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半導体の進化は止まらない

進化するネット通販と 止まらないサービスの向上

進化するネット通販と 止まらないサービスの向上

... 参考資料 出所)ネットショップ担当フォーラム出典)ネット通販市場成長 (https://netshop.impress.co.jp/node/5378) 出所)ネットショップ担当フォーラム出典)国土交通省宅配便再配達率定点調査 ( https://netshop.impress.co.jp/node/5592) ...

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40 年前と現在 固定無線しか使えないと教えられた周波数がモバイルに使われている 音声主体の単機能端末が ALL in One の手のひらに乗る多機能端末 ( スマートフォン タブレット ) に進化 一家に一台から一人一台 さらにモノにまでワイヤレスチップが搭載されている 半導体チップ (CPU メ

40 年前と現在 固定無線しか使えないと教えられた周波数がモバイルに使われている 音声主体の単機能端末が ALL in One の手のひらに乗る多機能端末 ( スマートフォン タブレット ) に進化 一家に一台から一人一台 さらにモノにまでワイヤレスチップが搭載されている 半導体チップ (CPU メ

... 電波干渉を回避し、 安定・高品質なWi-Fi環境を提供  構築コストを事業者間でシェア可能 、エリアオーナ等へ設備提供急増中 主なエリア Wi-Fi、PCをつなぐ時代から、 テレビやスマホ、家電へと 家中で使う、身近なインフラへ 都市圏鉄道会社ほぼ全駅をカバー ...

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中国の半導体市場|TMT Predictions 2019 日本の視点

中国の半導体市場|TMT Predictions 2019 日本の視点

... れば、圧倒的な価格力具備容易に想定される。そうであれば、日本 半導体企業が戦っていくために、日々研鑽を積んでいる技術力差 を広げる方向性が一丁目一番地であろう。技術力向上アプローチに 様々な観点があるが、例えば一企業単独技術力向上だけでなく、 ...

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ディスクリート半導体の基礎

ディスクリート半導体の基礎

... =600V 場合、 R drift >> R ch > R J-FET , R N+ , R sub となり R drift でR DS(ON) 決定されますが、 V DSS =30V 場合、 R ch >> R drif t > R N+ , R sub となりトレンチMOSによる微細化でR DS(ON) を下げる事が出来ます。 ① ...

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RIETI - 汎用技術としての半導体

RIETI - 汎用技術としての半導体

... 。もっとわかりやすい例でいえば、かつて出版において、手書き 原稿を活字に組んでから校正を行っていたが、現在著者書いた電子ファイルを入稿 する前に完全に校正するため、印刷所でゲラを読んで朱を入れるといった事後的な調整が なくなり、精度も格段に上がった。データがデジタル化されてコーディネーションが設計 ...

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TERAOKA NEWS MAGAZINE 2016.vol.94 商品を提供するだけでなく 食べる場所も提供 止まらない SM 飲食店化の流れ インバウンドビジネス入門 ようこそ わが社へ 金秀商事株式会社 沖縄

TERAOKA NEWS MAGAZINE 2016.vol.94 商品を提供するだけでなく 食べる場所も提供 止まらない SM 飲食店化の流れ インバウンドビジネス入門 ようこそ わが社へ 金秀商事株式会社 沖縄

...  POP店頭や店内にあって、お客様購買意欲を高めるもっとも有用 なツールです。まず店頭で、来店客(あるいは通行客)に看板POPなどで 注目させて店内誘導を図り、続いて店内に掲示されたポスターPOPなど で的確に情報提供し、最終的に商品POPで購買を促します。POP適 所に掲示し、見せる、知らせる、関心を持たせる、需要を高める、といった販 ...

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ディスクリート半導体の基礎

ディスクリート半導体の基礎

... • 別途、書面による契約またはお客様と当社が合意した仕様書がない限り、当社、本製品および技術情報に関して、明示的にも黙示的にも一切保証(機能動作保証、商品性保証、特定目的 ...

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SiC半導体

SiC半導体

... SiC エピタキシャル成長に必要な温度 1300 ∼ 1500 ℃とSi成長温度 ( 900∼1200℃ ) に比較して高 い。この温度反応管材料として多く使用されている 石英軟化温度を越える温度である。またSiCで窒 素が n 型ド−パントとなってしまうため,装置 ...

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通信用半導体レーザの開発

通信用半導体レーザの開発

... GaInAsP ような化合 物半導体、その組成を変えることで格子定数とバンド ギャップを変化させることができるが、バンドギャップ 異なる 2 つ薄層を交互に積み上げると、電子・正孔がバ ンドギャップ低い層に閉じ込められる構造ができる。バ ンドギャップ狭い層が電子平均自由工程程度厚み (数 10 ...

