42 556 1 東京大学先端科学技術研究センター（〒1538904 東京都目黒 区駒場461) 42 556 ―( )― J. Vac. Soc. Jpn.
解
説
量子ドット太陽電池の現状と将来展望
岡
田
至
崇
1Recent Progress and Future Prospects for Quantum Dot Solar Cell Technology
Yoshitaka OKADA1
1Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo, 461 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 1538904, Japan
(Received May 4, 2012, Accepted August 6, 2012)
In order to surpass the theoretical Shockley-Queisser limit of energy conversion e‹ciency of a single-junction solar cell, advanced concepts using multi-junction tandem structures and quantum nanostructures are presently under intense research. Recent develop-ments and future research opportunities with quantum nanostructure photovoltaics are reviewed.
. は じ め に NEDO（独新エネルギー・産業技術総合開発機構）が発表 した太陽光発電ロードマップ（PV2030＋)1)では，わが国の 太陽光発電の具体的な導入目標として，2020年までに現状 の10倍，2030年には40倍とすることが掲げられている．ま た最近では，本年 7 月に導入する「再生可能エネルギーの 全量固定価格買い取り制度」の原案がまとめられ，電力会社 が 発 電 事 業 者 か ら 買 い 取 る 際 の 価 格 は ， 太 陽 光 発 電 が 1 kWh 当たり42円などとなっている．今後再生可能エネル ギーの大規模普及が益々加速することになる． 一方，太陽電池のエネルギー変換効率は，現在主流の結晶 Si 太陽電池で Shockley-Queisser の理論値2)（Si の場合約29 ）にほぼ近づいている．そこで，従来の延長線上にない新 しいアプローチやコンセプトを取り入れることにより，単接 合太陽電池の変換効率を上回り，かつ製造コストが50円/W 以下の低コスト化が展望できる次世代型高効率太陽電池の研 究開発が益々重要視されている． 1980年に多接合タンデム太陽電池が提案され，変換効率 は最大68になることが理論的に示された3)．多接合タンデ ムセルでは，複数の異種半導体を，太陽光の入射側よりワイ ドバンドギャップ材料からナローギャップ材料へと順番に積 層させて，全体として太陽光スペクトルとの整合を高める方 式である．2009年，独 Fraunhofer 研が，族化合物半 導体を用いた InGaP/InGaAs/Ge 系 3 接合タンデム太陽電 池で，450倍集光動作下で41.8の世界最高効率（当時）を 報 告 し た4)． ま た 2011 年 に は ， 米 Solar Junction 社 が
In-GaP/GaAs/GaInNAs(Sb）系 3 接合タンデムセルで，500倍 集光下で43.5を達成し，世界記録を塗り替えた5)．国内で はシャープ社が，非集光のセル効率として世界最高の36.9 を2011年に報告し6)，現在集光セルの開発にも着手してい る．集光型太陽電池の世界の生産量は，2007年に宇宙用と して約 1 MW/年，また地上用では100～200 kW/年（500倍 集光で50～100 MW/年）に達している．今後2015年頃には 約 1 GW，さらに2030年頃には約40 GW にまで達し，これ は全太陽光発電導入量の約 1/3 を占めるまでになる7)． 他方，半導体量子ドットを導入して太陽電池の高効率化を 図る量子ナノ構造太陽電池の研究開発も活発化している8)． 