Top PDF 半導体とは

窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－

... 特別論文得ることが出来た。それに対して、1980 年台末から大きな進展を見たのが、窒化ガリウム（GaN）を初めとする窒化物系の化合物半導体である。これは、前述の化合物半導体と同じⅢ-Ⅴ族半導体であり、Ⅲ族元素として Ga、In、Al からなるが、Ⅴ族元素がそれまでとは違った N（窒素）で構成されている。 ...

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目次第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章研究背景研究目的半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.

... 5.1 電流源並び替えキャリブレーション・アルゴリズム電流源並び替えキャリブレーション・アルゴリズムとは、電流源のスイッチング順序をデコーダにより変更するものである。物理的に電流源の配置を変更するものではない。 DA 変換器を構成している電流源は理想的には単一の値であるが、各種ミスマッチの影響によりそれぞれの電流源の値が異なってしまう (図 5.1) ...

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半導体製造装置プロセス管理技術

... 性は半導体に限らず各方面から言われているだけに、この地域でのビジネスを優位に進めるために特許の取得はより重要になると考えられる。一方、コアテクノロジに対する特許取得を考えると、まず、特許情報な ...

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RIETI - 汎用技術としての半導体

... 業務設計と組織構造インターフェイスの抽象化と各モジュールの分権化は、半導体製造装置メーカーの登場によって強まった。これも最初は半導体メーカーの使っている装置を外販するものだったが、次第に専業メーカーがあらわれ、特に半導体露光装置ではニコン・キャノンの 2 社で ...

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通信用半導体レーザの開発

... 9 は、GaInAsP（InP）、 AlGaInAs（InP）、GaInNAs（GaAs）三種類の材料系のバンドギャップ構成を示したものである。従来の GaInAsP 系に比して、AlGaInAs、GaInNAs 系は、導電帯でのバンドギャップ差を大きくすることができ、効果的な電子の閉じ込めによって、高温においても、キャリアの漏れによる ...

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Microsoft PowerPoint - 第2回半導体工学

... 量子力学の要請 1価の滑らかな関数の意味・・・位置のエネルギーが変わる境界のところでも波動関数及びその１次微分が連続（但し，位置のエネルギーが無限大のところでは波動関数は零，即ち ...

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Microsoft PowerPoint - 第6回半導体工学

... Q：下の表は，室温T=300[K]におけるSiのN C ,N V ,Egおよびn i をまとめている。 Alを 10 15 ,10 16 ,10 17 ,10 18 [cm -3 ]ドープしたSi，およびPを10 15 ,10 16 ,10 17 ,10 18 [cm -3 ]ドープしたSiについて，それぞれの SiにおけるフェルミエネルギーE f を求め，それぞれの SiにおけるE C ,E V ,E f の ...

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半導体設計支援（EDA）技術

... 用するたくましさが欲しい。すなわち、ツールを改良するための情報を無償で提供するのではなく、相応の対価を求めていく姿勢である。例えば、ED A ベンダと共同研究や共同出願とすることを交渉していくべきである。また、ユーザである半導体メーカだけで、特許を取得する戦略も考えられる。発明の中には、課題を発見するまでが困難なのに対して、その課題 ...

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ディスクリート半導体の基礎

... • 本製品を分解、解析、リバースエンジニアリング、改造、改変、翻案、複製等しないでください。 • 本製品を、国内外の法令、規則及び命令により、製造、使用、販売を禁止されている製品に使用することはできません。 • 本資料に掲載してある技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するためのもので、その使用に際して当社及び第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。 ...

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半導体工学の試験範囲

... （１）ｐｎ接合の無バイアス状態、順バイアス状態および逆バイアス状態のバンド帯図を描け。（２）真性半導体のキャリア密度をｎ i 、熱平衡状態におけるｐ領域とn領域の正孔密度、伝導電子密度をそれぞれp p 、n p 、および、n n 、p n で表すと,これらの間にはどのような関係が成立するか。（３）順バイアス状態では、ｐ領域よりｎ領域へ正孔が、 ...

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ディスクリート半導体の基礎

... •文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 •当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は ...

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半導体量子デバイスの多様な展開

... 3 − 2　変調器集積レーザ直接変調レーザは、大電流での変調が必要であり、波長揺らぎ（チャープ）が大きくなるため、長距離伝送には適さない。これを克服し、更なる高速、長距離伝送を可能とするデバイスが電界吸収型（EA: Electro Absorption）の変調器と、DFB レーザとを集積した電界吸収型変調器集積 DFB レーザ（EML: Electro- ...

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半導体技術分野の重要技術説明資料

... Ⅲ−21 度なサービスが可能になるであろう。 SoC 混載用不揮発性メモリシステムオンチップ（SoC）は今後の電子機器の高付加価値化を支える中核的な半導体デバイスである。高性能で小型であることから、据え置き型電子機器と並んでモバイル機器に多用される。そのため、今後ますます、SoCには低消費電力長時間動作と、電源ON・OFFにより瞬時に ...

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中国上海・蘇州地域における半導体産業集積

... 業園区でIC設計関連業務を行なう日系企業によれば，新卒の技術者では平均月給 2,500 人民元程度で，ボーナスを入れて年収 3 万～4 万人民元ほどである。これが 5 年ほどの経験を積むと月給 5,000～6,000 人民元，ボーナスを入れて年収 8 万人民元程度になる。また，同社によれば，同じ長江デルタ地域でも，上海ではさらに給与の相場が高騰するという。 ...

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物性物理学半導体超伝導ナノテク 1

... 周期構造による波の散乱周期構造による波の散乱波長が散乱体の配列周期の整数倍である波は強く反射（ブラッグ反射）され，入射波と反射波の干渉によって定在波ができる ⇒ 特定の波長では進行波ができない ...

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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

... GaN は青色・白色 LED のほか、省エネルギーパワーデバイスの実用化に貢献しているが、基板となるバルク結晶の育成技術は開発途上でデバイス作製は異種基板上へのエピタキシャル成長材料を基本としている。デバイス作製時には結晶表面の機械的・化学的研磨による平坦化が施されるため、結晶欠陥と歪みの導入が避け ...

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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

... GaN はすでに白色 LED 照明に広く利用されているが、最近では紫外線 LED による殺菌装置やパワーデバイスの実用化が図られ、安心安全・低炭素社会の実現に貢献している。しかし、基板とすべきバルク結晶育成技術は開発途上で、殆どのデバイスは異種基板上へのエピタキシャル成長技術を援用している。デバイス作 ...

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概要 GaN 系半導体デバイスとしてレーザー高輝度 LED パワー半導体が関心を集め研究対象となっているがこれらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている

... の溶解度の温度依存性を利用して、基本的には高温部（ 600-750℃）で GaN 原料を溶解し、低温部（500-650℃）に設置した種結晶の上に GaN を析出成長させて単結晶 GaN を得る技術である。ただし、成長部と原料溶解部の温度関係が逆の場合もあり、主に鉱化剤の種類や温度、圧力の設定により異なる。本手法は ...

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ワイドギャップ半導体の光学特性評価

... GaN と ZnO について、機械的研磨に代表される表面加工によって材料特性がどの様に変化するかを検証することを内容としている。半導体の特性は光学的性質で端的に表現される。格子歪みの大きさはホトルミネッセンス（ PL）あるいはラマン散乱スペクトルの特性エネルギーの変化として検出できる。また、格子欠陥導入の程度 ...

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USB Type-CTM対応ディスクリート半導体

... 文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製 ...

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