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プラズマCVDで堆積したa-Si:H/mc-Si:H膜への Si クラスタ取り込みの効果

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Academic year: 2021

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九州大学学術情報リポジトリ

Kyushu University Institutional Repository

プラズマCVDで堆積したa-Si:H/mc-Si:H膜への Si クラスタ取り込みの効果

金, 淵元

https://doi.org/10.15017/1398388

出版情報：Kyushu University, 2013, 博士（学術）, 課程博士 バージョン：

権利関係：Fulltext available.

(2)

― 284 ― ― 285 ―

キム  ヨンウォン

氏名・（本籍・国籍）

金   淵 元

（韓　国）

学 位 の 種 類 博士（学術）

学 位 記 番 号 シ情博甲第５０８号 学 位 授 与 の 日 付 平成25年9月24日

学 位 授 与 の 要 件 学位規則第４条第１項該当　システム情報科学府　電気電子工学専攻

学 位 論 文 題 目 Effects of Si Cluster Incorporation on a-Si:H/

μ

c-Si:H Films Deposited by Plasma Chemical Vapor Deposition (プラズマCVDで堆積したa-Si:H/mc-Si:H膜へのSi クラスタ取り込み の効果)

論 文 調 査 委 員 （主　査）　教　授　　白　谷　正　治

（副　査）　教　授　　岡　田　龍　雄　　　教　授　　浅　野　種　正

論 文 内 容 の 要 旨

(3)

― 286 ― ― 287 ―

論 文 審 査 の 結 果 の 要 旨

参照

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