量子ドットの利点は，◯同じ材料でも，その大きさを変える だけで光吸収の波長範囲を紫外光から近赤外光にわたって広 くチューニングすることができること（量子サイズ効果）， ◯従来型の太陽電池では熱損失として失われてしまうエネル ギーを有効利用することが期待できること（ホットキャリア 効果，マルチエキシトン生成効果），◯量子ドットを周期的 に配列させた超格子構造を用いて，赤外光を吸収させるため のミニバンドを人工的に作りつけることができること9)，そ して◯有機材料と組み合わせたハイブリッド太陽電池や，色 素に替えて量子ドット増感型太陽電池といった低コストのタ イプの太陽電池に適用できること，などがある．上記◯の量 子サイズ効果を応用したセル開発は主に Si 系材料で検討が 進んでいる．他方，上記◯と◯に関する研究技術開発は近年 特に盛んである．量子ドットを高密度に周期配列させた超格 子構造では，量子ドット間の結合（カップリング）が起こり， 個々の量子ドット中にある離散化されたエネルギーが 1 つ の束（バンド）となってミニバンドが形成される．この中間 バンドを介した光学遷移を利用して，赤外光の光を有効に吸 収し太陽電池の高効率化を図るものである． 本稿では，このような理論変換効率60以上の超高効率 化が可能とされる量子ドット太陽電池について，現状と将来 展望について解説したい． . 量子ドット中間バンド型太陽電池 . 中間バンド型太陽電池の原理 従来型の単接合太陽電池のエネルギー変換効率の理論最大 値は，Shockley-Queisser の熱力学に基づく詳細平衡モデル により非集光で約31，最大集光時に約40と計算され る2,10)．詳細平衡モデルでは，以下を仮定する．1 つのフ ォトン吸収により 1 つの電子正孔対が生成され，電子は伝 導帯，正孔は価電子帯の各バンド内で速やかに熱緩和する， 再結合過程として発光再結合のみを考える，吸収層内で 各バンドの擬フェルミ準位は位置に依らず一定で，電子およ び正孔の分布はセル内で一様である，そして吸収層は十分 厚く，また表面での反射損失は無視できる． 得られる変換効率の値はセル材料の物性値に依存し，現
43 557 Fig. 1 Schematic energy band diagram for intermediate band
(IB) solar cell. IB consists of superlattice miniband formed by quantum dots, or multi-band formed in band anti-crossing material.
Fig. 2 DiŠering operation concepts in multi-junction tandem solar cell (left) and IB (multi-band) solar cell (right).
43 557 ―( )― Vol. 55, No. 12, 2012 在，累積導入量の 9 割以上を占める Si 太陽電池の場合は約 29が非集光時の最大値である．半導体のバンドギャップ より小さいエネルギーの太陽光は，半導体中で吸収されずに 透過してしまい，Si セルの場合，透過損失は全太陽光エネ ルギーに対して15～19程度ある．他方，バンドギャップ より大きいエネルギーの太陽光が入射し吸収されると，一部 は熱となり失われる．こうした熱損失は，全太陽光エネル ギーに対して約30にもなる．このように現在の単接合太 陽電池では，太陽光エネルギーの約半分は，透過損失と熱損 失により発電に寄与できていないことになる． Fig. 1に 合 計 3 つ の バ ン ド か ら な る 太 陽 電 池 の エ ネ ル ギーバンド構造図を示す．バンド 1 とバンド 3 は，バルク 結晶の場合，それぞれが価電子帯と伝導帯にあたり，バンド 2 はその間に量子ドット構造中のミニバンドなど人工的に導 入した中間エネルギーバンドである．このようにして，高い エ ネ ル ギ ー 域 の 太 陽 光 は バ ン ド 1 と 3 の 間 の 遷 移 を 使 っ て，また中間エネルギー域の太陽光はバンド 1 と 2，もしく はバンド 2 と 3 の間の遷移を使って吸収させることで，多 接合タンデム型太陽電池の場合と同様に，太陽光スペクトル との整合を高めて変換効率が増大する．この場合，太陽光を 吸収して量子ドット超格子からなる中間バンドに励起された 電 子 は ，も う 1 つ 光 子 エネ ル ギ ーを 吸 収す る こ とに よ っ て，量子ドットの外へ抜け出ることができる．脱出した電子 は，拡散・ドリフト中に別の量子ドットに再び捕獲されるも のがでてくる．この場合，捕獲・光励起（脱出）の過程を繰 り返しながら電極まで移動できることが必要である．一方， 量子ドット周辺のポテンシャルを持ち上げることによりトラ ップを抑制できるとする報告もある11)．