半導体ソフトエラー研究
様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書 平成 21 年 6 月 2 日現在 研究種目 : 若手研究 (B) 研究期間 :26 ~ 28 課題番号 : 研究課題名 ( 和文 ) 炭酸ガスおよび半導体レーザーによるオーラルアンチエイジング 研究課題名 ( 英文 ) Oral an
... 本研究に用いるレーザー装置はパナソニッ クデンタル社製炭酸ガス(CO2)レーザー (Panalas C05∑)および高出力半導体レーザ ー(P-Laser)を用いる。歯髄組織、歯周組織 にレーザーを照射し、VEGF,HSP に加え IL-1,IL-6,TNFαなどの炎症性サイトカイン の発現を組織学的に観察しおよび mRNA の発 現をリアルタイム RT-PCR を用いて検索する。 ...
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USB Type-CTM対応ディスクリート半導体
... 文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載内容 に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製 ...
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有機半導体に欠かせない、「縮環チオフェン」の簡便な合成法の開発 研究活動 | 研究／産学官連携
... 3 ＜研究の背景と経緯＞ 硫黄と炭素からなる５員環「チオフェン」を含む芳香族化合物は、縮環チオフェンと呼 ばれ、高性能な半導体材料として、高移動度トランジスタや有機薄膜太陽電池、有機ELな どの電子デバイスには欠かすことができない重要な分子です （図１） 。 また、 有機化合物特 有の柔軟性も備えていることから、最近では、ウェアラブルデバイスの鍵物質としても広 ...
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第三回 QISS シンポジウム 宇宙線によるソフトエラー : 社会的インパクトと評価技術 2019 年 12 月 07 日 ( 株 ) ソシオネクスト松山英也 Copyright 2019
... 3. 近年はデバイスに対する高信頼性要求に伴い加速器での評価がよ り重要になった。シュミレーションの開発も含め大学・研究機関との共同 研究が不可欠な時代になった。 4. 富士通サーバー部門とデバイス部門(現ソシオネクスト）RCNPにて 装置およびデバイスの評価を分担して行い情報をshareして高信頼性 サーバーの開発に成功した。 ...
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Hall効果測定による化合物半導体中の不純物準位の評価に関する研究
... としてグラフにプロットする。 図 4.5.1 に Undoped GaSb の Sb/Ga 比 10 の時の DHES 法から計算した結果を示す。丸印 は実験データをそのまま用いた場合であり、実線は実験データを spline 関数で補間した値を 利用したものである。実験データをそのまま利用した場合（丸印）では、ピークを検出でき なかった。 spline 関数で補間した値を利用した場合（実線）、一つのピークが存在すると考え られ、 ∆ E ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... しかし、こうしたソフトワイアド型の半導体においても、設計と製造が完全に分離され るわけではなく、むしろ設計段階で製造段階の問題がわかるため、インターフェイス調整 が抽象化され、設計段階で行われるようになる（徳丸 2002）。多くの製造業で採用されて いる 3 次元 CAD でも、設計と製造の調整が「前倒し」になる現象が観察されている（竹田 2000） ...
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RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... ９０年代における我が国半導体産業の国際競争力の低下要因として、研究開発部門におけ るイノベーション能力の低下やそれらをもたらした経営判断の遅れが強調されることが多い。 たしかに、これらの主張には真に迫るところがある。ところが、我が国半導体デバイスメーカーを 詳細に観察してみると、研究開発部門のみならず、あるいは、それ以上に製造部門や生産技術 ...
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[NE ハンドブックシリーズ] パワー半導体
... GaNを利用したパワー素子の製品化は、これまで大き く三つの課題があった。まず、 （1）コスト低減が難しかっ たこと。GaN系パワー素子に利用できる従来の基板は口 径が小さかったり、価格が高かったりした。次は、 （2）電 気特性が十分ではなかったことである。優れた材料特性 を持つGaNだが、パワー素子として作り込むと、Si製パ ワー素子よりも電気特性面で劣る点があった。そして3 番目が、 （3）GaN系パワー素子を使いこなすための周辺 ...
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宇宙線に起因する電子機器の誤動作「ソフトエラー」を再現させる「ソフトエラー試験サービス」を開始 ～小型の加速器中性子源を用いたサービスを実用化高度な電子機器のさらなる信頼性向上に貢献～
... 降り注いでいます。 半導体デバイスの高集積化・微細化に伴い、デバイス内でビットを判定するのに必要な電荷は減少傾向にあ り ます。そのため、宇宙線由来の中性子線によって発生する二次粒子の微小な電荷の影響を受けやすくなり 、 従来の電子機器に比べソフトエラーの発生確率が増加しつつあります（図 1）。 ...
