので、 1 バッチ 25 枚のフープの単位で、アンモニア水、過酸化水素水、 塩酸等に温度をかけた薬品に、順次浸漬させる RCA ...
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Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit
... に、場所が特定された 半導体デバイスの不良箇所の断面構造そのものを観察するという画期的な試料作製手 段を提供した。これをきっかけに TEM は不良箇所の「直接観察と分析」という、解析 の主役に躍り出る。さらにマイクロサンプリング技術などの周辺技術の開発により、平 面 TEM で観察した試料から直接断面試料を抽出すると言う「離れ業」までが可能とな り、開発から 20 ...
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Kokusai Semiconductor Equipment Corp. 同社は 半導体製造装置の販売 サービス事業を行っています 1992 年に当地に法人を設立してから 20 年以 上の実績を有しています 同社は 高品質な半導体製造装置の販売及びサービスにより 高い評価を得ています 実際 複数の
... 同社は1985年より、自動車部品の製造事業を展開しています。ケンタッキー州では、ハロッズバーグ工場、ベレア 工場の2工場が稼働しており、 大規模な投資、雇用 を生み出しています。 ハロッズバーグ工場では、エンジン制御システム、電動スロットルボディ、筒内噴射エンジンシステム、エアフローメー ター、ハイブリッドシステム用バッテリー/モーター、ベレア工場ではサスペンション、ブレーキをそれぞれ生産しており、米 ...
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半導体パッケージの反りと残留応力評価および応力 に起因する電子デバイスの電気的特性変動評価 平成 25 年 2 月 松田和敏
... が完了した時点から精度の高い基板の見かけの線膨張係数を求める必要がある． また，近年では機械的に壊れていなくても電気的に動作不良を引き起こす現象がクロ ーズアップされ研究もおこなわれている [14-20]．具体的には，実装によって半導体パ ッケージの中のシリコンチップに生じた残留応力が，チップ面に形成された半導体デバ イスの電気的な動作特性を変動させ，半導体パッケージの最終出荷試験（動作試験）に ...
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セグメント変更について FY09 エレクトロニクス コンスーマープロダクツ & デバイス テレビデジタルイメージングオーディオ ビデオ半導体コンポーネント SLCD の持分法による投資損益は コンスーマープロダクツ & デバイス の営業損益に含まれています PC その他ネットワークビジネス は PC
... • 増収： イメージセンサー • 減収： 液晶テレビ「BRAVIA」、ゲーム、コンパクトデジタルカメラ 「サイバーショット」、ビデオカメラ「ハンディカム®」 FY09.1Q CPD、NPS、B2B＆ディスク製造： セグメント合計棚卸資産（地域別） ...
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製品含有化学物質に関する指針 半導体製品編 第 5 版 2013 年 2 月 20 日 富士電機株式会社 電子デバイス事業本部 [ MGn5001 付属書 2 ]
... 富士電機㈱電子デバイス事業本部及びその生産会社に納入される納入品リスト記載の 当社製品に、「含有禁止物質情報」の欄に記載された禁止物質を除き、下表の禁止物質 が意図的に含有しない事を保証します。 RoHS/ELV指令物質およびパッケージ指令物質に関しては、不純物も含め「製品含有化学 物質に関する指針【半導体製品編】第5版」 表B記載の閾値未満であることを保証します。 含有している禁止物質が上記指針 ...
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この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ
... 内容１ 1. 化合物半導体の特徴・応用の紹介 2. 半導体物理のおさらい ① Blochの定理の意味とk空間 ② バンドギャップの物理的基礎 ③ 有効質量とBloch振動 ④ １，２，３次元における状態密度 ⑤ 電子統計 ...
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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作
... キーワード： 第一原理分子動力学計算、SiC パワーデバイス、界面、熱酸化、アニーリング 1. はじめに 家電、産業、自動車、電鉄、或いは電力分野において、半導体電力変換機器の導入量が急速に増大 しており，低損失 SiC.半導体を導入した場合の省エネ効果は年間.500.億.kWh.にも達すると試算され る。SiC. ...
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米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不
... 懸念材料は米中関税摩擦。7/6 に中国からの輸入品目 818 品目を対象に始まった 25％の 追加関税が装置や材料を含めた半導体のサプライチェーンに及ぼす影響を SEMI では 2～3 千万ドルとみている。内訳は軸受、直動、シリンダ等装置に必要な部品の調達コスト増を見 込む。また追加品目として検討されるメモリなどに広がれば、影響額は 5 億ドル以上に膨 ...
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電子政府 電子基盤 電子医療 電子商取引等の振興においての他省庁の支援 インターネットサービスおよびプラットフォームに関するガバナンス 国内の半導体デバイス製造促進に関連する問題への対応 IT 関連問題における国際機関との連携 デジタル デバイド解消 メディア ラボ アジア関連問題への対応 IT 分
... DoT は「2012 年国家電気通信政策」において「一つの国家・完全な移動体番号 ポータビリティ（One Nation-Full Mobile Number Portability）」戦略を掲げ、番 号の登録サークルにかかわらず全国どこでも MNP を利用可能にすることを目指し た。これを受け TRAI は 2013 年 9 月 25 日に「全国統一 MNP に関する勧[r] ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 3．研究の方法 (1)ウエットプロセスにおける磁場の純水帯電の影響評価 実際の製造現場での現象を再現させるために、図 1 のよ うな実験システムを構築し、純水が帯電するか確認実験を 行った。市販の電磁石（ギガデコ TMS302）の磁界発生部 の間に純水を通して、その純水をファラデーケージで受け、 電荷を測定した。実験条件は噴射圧力 0.2 MPa、純水の比 抵抗値を 17.0 MΩ･cm、磁場：0, 55, 110 mT ...