したがって，電子 の脱出速度は，量子ドット内での発光再結合や欠陥準位など の局所準位を介した非発光再結合過程の平均速度よりも十分 に速くなければならない．こうして，太陽電池の出力電圧の 減少を抑えつつ，出力電流および変換効率を増大させること が可能になる．一般に，InAs/GaAs 材料系などのタイプ ヘテロ構造の量子閉じ込めでは，キャリア再結合時間は数 ns のオーダーである．そこで，InAs/GaAsSb 系などのタイ プ構造にして，キャリア寿命を一桁以上長くする検討が成 されている12,13)． 多接合タンデム型と中間バンド型太陽電池は，広いスペク トルを有する太陽光のエネルギー帯を細かく分割して，それ ぞれのスペクトル帯に適したバンドギャップあるいは中間バ ンドをもつ材料を使って光電変換を行うという点で，動作原 理は似ている（Fig. 2）．現在，InGaP/InGaAs/Ge 系の 族化合物半導体を用いた 3 接合タンデム型太陽電池が実 用化されているが，このとき，InGaP トップセルは約650 nm 以下の短波長帯の太陽光を，InGaAs ミドルセルは650～ 900 nm の波長帯を，そして Ge ボトムセルは約900～2000 nm の赤外光を吸収するように設定されている．この 3 つの サブセルは，電気的に直列に接続されているため，タンデム セルの開放電圧は 3 つのサブセルの光起電圧の和で与えら れることになる．一方の短絡電流は，3 つのサブセルで発生 する光電流の中で最も小さい値に律速される．またこの 3 つのサブセルは，“トンネル接合インターコネクト層”を介 して物理的・電気的につながっている．トンネル接合層は， 電気的には低抵抗で直列抵抗損が小さく，トンネルピーク電 流密度が太陽電池の短絡電流密度より十分に大きいことが必 要である．また，光学的には太陽光を下部へ通す“透明”な 高エネルギーギャップの材料であること，そしてサブセルと 格子整合し，高品質な単結晶が形成可能であることが必要で ある．このため多接合タンデム太陽電池の製造には高度な技 術を要し，変換効率50以上を目指すための 4 接合化，5 接 合化技術の開発が課題である． 一方，中間バンド型太陽電池の特徴は，中間バンドはホス トとなる半導体の伝導帯と価電子帯，すなわち外部回路とは 電気的に絶縁された“浮島”にしていることである．太陽光 を吸収して価電子帯から中間バンドに励起された電子は，も う 1 つ別の光を吸収して伝導帯に励起されるか，吸収が起 こらない場合は再結合過程を経て元の価電子帯の状態に戻る かのどちらかの遷移しかとれないという状態を作り出す．し たがって電気回路で考えた場合，3 つのダイオードが直並列 につながった回路になり，変換効率の最大値で比較すると 3 接合タンデムセルとほぼ競合することになるが，多接合タン デムセルでは欠かせないトンネル接合層が不要といった利点
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Fig. 3 Left: Schematic energy band diagram for quantum dot IB solar cell. Right: Theoretical power conversion e‹ciencies plotted as a function of energy bandgap. Air-mass 0 (AM0) is assumed.
44 558 ―( )― J. Vac. Soc. Jpn. がある．Fig. 3 に従来の pn 接合半導体の接合部に，例えば 量子ドットを高密度に並べることによって形成される，1 つ の中間バンドが存在する太陽電池のエネルギーバンド構造を 示す．1997年，マドリード工科大学（スペイン）の研究グ ループ9)は，図中に示したような 3 バンド構成の場合，ここ では価電子帯（Ev），中間バンド（IB），伝導帯（Ec）を考
えたとき，E(IB－Ev)＝EIV＝0.7 eV, E(Ec－IB)＝ECI＝1.2
eV, E(Ec－Ev)＝Eg＝1.9 eV のエネルギー組み合わせのとき
に変換効率の最大値は63（大気通過量 AM0，最大集光時） に達し，単接合太陽電池の約 2 倍の効率が得られることを 示した．中間バンド型太陽電池の変換効率に関しては，中間 バンドの数の依存性についても理論計算が多数報告されてい る．ニューサウスウェールズ大学（オーストラリア）のグルー プ14)では，中間バンドの数を 4 つ以上に増やすと，集光時 の理論変換効率は70を上回り，80近くにまで高められ るとしている． さらに特徴的なことは，非集光の条件で使用するのか， または集光動作させるかによって，最大の変換効率を達成す るために必要な材料の組み合わせの条件が変わってくるこ と，またそのバンドギャップの組み合わせの条件はある程 度幅に余裕があり，量産時に想定される化合物材料の組成比 の少しのずれのようなことがセルの特性にあまり影響しない と予想される点である．中間バンドを埋め込むホスト材料の バンドギャップエネルギー E(Ec－Ev)＝Egは，最大集光下