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私は 2006 年に 一国の盛衰は半導体にあり と題する本を出した この中で強調したように ハイテク立国を志向する国にとって 半導体はかけがえのない産業分野である 特に日本においては戦後復興のけん引役をも果たし ジャパン アズ No.1 への道を開いた 今は後塵を拝しているが これから新しい市場が立

私は 2006 年に 一国の盛衰は半導体にあり と題する本を出した この中で強調したように ハイテク立国を志向する国にとって 半導体はかけがえのない産業分野である 特に日本においては戦後復興のけん引役をも果たし ジャパン アズ No.1 への道を開いた 今は後塵を拝しているが これから新しい市場が立

... そして1980年代に「ジャパンアズNo1」と言われるほどに国勢い躍進した。半導体と民生品分野 相乗効果が貢献したである。 しかし、90年代から始まったデジタル化波に電子業界・半導体業界ともに取り残され、93年に日本 ...

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半導体量子デバイスの多様な展開

半導体量子デバイスの多様な展開

... 3 − 2 変調器集積レーザ 直接変調レーザ、大電流 で変調が必要であり、波長揺らぎ(チャープ)が大きく なるため、長距離伝送に適さない。これを克服し、更な る高速、長距離伝送を可能とするデバイスが電界吸収型 (EA: Electro Absorption)変調器と、DFB レーザとを集 積した電界吸収型変調器集積 DFB レーザ(EML: Electro- ...

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半導体技術分野の重要技術説明資料

半導体技術分野の重要技術説明資料

... 不揮発性メモリをロジック回路に組み込めば、使用目的に応じて動的にコンフィギュレーショ ンを変え、これを記憶することが可能である。このようなロジック回路と一体化した不揮発性メ モリを用いれば、システムをアプリケーションに応じて最適化するなど高性能化や、限られた 筐体で異なる複数機能実現するという今後モバイル機器へ一見相反する要求も実現可 ...

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ワイドギャップ半導体の光学特性評価

ワイドギャップ半導体の光学特性評価

... ー変化として検出できる。また、格子欠陥導入程度 、これら特性ピーク強度または半値半幅変化に反 映される。今年度研究で、エピレディとして提供さ れる試料表面をアルミナまたは炭化珪素研磨シートを 用いて水中研磨し、加工歪みを与えることで、機械的研 ...

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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

... た量が異なるという期待どおり結果であった。転位線 侵入深さ、 #8000 で 2~300 ナノメートルであった に対して #4000 では 400 ナノメートルと後者方が深く まで転位が侵入していたが、 #8000 研磨でも、長時間研 磨(最終試料厚さが薄い)により転位線がより深くまで 到達していることが認められたため精査が必要である。 ...

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窒化物半導体の展開-結晶基板とデバイス-

窒化物半導体の展開-結晶基板とデバイス-

... かった。これ、ゲート電極直下から裏面ドレイン電 極に向けて電流が流れる構造になっており、半導体表面に 高電界が生じないためであると考えられる (31)〜(33) 。 一般にパワーデバイスに対して、安全性面からノーマ リオフが要求されており、さらに +3V 程度しきい電圧が ...

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半導体試験・測定システム

半導体試験・測定システム

... REKA 対象技術、 情報、 通信、 レーザ、 医療、 新素材等、 9分野におよぶが、 半導体技術情報技術分野中で進められており、 M ED EA+その主要プロジェクトである。 M ED EA+中核メンバー N oki a、Er i cs s on、 Phi l i ps ...

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不断の熱意と進化

不断の熱意と進化

... となる貧困問題根本的改善を目指す同プログラムへ参画 、日本と欧州・アフリカ・中東地域を結ぶ重要な海上通商路、 および国際社会発展に不可欠な資源・エネルギー輸送路 安全確保に寄与することのみならず、ソマリアならびに海賊行 為に苦しむ関係諸国に対する国際貢献に繋がり、極めて重要 な国際的・社会的意義を持っています。昨年、国連開発計画 ...

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第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽

第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽

... また、ホール輸送能を高めるために強固なπ-πスタッキングが期待できる平面性 高いユニットをポリマー主鎖骨格に組み込むことで分子鎖を高密度にパッキング するアプローチもある。平面性高い D ユニットとして五つ芳香環を縮環したイ ンダセノジチオフェン indacenodithiophene ...

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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

... 大きな要因となっており、その生成機構詳細な知見が デバイス性能向上に不可欠と言われている。 他方、結晶表面加工に機械的・化学的研磨が施さ れる。ダメージを与えない加工方法研究開発が進めら れているが、端緒についたばかりで決定的な手法見つ かっていない。現状で、研磨によってどの様な欠陥が ...

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半導体工学の試験範囲

半導体工学の試験範囲

... d 階段型 pn 接合に関する以下設問に答 えよ。ただし、空乏層内電荷イオン化したアクセプタとドナーのみとし、 p および n 領域厚さ 十分大きく、空乏層外 p 領域、 n 領域で電界無視でき、アクセプタとドナーすべてイオン ...

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