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RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... 「今やこの産業も他の一般の製造業と同じく、徹底した効率向上のみがコスト削減、つまり利 潤の増大の Key となってきたのである。それには半導体は特別なのだという固定観念、神 話を打破することが大事であるが一部にその動きも出始めている。」（ＳＴＲＪ（２００２）） 本論の目的は、以上の現状認識に基づきつつ、我が国半導体デバイスメーカーの製造・生 ...
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ディスクリート半導体の基礎
... V DSS =600V の場合、 R drift >> R ch > R J-FET , R N+ , R sub となり R drift でR DS(ON) は決定されますが、 V DSS =30V の場合、 R ch >> R drif t > R N+ , R sub となりトレンチMOSによる微細化でR DS(ON) を下げる事が出来ます。 ① ...
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ディスクリート半導体の基礎
... • 本製品を分解、解析、リバースエンジニアリング、改造、改変、翻案、複製等しないでください。 • 本製品を、国内外の法令、規則及び命令により、製造、使用、販売を禁止されている製品に使用することはできません。 • 本資料に掲載してある技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するためのもので、その使用に際して当社及び第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うもの ではありません。 ...
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[NE ハンドブックシリーズ] パワー半導体
... コンディショナー，電気自動車の急速充電器など様々な システムで採用されています」 （同社ディスクリート生産 本部SiCパワーデバイス製造部副部長 伊野和英氏）。 ここにきて同社のSiCパワー半導体の製品展開は，一 段と性能を高めた第2世代品へと移行しつつある。ディ スクリート品では，第1世代品よりも順方向電圧（VF）を 0.1V∼0.15Vも低減したSBDを製品化。MOSFETでは， ...
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2. 個別の動向 1 業況判断業況判断は 製造業 非製造業とも横ばい感が強いなか 悪化とする企業が増えた 製造業は 変化なし とする企業の割合が高い 自動車 半導体関連 スマートフォン関連で 良くなった とする企業がある一方 原燃料価格の高騰等により 悪くなった とする企業の割合が増加した 非製造業
... 【東北】 一部に弱い動きがみられるものの、緩やかに持ち直している（→） 個人消費は、新車販売が持ち直しも、全体としては足踏みとなっています。生産は、 車載向け・スマートフォン向け電子部品・デバイスや新型車生産の輸送機械等が堅 調で持ち直しの動きとなっています。 ...
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フレキシブルシートデバイスを実現するためには 電子的機械的機能を有する機能性繊維状基材を高速連続製造するとともに その繊維状基材を製織によって大面積集積化する 織物製造技術を模して応用発展させた新たな製造技術の創出が必要である つまり 将来のメーター級大面積デバイスの高機能化 低コスト化のためには
... V-926 面積デバイス製造に不可欠な高速性、低温での製膜技術の確立にある。 また H23 以降の実用化実証部分ではさらにシリコン系の光電変換デバイスの高 効率化に関してもマイクロ構造の最適化に取り組んだ。より特に近赤外光から赤 外光を有効に取り込む手法の確立が望まれている。特に 1 μm 近いサイズのマイク ロテクスチャーとすることでより長波長の赤外光の吸収が可能となりシリコン太 ...
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業種別 通貨別組入比率 (2018 年 11 月 30 日現在 ) 業種別 通貨別 その他 43.1% キャッシュ等 1.3% 銀行 21.1% 食品 飲料 タバコ 7.5% 半導体 半導体製造装置 9.7% エネルギー 9.1% 電気通信サービス 8.1% インドネシアルピア 2.3% タイバーツ
... 組入上位銘柄と組入比率 (2018年11月30日現在) 銘柄名 国・地域名 業種 比率 5.2% 5.0% 4.9% 4.8% 4.8% 4.7% 4.6% 4.5% 4.3% 4.3% 組入銘柄数 * マザーファンドの組入比率です。組入比率には、各銘柄のADR、GDR、オプション証券等を含みます。 * 銘柄名は、報道等の表記を参考にＨＳＢＣ投信が翻訳しており、発行体の[r] ...
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博士論文 パワー半導体製造工程における高温熱処理と シリコン結晶欠陥の研究 A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power semiconductor manufacturing process
... 第２章は、新構造ＲＢ－ＩＧＢＴの新たなプロセス方法とそのデバイス特性、 およびそれを適用したアドバンストＴタイプＮＰＣ（AT-NPC：Advanced T-type Neutral-Point-Clamped）モジュールについて述べた。新構造の１２００ＶＲＢ －ＩＧＢＴデバイスは、ウェハの縦方向にｐ ＋ 分離層を形成するために、表面側 ...
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Title Author(s) 先端半導体デバイス対応欠陥レビュー走査型電子顕微鏡の画像処理技術に関する研究 原田, 実 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI /7258
... 4.3.1 複数枚の参照画像を用いた比較検査処理 ラインエッジラフネスなどの製造ばらつきはランダムに生じるため、ライン エッジラフネスの凹凸の位置や大きさは撮像画像ごとに異なる。よって、撮像位 置が異なる複数枚の参照画像を用いて検査画像と比較検査した場合、比較検査 結果ごとに、製造ばらつきに起因して抽出される欠陥候補の位置が異なると期 待できる。一方、欠陥の位置は検査画像内で変わらない。以上のことを利用し、 ...
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