において変換効率が63に達するのは Eg＝1.9 eV のときで あるが，Fig. 3 が示すように Eg＝1.6～2.2 eV の範囲であれ ば60以上の高い変換効率が実現できる15)． . 中間バンド型太陽電池の現状と課題 中間バンド太陽電池に向けた吸収層材料として，遷移金属 を高濃度ドープした半導体16,17)や，高不整合化合物混晶18)な どのバルク材料が検討されている他，量子ドットを規則正し く配列させた量子ドット超格子を用いて，超格子ミニバンド を中間バンドとして利用する方式が研究されている．中間バ ンド型太陽電池において，各バンドの擬フェルミ準位を互い に十分に分離させるためには，各バンド間のキャリアの遷移 は光学遷移が支配的で，熱励起・熱放出による遷移が極力抑 えられている必要がある．ここで量子井戸を基本とした超格 子の場合，ミニバンドと伝導帯（および価電子帯）の間には 連続準位が基本存在するが，量子ドット超格子では，伝導 帯・価電子帯とエネルギー的に完全に分離されたミニバンド が形成可能なため，バンド間の熱的遷移を原理的に抑制する ことができる19)．InAs/GaAs 系量子ドット超格子におい て，各バンドの擬フェルミ準位の分離が起こることが実験的 に確かめられている20)．中間バンド材料として量子ドット 超格子を導入した量子ドット太陽電池は，筆者らのグループ を含めいくつかのグループにより試作されており，ホスト半 導体材料のバンドギャップ以下のエネルギー帯における光感 度や，短絡電流の増大が報告されている2127)． 量子ドット太陽電池を作製する上での課題の一つは，太陽 光を十分に吸収するために，量子ドットの総数を増やすため の超高密度化を達成することにある．このような量子ドット 超格子セルを作製するため，自己組織化量子ドットの多層積 層成長が有望である．半導体基板結晶の格子定数よりも大き い格子定数をもつ異種半導体をエピタキシャル成長させた場 合，成長初期には 2 次元的な層状成長が起こり，その後，3 次元的な島成長へと移行して量子ドットが自己形成される． このとき，量子ドット材料として広く使われている InAs の 格子定数は，基板として使われる GaAs よりも7.2大きい ため，通常の GaAs を量子ドットの埋め込み層（中間層）に 用いた InAs/GaAs 系の積層成長では，ひずみエネルギーが 積層とともに結晶内に蓄積し，そのひずみ場が上の層に放射 状に伝わっていく結果，量子ドットのサイズが徐々に増大し てしまう．このため，実際には10～15層以上にわたって InAs 量子ドットを均質に成長させることは技術的に容易で はない． そこで，中間層のところで量子ドットとは逆向きの格子ひ ずみを発生させて，1 周期毎に平均のひずみ量を一旦ゼロに 戻しながら多層化を行うと，欠陥密度が低く高品質な量子ド ッ ト 結 晶 が 作 製 で き る こ と が 示 さ れ た ． ひ ず み 補 償 法 （Strain-Compensation Technique），またはひずみバランス
45 559 Fig. 4 Left: Schematic layer structure and microscope picture of InAs quantum dot IB solar cell fabricated on GaAs (001) substrate by molecular beam epitaxy (MBE). A 20 nm-thick GaNAs strain-compensated spacer layer is used to embed each InAs QD layer. Right: AFM image of InAs QDs after 10 layers of stacking.
Fig. 5 Quantum e‹ciency spectra measured for strain com-pensated InAs/GaNAs QD solar cell with 10, 20, 30 and 50 stacks of QD layers. GaAs pin control cell is also shown.