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太陽電池と半導体ｐｎ接合
... 光電子増倍管の応用 • スーパーカミオカンデ では、地球に大量に飛んでき ている ニュートリノ をとらえる研究をしている。 • ニュートリノが水槽を通過する時、水の中の電気を 帯びた粒子にぶつかることがあり、このとき微かな 光を放つ。この光を チェレンコフ光 と言う。陽子崩壊 の時にもチェレンコフ光が発生する。スーパーカミ オカンデではこのチェレンコフ光を監視している。 • 光電子増倍管は捕まえた微かな光を電子に変え、 ...
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ディスクリート半導体の基礎
... • 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産 が侵害されることのないように、お客様の責任において、お客様のハードウエア・ソフトウエア・システムに必要な安全設計を行うことをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関す ...
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ディスクリート半導体の基礎
... •文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載 内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 •当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は ...
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半導体製造装置プロセス管理技術
... 6） 日米ともに大学、研究機関による出願は非常に少なかった。リーダ的存在も特に無く、産学連携もこれまでのところ 少ないが、今後、半導体製造プロセスの高度化の進展により管理技術も高度化していくため、大学のもつ基礎的研究 の積極的活用が必要になると考えられる。 1） I SSM における論文発表では、プロセス管理技術のウエートは大きく、上昇傾向にある（1999∼2004年で倍増）。発表 ...
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通信用半導体レーザの開発
... し （1）〜（3） 、その後の研究開発、製造に用いてきた。 2 − 2 量子井戸構造の開発 GaInAsP のような化合 物半導体は、その組成を変えることで格子定数とバンド ギャップを変化させることができるが、バンドギャップの 異なる 2 つの薄層を交互に積み上げると、電子・正孔がバ ンドギャップの低い層に閉じ込められる構造ができる。バ ンドギャップの狭い層が電子の平均自由工程程度の厚み （数 10 ...
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定荷重式加圧装置を用いた“近藤半導体”CeRhAsの逐次構造相転移に対する圧力効果の研究
... 近藤半導体： 低温でフェルミ準位にエネルギー（擬）ギャップを形成 Ce 3 Bi 4 Pt 3 , CeNiSn, CeRhSb, CeRhAs [1] ギャップ形成のメカニズム CeNiSn, CeRhSb 4f電子と伝導電子との混成効果に起因 ...
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高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究
... 第６章 p 型 SiC 結晶のキャリア寿命制御 6.1 序文 SiC は間接遷移型半導体にもかかわらず、現状得られているキャリア寿命は、約１µs と短く、 高耐圧バイポーラ素子の耐圧維持層における伝導度変調の効果を考えると、まだ十分とは言えない。 これに対し、前章において、深い準位や表面再結合の低減を通し、キャリア寿命の向上を目指して ...
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中国上海・蘇州地域における半導体産業集積
... H 社（無錫）と I 社（上海）は，社内（グループ内）に設計と前工程，および少なくと も後工程の一部を担当する専門部局（グループ企業）があり，設計部門（企業）が自社製 品の開発を行っているという意味では IDM 型である。このうち H 社は，1997 年に設立さ れ，近年，電源管理用 IC などのアナログ IC 市場の拡大に合わせ，アナログ IC にフォーカ スしたファウンドリとして地位を固めている。なお表 19 の F ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... （１） 研究の背景 なぜ窒化アルミニウム基板が必要なのか？ 窒化アルミニウム（AlN）は，高い熱伝導率（320 W/mK）と大きなバンドギャップ（6.2 eV）を有して いる．AlN 単結晶を基板として用いれば，格子定数の近い AlGaN 系発光素子と準ホモエピタキシ ャル成長ができるため，積層した窒化物結晶の欠陥密度を低く抑えることができる．また，AlN 結 晶は，200 nm ...
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半導体技術分野の重要技術説明資料
... や低い。最近、書換回数が無制限で10ns以下の高速動作が可能な6T4C型FeRAMが富士通で開発・製 品化され、FeRAMの応用範囲が拡大している。現在、512kbitFeRAM混載LSIや1Mbit汎用FeRAMなどの 製品が出荷されており、システムLSI 用の組込みメモリやICカード用のメモリをはじめ各種の用途 で利用されている。汎用DRAM、フラッシュメモリおよびSRAM混載システムLSIの市場を獲得するた ...
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Al基近似結晶における半導体形成の可能性に関する研究
... 本論文は５章からなる。第１章は序章であり、準結晶、近似結晶とその熱電特性につ いて、研究の現状を概観し、本研究の目的、本論文の構成について述べている。準結晶 は、結晶、アモルファスと並ぶ固体構造の概念として確立したが、原子スケールの準周 期を持つ半導体や絶縁体は見つかっておらず、これらが存在するかどうかは、固体物理 学の基本的な問題の一つになっている。また、Al 基正 20 ...
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