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―( )― Vol. 55, No. 12, 2012
法（Strain-Balance Technique）と呼ばれるこの製造技術は， BaF2基板上の PbSe 量子ドット/PbEuTe 中間層の材料系で
初めて実証された28)．その後，InP 基板上の InAs 量子ドッ
ト/AlGaInAs 中間層29)，GaAs 基板上の InAs 量子ドット/
GaNAs 中間層30)の材料系で歪み補償成長技術が開発されて きた． 著者のグループが開発した量子ドットを用いた中間バンド 太陽電池の試料構造を Fig. 4 に示す25,26,30)．基板には GaAs (001)を用い，分子線エピタキシー法（MBE）で pin 構造中 の i 層中に10層，20層，30層，そして50層と多重積層させ た InAs 量子ドット超格子を導入し，ひずみ補償系の中間層 材料として20 nm 厚の GaNAs 希釈窒化物混晶半導体を用い ている．まず20層積層させた InAs 量子ドット試料を原子間 力顕微鏡で観察して求めたドットの平均直径，高さ，直径サ イズの揺らぎ，また 1 層あたりの面内密度は，約39 nm, 5 nm, 13，および 4×1010/cm2である．ひずみ補償法を用 いて作製した量子ドットのサイズ揺らぎは，ドット間の結合 を生じさせるために目標とする10以内に概ね近づいてお り，最終的に量子ドット超格子にして中間バンド型太陽電池 へ発展させる上で，十分に高均一な量子ドットの積層構造が 得られるようになっている．Fig. 5 に短絡電流駆動時の分 光感度（量子効率）特性を示す．波長約880 nm より短波長 側の GaAs 層による吸収に加えて，950 nm 付近にピークを 持つ光電流の寄与は，量子ドットの埋め込み層として用いた GaNAs 中間層（ひずみ補償層）によるものである．さらに 波 長 1200 nm 辺 り の 赤 外 光 領 域 ま で 吸 収 端 が 拡 が っ て い る．室温でのフォトルミネッセンス測定では，波長1050～ 1200 nm にかけて発光ピークが観測され，この結果は分光 感度測定で得られた吸収端波長と一致していることから， InAs 量子ドットからの寄与であることがわかる．また量子 ドットによる赤外光領域の光吸収は，積層数を20層から30 層，50層へと増加させるとともに単調に増大しており，積 層化により量子ドットの密度を増加させることは光出力電流 を増大させるのに大変効果的であることを示している． Fig. 6 は，AM1.5の非集光下で得られた電流電圧特性で ある31)．積層数を増大させると短絡電流密度が単調に増大 し，50層積層時の短絡電流密度は Isc＝26.4 mA/cm2，変換 効率は h＝13.7がと良好な値が得られている．これは，量 子ドットを導入していない GaAs の単接合太陽電池の値と比 べて，InAs 量子ドットおよび GaNAs 中間層の両方の寄与 が加わるため，約30の電流増大になる．一方，積層量子 ドット太陽電池の場合，量子ドット部での光吸収量が現状ま だ十分でなく，このことが開放電圧を減少させている．これ は，量子ドット層で生成されたキャリアが主に熱励起によっ て伝導帯へと引き抜かれること，さらに量子ドット準位から 価電子帯への再結合割合が相対的に多くなっていることが原 因と考えられている．しかし今後，太陽電池構造の最適化お よび集光動作による光学遷移割合の増大により，開放電圧の
46 560
Fig. 6 Projected current-voltage curves measured for strain compensated InAs/GaNAs QD solar cell with 10, 20, 30 and 50 stacks of QD layers. GaAs pin control cell is used as a reference.
Fig. 7 Theoretical AM0 conversion e‹ciencies plotted as a function of concentration for an ideal material-bandgap com-bination case and for InAs/GaAs material case.
Fig. 8 Top: AFM image of the topmost InGaAs QD surface in 10 layer stacked InAs/GaNAs QD sample grown on GaAs (311)B by MBE. Bottom: Cross-sectional STEM image.
Fig. 9 AM1.5 current-voltage curves measured for (a) 10-layer stacked InGaAs/GaNAs QDSC grown on GaAs (311)B substrate, (b) GaAs pin reference SC grown on GaAs(001) substrate, respectively. 46 560 ―( )― J. Vac. Soc. Jpn. 増大と30以上の高効率化が見込める（Fig. 7)15)． 続いて，GaAs(311)B 基板という特殊な高指数基板上に 作製した InGaAs 量子ドットは，（001)基板上に作製したも のと比較して，サイズ均一性と面内の配列性に優れ，かつ高 密度に成長させることができる（Fig. 8)32)．GaAs(311)B 基板上に10層積層させた InGaAs/GaNAs/GaAs 系ひずみ補 償量子ドット太陽電池の場合，量子ドット層による発電電流 成分として2.25 mA/cm2が得られ，（001)基板上に作製した 同 じ 構 造の 積 層 量子 ド ッ トセ ル の 値1.76 mA/cm2と 比 べ て，約0.5 mA/cm2の増大が得られた．これは（311)B 基板 上の方がより高密度に量子ドットが形成されることが一つ影 響している．このときの短絡電流密度，開放電圧，FF，ま た変換効率の値は，24.26 mA/cm2, 0.791V, 0.840, 16.12 であり，2008年に発表された時点で世界最高効率の量子ド ットセルである（Fig. 9)33)．その後，2009年にロシア・科 学アカデミー・サンクトペテルブルグ研究所と IoŠe 研究所 のグループが，InAs/AlGaAs 系で積層量子ドット太陽電池 を 報 告 し ， 短 絡 電 流 密 度 ， 開 放 電 圧 ， FF の 値 と し て ， 27.66 mA/cm2, 0.840 V, 0.792, 18.32，変換効率18.32を 記録した34)． 太陽電池では，吸収と再結合は常に競合する関係にある． したがって一般には吸収レートを上げる（吸収係数の大きい 材料を選ぶなど），再結合寿命を長くするといった工夫が成 される．量子ドットが形成する中間バンドを介した赤外の長 波長光の吸収率を増大させるためには，中間バンドに十分な キャリア密度が存在していること（理想的には状態の半分が 電子で占有されていること）が必要である．一つは集光 （photo-ˆlling）させる方法，もう一つは量子ドットに不純物 ドーピングを行うアプローチがある．これらの効果の詳細に ついては本稿では割愛するが，別途解説論文を参照された い35,36)． 以上で紹介したボトムアップのアプローチである単結晶成 長技術を駆使して，高密度量子ドット超格子を作製する方法 の他に，トップダウン的手法で超微細構造を均一に加工する 技術も研究されている．超微細エッチング技術で形成された ディスク状の Si 量子ドットでは，大きさのばらつきが±5
47 561 47 561 ―( )― Vol. 55, No. 12, 2012 以下ととても均一で，面内密度も 5×1011/cm2前後の高密度 化が実現されている37)． . 将 来 展 望 量子ドットを用いた高効率中間バンド型太陽電池の原理， および MBE 成長による自己組織化量子ドットの積層化技術 と量子ドット太陽電池の現状に関して概説した．現在の単接 合太陽電池のエネルギー変換効率の理論最大値（Shockley-Queisser: SQ 効率）を上回り，かつ低コスト化を展望でき るような次世代型太陽電池は，ひとくくりにして“第三世代 太陽電池”と呼ばれる．詳細平衡モデルにより決定される SQ 効率の壁を打ち破ることができれば，原理的には，エネ ルギー変換効率は熱力学的上限まで高めることができる．そ のためにも集光型セルの開発が不可欠である．集光型太陽光 発電システムは，太陽光をレンズや反射ミラーを使って集め て発電する方式であるため，一つ一つの太陽電池セルの面積 が小さく，半導体の使用量を少なくできるメリットがあるこ とから，現在のところ，低コスト化など経済的効果の方のみ が注目されている．しかし実は，熱力学的にも多接合タンデ ムセルや高効率量子ナノ構造セルの変換効率を50以上ま で高めるための技術として大変重要であることを指摘した い15,38)．したがって，第三世代太陽電池は集光型太陽光発電 システムに組み込むことで，低コスト化とセルの高効率化の 両方が達成できる大変魅力ある発電方式といえる． 現在，使用する族系化合物半導体の面積あたりのコ ストは結晶 Si よりも 2 桁程度高いものの，セルの変換効率 が40以上になると，500～1000倍の集光システムでは，1 Wあたりの生産コストはかえって安くなるといった試算も 成されている．将来のメガソーラーのみならず，ソーラータ ウン，スマートシティーなど地域における分散型電源とし て，また電気自動車の充電ステーションへなど幅広い用途が 考えられる．他方，有機材料と組み合わせたハイブリッド太 陽電池や，色素に替えて量子ドット増感型太陽電池といった 低コストのタイプの太陽電池への応用も年々期待も高まって いる． 謝辞 本稿で紹介した研究成果は，革新的太陽光発電技術研究開 発（革新型太陽電池国際研究拠点整備事業）「ポストシリコ ン超高効率太陽電池の研究開発（SOLAR QUEST）」の委託 の下で行われた．経済産業省，NEDO，および多くのプロジ ェクト関係者各位に深く感謝する次第である．また日頃奮闘 を続けている研究室の研究員，大学院生諸氏に感謝する． 〔文 献〕 1) 太陽光発電ロードマップ（PV2030＋) www.nedo.go.jp/library/pv2030/pv2030＋.pdf
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